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最新专利技术
  • 开关柜
    开关柜_厦门华电开关有限公司_202410755023.7
    本公开提供一种开关柜，该开关柜包括柜体以及设置在柜体内的接地开关、地刀操作轴、用于解锁或锁定地刀操作轴的解锁销、第一连杆和第二连杆、以及用于联锁上后门和下后门的滑片固定板、开门滑片和关门滑片。柜体设置有能够上提的上后门和下后门，上后门的下端...
    2026-02-02
  • 一种具有自锁功能的防触电开关柜
    一种具有自锁功能的防触电开关柜_南京果子家网络科技有限公司_202511293300.8
    本发明涉及开关柜设备技术领域，提供一种具有自锁功能的防触电开关柜，包括主体组件：所述主体组件包括柜体、柜门和电压互感器；所述柜门安装于柜体的前端，电压互感器安装于柜门的前端；辅助组件：所述辅助组件包括安装槽、连接板、弹簧块和弹簧卡扣；所述安...
    2026-02-02
  • 一种新能源接入的智能配网电压稳定供电设备
    一种新能源接入的智能配网电压稳定供电设备_国网山东省电力公司青岛市即墨区供电公司_202511425710.3
    本发明涉及电气设备技术领域，具体地说，涉及一种新能源接入的智能配网电压稳定供电设备，包括补偿柜、设置于其内部的装拆机构以及若干SVG模块，SVG模块外壁设有若干定位孔。该新能源接入的智能配网电压稳定供电设备，通过装拆机构，实现了对多个SVG...
    2026-02-02
  • 一种圆筒水气碰撞可调负氧离子浓度发生器
    一种圆筒水气碰撞可调负氧离子浓度发生器_福氧(海口)环境科技有限公司_202511539701.7
    本发明属于负氧离子制备技术领域，具体公开了一种圆筒水气碰撞可调负氧离子浓度发生器，包括圆筒结构，圆筒结构内设有机芯和气液分离器，机芯包括水滴产生模块和碰撞模块，气液分离器连通于碰撞模块，水滴产生模块连通有进气管路和进水管路，进气管路连通于空...
    2026-02-02
  • 一种负压气击式负氧离子发生器
    一种负压气击式负氧离子发生器_江苏鹿得医疗电子股份有限公司_202511257178.9
    本发明公开了一种负压气击式负氧离子发生器，装配在储水容器内，储水容器由可拆卸连接的上壳和下壳组成，上壳上设置有压缩气体进气口、负氧离子出气口以及泄压装置；储水容器的内腔中设有聚水槽、挡水件、连接管、气流喷射件、负压吸水件、过滤件、隔音挡墙和...
    2026-02-02
  • 一种装配式建筑的防雷保护装置
    一种装配式建筑的防雷保护装置_山西鸿昇兴防雷检测有限公司_202511682204.2
    本发明涉及建筑防雷技术领域，尤其为一种装配式建筑的防雷保护装置，包括装配建筑，所述装配建筑顶端安装有支撑组件，所述支撑组件顶端安装有引雷装置，所述引雷装置一侧安装有导雷组件，所述导雷组件安装在装配建筑外侧，本发明中，通过设置的支撑组件、引雷...
    2026-02-02
  • 一种修井机天车避雷针收放装置
    一种修井机天车避雷针收放装置_徐州徐工随车起重机有限公司_202511387327.3
    本发明涉及石油机械技术装备领域，具体的涉及一种修井机天车避雷针收放装置，包括避雷针、连杆机构、执行机构；所述避雷针与天车围栏顶部回转连接，所述执行机构通过连杆机构驱动避雷针收放，通过连杆机构实现在修井机工作状态下展开避雷针，在修井机收车状态...
    2026-02-02
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510593052.2
    本发明提供能够降低电极头的消耗且提高点火性的火花塞。火花塞具备：绝缘体，其设有沿着轴线延伸的轴孔；中心电极，其配置于轴孔；主体金属壳体，其配置于绝缘体的外周；以及接地电极，其与主体金属壳体连接。中心电极和接地电极中的至少一者包含母材和与母材...
    2026-02-02
  • 一种可寻址VCSEL阵列芯片、驱动电路及驱动方法
    一种可寻址VCSEL阵列芯片、驱动电路及驱动方法_威科赛乐微电子股份有限公司_202511614152.5
    本发明公开了一种用于激光雷达、3D传感的可寻址VCSEL阵列芯片、驱动电路及驱动方法，将衬底上的所有所述发光单元分为两个发光区，两个相邻发光区之间设有共享区，当芯片处于第一扫描时段T1时，通过所述多路选择器，同时激活第一驱动电极组和共享电极...
    2026-02-02
  • 光子晶体表面发射激光器阵列及其制备方法
    光子晶体表面发射激光器阵列及其制备方法_南方科技大学_202511256802.3
    本发明涉及一种光子晶体表面发射激光器阵列(PCSEL‑阵列)及其制备方法，由驱动衬底以及阵列排布于驱动衬底一侧的多个激光器单元构成，每个激光器单元自下而上包括依次堆叠设置的底端电极层、缓冲层、第一导电层、出光层、第二导电层、光子晶体层和顶端...
    2026-02-02
  • 一种耐高温半导体激光器芯片及其制备方法
    一种耐高温半导体激光器芯片及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511083971.1
    本发明提供了一种耐高温半导体激光器芯片及其制备方法。该耐高温半导体激光器芯片，由下至上依次包括：衬底、N限制层、下N波导层、载流子收集层I、上N波导层、量子阱层、下P波导层、载流子收集层II、上P波导层、P限制层、欧姆接触层。本发明通过在量...
    2026-02-02
  • 一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法
    一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511081985.X
    本发明涉及一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法。该半导体激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlInP下限制层、第一下波导层、第二下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第一上波导层、...
    2026-02-02
  • 基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法
    基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511083792.8
    本发明公开了基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法，包括衬底，衬底上依次设有buffer层、N型DBR层、有源层、P型氧化限制层、P型DBR层、表面高掺GaAs层；N型DBR层包括N型的高Al组分层、Al组分过渡层、...
    2026-02-02
  • 一种激光器
    一种激光器_中国移动通信有限公司研究院_202411219290.9
    本申请提供了一种激光器，包括：沿第一方向设置的第一接触层、第一限制层、有源区层和衬底；其中，所述第一接触层和第一限制层上集成有光栅结构；所述有源区层包括多层量子阱结构，所述有源区层用于产生蓝光激光。本方案能够支持产生窄线宽的蓝光激光，以提升...
    2026-02-02
  • 一种能够提升芯片可靠性和寿命的外延结构
    一种能够提升芯片可靠性和寿命的外延结构_山东华光光电子股份有限公司_202511076556.3
    本申请提供的一种能够提升芯片可靠性和寿命的外延结构涉及半导体激光器技术领域。该外延结构包括层叠结构本体，层叠结构本体从下往上依次包括衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型限制层，P型限制层的上侧从下往上依次设置有第一欧姆接触...
    2026-02-02
  • 元件及其制造方法、有机半导体激光二极管
    元件及其制造方法、有机半导体激光二极管_株式会社考拉科技_202511273194.7
    提供一种元件及其制造方法、有机半导体激光二极管。该元件具备基板和至少两个不同的光电器件，所述至少两个不同的光电器件在所述基板上以单片方式制作，所述元件满足以下的条件1和条件2中的至少一方：条件1：所述至少两个不同的光电器件具有彼此不同的衍射...
    2026-02-02
  • 阵列式氧化孔结构的垂直腔面发射激光器及其制备方法
    阵列式氧化孔结构的垂直腔面发射激光器及其制备方法_江苏长光时空光电技术有限公司_202511131526.8
    本发明属于半导体激光器技术领域，具体涉及阵列式氧化孔结构的垂直腔面发射激光器及其制备方法。阵列式氧化孔结构的垂直腔面发射激光器包括台面结构，台面结构具有自下至上依次布置的有源层、氧化限制层、P型DBR层和GaAs盖层，台面结构上刻蚀有自上至...
    2026-02-02
  • 基于双氧化孔的垂直腔面发射激光器及其制备方法
    基于双氧化孔的垂直腔面发射激光器及其制备方法_江苏长光时空光电技术有限公司_202511088341.3
    本发明属于半导体激光器技术领域，涉及基于双氧化孔的垂直腔面发射激光器及其制备方法。基于双氧化孔的垂直腔面发射激光器包括有源层、P型DBR层和位于两者之间的氧化限制层，氧化限制层包括氧化层和大氧化孔层，P型DBR层上设有与大氧化孔层同轴且直径...
    2026-02-02
  • 激光设备和制造激光设备的方法
    激光设备和制造激光设备的方法_贰陆特拉华股份有限公司_202411763306.2
    本公开涉及激光设备和制造激光设备的方法。本公开描述了能够在高速应用中操作的光子‑光子共振光子晶体面发射激光器(PPR PCSEL)。该PPR PCSEL包括位于同一制造层的第一光子晶体部分和第二光子晶体部分。第一光子晶体部分能操作为竖直地耦...
    2026-02-02
  • 一种基于工序优化的SGDBR激光器光栅均匀性改善的方法
    一种基于工序优化的SGDBR激光器光栅均匀性改善的方法_河南仕佳光子科技股份有限公司_202511312283.8
    本发明提出了一种基于工序优化的SGDBR激光器光栅均匀性改善的方法，包括：在衬底上首次外延生长外延层得到光栅层；在光栅层上进行光栅图案的光刻，采用干法刻蚀完成光栅结构的刻蚀；在完成光栅刻蚀的衬底上进行二次外延，整片生长量子阱结构，直至达到预...
    2026-02-02
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