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最新专利技术
  • 一种降低键合界面气泡或水泡的方法及产品
    一种降低键合界面气泡或水泡的方法及产品_河南省科学院物理研究所_202511044167.2
    本发明提出了一种降低键合界面气泡或水泡的方法及产品。所述方法包含以下步骤：步骤S1：提供半导体材料供体片和支撑片。所述支撑片包含第一介质层，在所述半导体材料供体片待键合至支撑片的一侧设置第二介质层。步骤S2：对所述第一介质层的表面进行研磨处...
    2026-02-07
  • 使用微波焊接的半导体器件及制作方法
    使用微波焊接的半导体器件及制作方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510529526.7
    本发明涉及使用微波焊接的半导体器件及制作方法。半导体器件具有半导体封装和被部署在半导体封装上的焊剂。焊球被部署在焊剂上。使用微波能量回流焊球。施加微波能量，直到焊剂的温度达到200至220℃之间。焊剂和焊球这两者都包括极化分子。衬底上没有极...
    2026-02-07
  • 一种具有选择性覆铜与芯片集成单元的封装结构及其制备方法
    一种具有选择性覆铜与芯片集成单元的封装结构及其制备方法_广州先艺电子科技有限公司_202511671076.1
    一种具有选择性覆铜与芯片集成单元的封装结构及其制备方法，涉及电子封装技术领域。其制备方法包括以下步骤：图案化陶瓷基板制备，在所述图案化陶瓷基板的第一金属化层表面和散热板表面分别贴装第一生坯层和第二生坯层；所述第一生坯层和第二生坯层为可固态扩...
    2026-02-07
  • 一种IGBT模块多层固化冷却防氧化氮气保护工艺方法
    一种IGBT模块多层固化冷却防氧化氮气保护工艺方法_西安龙昱半导体有限公司_202511330506.3
    本发明公开了一种IGBT模块多层固化冷却防氧化氮气保护工艺方法，通过构建高效的氮气保护系统，确保模块在转移和冷却过程中最大限度地减少与氧气的接触，有效防止氧化现象的发生；运用热应力仿真技术对冷却速率进行动态控制，避免因温度变化过快导致模块内...
    2026-02-07
  • 一种用于电源管理的叠层芯片的封装方法
    一种用于电源管理的叠层芯片的封装方法_湖南越摩先进半导体有限公司_202511252644.4
    本发明公开了一种用于电源管理的叠层芯片的封装方法，所述叠层芯片包括基板、设置在基板上表面的芯片、多个导电连接件和其他元器件，所述芯片和其他元器件均与基板电连接，在所述芯片的上方位置还设置有上层器件，所述上层器件通过多个导电连接件与基板电连接...
    2026-02-07
  • 返修装置和返修方法
    返修装置和返修方法_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202511679318.1
    本发明提供了一种返修装置和返修方法，涉及芯片返修技术领域，该返修装置包括固定机构、加热机构、烧结贴片机构和冷却机构，固定机构具有进气口和出气口；加热机构设置在固定机构上，并位于容纳腔室内；烧结贴片机构通过出气口伸入容纳腔室，并与出气口的边沿...
    2026-02-07
  • 一种元件内嵌式组装的混合集成方法及其结构
    一种元件内嵌式组装的混合集成方法及其结构_华东光电集成器件研究所_202511312176.5
    本发明提供一种元件内嵌式组装的混合集成方法及其结构，它包括第一陶瓷基板(1)和第二陶瓷基板(2)的制备，在第一陶瓷基板(1)上制备导带膜层(1b)和电阻膜层(1c)，将第一陶瓷基板(1)和第二陶瓷基板(2)组合成基板，在基板上安装电容(3)...
    2026-02-07
  • 带芯片基板的制造方法
    带芯片基板的制造方法_东京毅力科创株式会社_202511278398.X
    一种带芯片基板的制造方法，包括：将多个芯片与第一基板的一面通过分子间力进行接合；将与所述第一基板接合后的多个所述芯片同第二基板的与所述第一基板相向的面接合；以及在进行多个所述芯片与所述第一基板的接合之后且多个所述芯片与所述第二基板的接合之前...
    2026-02-07
  • 一种基于掺杂与非晶过渡层的异质晶圆键合方法及装置
    一种基于掺杂与非晶过渡层的异质晶圆键合方法及装置_中国科学院微电子研究所_202511164686.2
    本发明公开一种基于掺杂与非晶过渡层的异质晶圆键合方法及装置，涉及半导体制造技术领域，以解决现有技术中的键合工艺导致异质晶圆界面热导率低及漏电的问题。方法包括：提供具有不同热导率的第一晶圆和第二晶圆，首先对第一晶圆和第二晶圆进行表面清洗；然后...
    2026-02-07
  • 一种异质晶圆的键合方法及装置
    一种异质晶圆的键合方法及装置_中国科学院微电子研究所_202511164425.0
    本发明公开一种异质晶圆的键合方法及装置，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中的键合工艺导致键合界面热导率低的问题。方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆和第二晶圆具有不同的热导率；采用预设的掺杂工艺，在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆掺...
    2026-02-07
  • 一种功率基板制造方法、功率基板及功率模块
    一种功率基板制造方法、功率基板及功率模块_重庆云潼科技有限公司_202511283770.6
    本申请提供了一种功率基板制造方法、功率基板及功率模块，方法包括：对第一冲裁金属钣金依次进行碱洗、酸洗、氧化及粗糙化处理，形成散热底板；对第二冲裁金属钣金依次进行清洗和钝化处理，形成电气金属层；将散热底板、给定绝缘层和电气金属层层叠设置后置于...
    2026-02-07
  • 一种金属封装外壳的快速装架方法及装架模具
    一种金属封装外壳的快速装架方法及装架模具_合肥圣达电子科技实业有限公司_202511257491.2
    本发明属于金属封装外壳技术领域，尤其是一种金属封装外壳的快速装架方法及装架模具。本发明包括用于组装预烧组件的装架辅助模具、用于承载预烧组件进行烧结工艺的烧结模具以及用于承载封装外壳进行封接工艺的封接模具；装架辅助模具上开设有与预烧组件相适配...
    2026-02-07
  • 处理填孔凹陷的工艺方法
    处理填孔凹陷的工艺方法_湖北通格微电路科技有限公司_202511173363.X
    本申请涉及处理填孔凹陷的工艺方法，提供具有第一表面和第二表面的玻璃基板；在所述玻璃基板内部形成贯穿所述第一表面和所述第二表面的通孔；在所述通孔内填充金属，形成第一导电部；直接在所述第一表面上压合异方性导电胶以形成第一异方性导电胶层，其中，所...
    2026-02-07
  • 用于制造功率模块的框架的方法、框架和功率模块
    用于制造功率模块的框架的方法、框架和功率模块_赛米控丹佛斯有限责任公司_202510680926.8
    用于制造功率模块的框架的方法、框架和功率模块，本发明涉及一种形成功率模块的方法，其中电流传感器至少部分地集成在所述功率模块的框架的模制品中。本发明还涉及一种对应的功率模块。
    2026-02-07
  • 一种气相离子交换对二维材料进行掺杂的方法
    一种气相离子交换对二维材料进行掺杂的方法_上海交通大学_202511273692.1
    本发明涉及一种气相离子交换对二维材料进行掺杂的方法，所述方法包括如下步骤：采用离子交换反应，将带有二维材料的衬底置于离子交换气氛中并利用光刻胶保护不需要进行掺杂的区域，所述离子交换气氛包括金属离子，离子交换气氛内的金属离子被二维材料吸附，并...
    2026-02-07
  • 多组件电注入装置及光伏组件制备系统
    多组件电注入装置及光伏组件制备系统_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202410656368.7
    本发明实施例公开了一种多组件电注入装置及光伏组件制备系统。所述多组件电注入装置包括：承载台，配置为接收经层压工艺处理后的光伏组件，且具有至少两个光伏组件放置位置，所述承载台接收到的光伏组件的温度范围为80℃‑160℃；至少两个电注入模块，每...
    2026-02-07
  • 提高高压器件衬底可靠性的方法
    提高高压器件衬底可靠性的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511141536.X
    本发明公开了一种提高高压器件衬底可靠性的方法，包括以下步骤：S1，执行沟槽刻蚀；S2，旋涂对工艺无影响具有流动性的材料形成阻挡层，露出针尖状缺陷上半部；S3，执行各向同性刻蚀，去除部分针尖状缺陷，使针尖状缺陷剩余高度小于等于当前工艺可容忍的...
    2026-02-07
  • 一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法
    一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666075.8
    本申请公开了一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法，包括：提供材料为硅的衬底；在衬底的表面上形成多个光刻胶图形，相邻两个光刻胶图形之间具有开口；在第一超低温下，使用第一气体的等离子体，对位于开口的内底角处的衬底的界面进行轰击，形成第一保护膜...
    2026-02-07
  • 一种硅空腔的制造方法及半导体结构
    一种硅空腔的制造方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666073.9
    本申请公开了一种硅空腔的制造方法及半导体结构，包括：在硅衬底的表面上形成网格状的有机物掩膜；在小于‑10℃下，执行刻蚀工艺，对露出的硅衬底表面进行刻蚀，形成硅空腔；刻蚀工艺包括依次按沉积步骤、刻蚀步骤形成的多个周期性循环步骤；沉积步骤使用C...
    2026-02-07
  • 一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构
    一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666072.4
    本申请公开了一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构，包括在硅衬底的第一表面上形成硅空腔；执行周期性循环的刻蚀工艺，在小于‑15℃下，在硅空腔的底面上形成贯通硅衬底的高深宽比硅穿孔结构；刻蚀工艺使用SF6和O2作为沉积气体；刻蚀工艺包...
    2026-02-07
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