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最新专利技术
  • 一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积工艺及其结构
    一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积工艺及其结构_泉州师范学院_202511656948.7
    本发明提出一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积工艺及其结构，该工艺包括：在SiCN/SiCO复合低k介质层中刻蚀通孔，并经NH3等离子体活化以引入表面氮活性位点；采用原子层沉积技术在通孔内表面制备钴种子层，再以硫酸盐电解液体系施加脉冲电流，...
    2026-02-07
  • 改善晶圆应力破片的方法
    改善晶圆应力破片的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511200839.4
    本发明提供一种改善晶圆应力破片的方法，该方法包括：在形成有器件结构的半导体衬底上，先沉积一层具有拉伸应力的第一接触刻蚀停止层，再于其上沉积一层具有压缩应力的第二接触刻蚀停止层。本发明通过采用拉伸应力与压缩应力相结合的双层接触刻蚀停止层结构，...
    2026-02-07
  • 一种用于可拉伸电子系统层间电连接的构造方法
    一种用于可拉伸电子系统层间电连接的构造方法_西北工业大学_202511157284.X
    本发明公开了一种用于可拉伸电子系统层间电连接的构造方法，涉及柔性电子学技术领域。本发明主要针对三维可拉伸电子系统层间互连稳定性的问题，基于通孔的金属化工艺，提出了一种构造垂直互连通路的有效方案。通过机械打孔以及化学镀铜工艺在刚性岛区域形成高...
    2026-02-07
  • 一种半导体工艺方法
    一种半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511103889.0
    本发明提供一种半导体工艺方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：提供膜层结构；纵向刻蚀第一氧化硅膜层和第二氧化硅膜层，并横向刻蚀侧墙膜层部分厚度，偏置功率为脉冲模式；刻蚀碳膜层，并保留侧墙膜层；以侧墙膜层为掩膜，刻蚀氮氧化硅膜层。该方法在刻蚀...
    2026-02-07
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063035.4
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，该工艺旨在形成连接顶层铝金属线的可靠钨塞结构，以替代传统铝凸点连接。该工艺包括：在钝化层上沉积粘附层；刻蚀贯穿粘附层、钝化层及层间介质层的高深宽比通孔至铝线；沉积阻挡层；采用两次钨沉积和一次中间回刻步骤填...
    2026-02-07
  • 半导体的光退火方法
    半导体的光退火方法_创新电子股份有限公司_202410728392.7
    一种半导体的光退火方法，包括步骤：提供半导体，其中半导体具有第一表面及第二表面；形成接触金属层于半导体的第二表面；以及以高功率照射光源照射接触金属层，以使接触金属层中的多个扩散离子扩散至半导体，进而使接触金属层一侧的部分半导体形成接触金属扩...
    2026-02-07
  • 一种用于晶圆传输设备的晶圆支架装置及其使用方法
    一种用于晶圆传输设备的晶圆支架装置及其使用方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511659550.9
    本发明公开了一种用于晶圆传输设备的晶圆支架装置及其使用方法，其属于半导体制造技术领域，所述用于晶圆传输设备的晶圆支架装置包括基座，所述基座上表面开设有圆形的凹槽，所述凹槽的内壁上设有中心点关于凹槽圆心对称的第一支架和第二支架，所述第一支架和...
    2026-02-07
  • 一种半导体加工用自提式清洗设备
    一种半导体加工用自提式清洗设备_南通丞胜机电设备有限公司_202511316542.4
    本申请涉及清洗设备技术领域，公开了一种半导体加工用自提式清洗设备，用以解决部分被清理下的杂质被固定机构挡住，导致杂质堆积在固定机构与晶圆接触位置的问题。通过在清理过程中，解除对第二固定机构的限位，在离心力的作用下，离心块挤压伸缩囊Ⅰ，使伸缩...
    2026-02-07
  • 一种芯片顶出切换装置
    一种芯片顶出切换装置_上海世禹精密设备股份有限公司_202511268946.0
    本申请公开了一种芯片顶出切换装置，涉及芯片封装设备的技术领域，其包括基座；至少两个顶针，顶针包括针筒和顶芯，顶芯与针筒滑动配合；顶针支架，至少设有两个顶针载台，顶针载台用于放置顶针；活动支架，活动设置于基座，并固定设置有用于卡接针筒的顶针安...
    2026-02-07
  • 晶圆固定环之结构
    晶圆固定环之结构_禾铧实业有限公司_202511258539.1
    本发明为一种晶圆固定环之结构，其包含一基座、一固定环以及一盖件，该基座包含一研磨部、一固定部、一穿孔以及一凹槽，该研磨部设置于该固定部之一侧，该穿孔穿设该研磨部与该固定部，该凹槽环设于该研磨部之一上侧，多个排气槽相对该凹槽设置于该研磨部之一...
    2026-02-07
  • 一种用于手动定位和翻转芯片的工装
    一种用于手动定位和翻转芯片的工装_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511213971.9
    本发明公开了一种用于手动定位和翻转芯片的工装，基于本发明的手动定位和翻转芯片的工装，可以简单且高效地将芯片翻转到托盘中，不仅不会损伤芯片，而且极度方便，实践证明，本发明的工装尤其适用于特殊尺寸和形状的芯片的翻工艺上，从而对芯片垂直集成技术的...
    2026-02-07
  • 旋转轴及基板保持装置
    旋转轴及基板保持装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410759087.4
    本发明揭示了一种旋转轴及基板保持装置，该旋转轴包括中心转轴和配气环，其中，配气环同轴套设在中心转轴的外围，且配气环与中心转轴之间具有间隙；中心转轴的内部设置有通气管道，通气管道具有主管道和进气口，配气环设置有导气槽和供气口，供气口通过导气槽...
    2026-02-07
  • 吸盘、晶圆机械手臂及晶圆吸附工位
    吸盘、晶圆机械手臂及晶圆吸附工位_新毅东(北京)科技有限公司_202511666777.6
    本申请公开一种吸盘、晶圆机械手臂及晶圆吸附工位，涉及半导体设备技术领域。该吸盘包括固定盘、活动盘和盖体，固定盘内设置有贯通槽，沿贯通槽的轴向，贯通槽上间隔设置有限位凸台和第一连接孔，活动盘上间隔设置有触发凸台和第二连接孔，活动盘滑动设置于贯...
    2026-02-07
  • 一种多层复合陶瓷盘及其制备方法
    一种多层复合陶瓷盘及其制备方法_烟台睿瓷新材料技术有限公司_202511329978.7
    本申请提供一种多层复合陶瓷盘及其制备方法，将导热性能优异的氮化铝作为陶瓷盘的传热层，将更具成本效益以及力学性能、电性能表现更好的氧化铝作为陶瓷盘的吸附表面介质层，或者同时作为陶瓷盘的吸附表面介质层和基底层，氮化铝传热层夹持在吸附表面介质层与...
    2026-02-07
  • 适配凸型面的末端执行器、机械手及传送设备
    适配凸型面的末端执行器、机械手及传送设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202511324255.8
    本发明提供了一种适配凸型面的末端执行器、机械手及传送设备，所述适配凸型面的末端执行器，包括延伸件、吸附件以及若干密封件，吸附件包括吸附主体、辅热组件和若干吸附组件，所述吸附组件的材料为受热膨胀、降温收缩的记忆合金，所述辅热组件温度升高时，所...
    2026-02-07
  • 一种改善硅片中心浅坑的方法
    一种改善硅片中心浅坑的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511281414.0
    本发明公开了一种改善硅片中心浅坑的方法，涉及硅片抛光技术领域，包括以下步骤：S1：调整贴附吸头的上下位置，使硅片在减速加压阶段接触陶瓷板；S2：调整贴附真空吸力的大小，根据硅片厚度适配吸力值；S3：调整加压时间，减少硅片形变。本发明通过将贴...
    2026-02-07
  • 改善晶圆翘曲度的吸附方法、半导体设备
    改善晶圆翘曲度的吸附方法、半导体设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511273784.X
    一种改善晶圆翘曲度的吸附方法、半导体设备，提供的改善晶圆翘曲度的吸附方法中在基座开始移动前将工艺腔室抽至底压，能够降低工艺腔室内气体的密度，从而当基座后续移动时，可以有效减小气体流动对晶圆产生的扰动效应，使得基座能够以更高速度平稳运行，确保...
    2026-02-07
  • 晶片载放台
    晶片载放台_日本碍子株式会社_202511272786.7
    本发明提供一种晶片载放台，在不同高度的第一导电层及第二导电层经由导通部而导通的晶片载放台的基础上，使晶片的均热性变得良好。晶片载放台(10)构成为：在具有晶片载放面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，副RF电极(21)(第一导电层)和跳线层...
    2026-02-07
  • 一种氮化镓芯片自动拾取装置
    一种氮化镓芯片自动拾取装置_中科空间半导体科技(北京)有限公司_202511147254.0
    本发明涉及氮化镓芯片技术领域，具体地涉及一种氮化镓芯片自动拾取装置，包括导送机构，导送机构的内部前端固定安装有驱动电机，驱动电机的后端固定安装有丝杆，导送机构的底端内部放置有氮化镓芯片，导送机构包括支撑装置和对位部件，对位部件固定安装在支撑...
    2026-02-07
  • 静电吸盘以及基板固定装置
    静电吸盘以及基板固定装置_新光电气工业株式会社_202510766026.5
    本发明涉及提高了从吸附电极通过的配线的连接可靠性的静电吸盘以及基板固定装置。静电吸盘具有陶瓷板、吸附电极、接地电极以及配线。吸附电极内置于陶瓷板的一个面的下方。接地电极在陶瓷板内配置于陶瓷板的另一个面与吸附电极之间，能够与接地电位连接。配线...
    2026-02-07
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