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最新专利技术
  • 一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构
    一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666072.4
    本申请公开了一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构，包括在硅衬底的第一表面上形成硅空腔；执行周期性循环的刻蚀工艺，在小于‑15℃下，在硅空腔的底面上形成贯通硅衬底的高深宽比硅穿孔结构；刻蚀工艺使用SF6和O2作为沉积气体；刻蚀工艺包...
    2026-02-08
  • 一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法
    一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666070.5
    本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；在‑15℃以下，先执行沉积步骤，使用SF6和O2，在硅衬底和光刻胶图形上沉积聚合物层进行保护，然后执行刻蚀步骤，使用F2和NF3，对聚合物层和硅衬底进行...
    2026-02-08
  • 一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构
    一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666069.2
    本申请公开了一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；执行刻蚀工艺的沉积步骤，在‑30℃以下的第一温度下，使用包括CH4、CHF3和H2的第一气体，在硅衬底和光刻胶图形上沉积a‑C : H : F交...
    2026-02-08
  • 一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法
    一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666067.3
    本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法，包括：在第一温度下执行刻蚀工艺，对在相邻的有机物掩膜之间露出的衬底的表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括依次按沉积步骤、刻蚀步骤形成的多个周期性循环步骤，沉积步骤使用第一气体作为沉积...
    2026-02-08
  • 一种芯片TSV深孔及其制备方法
    一种芯片TSV深孔及其制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511414306.6
    本发明公开一种芯片TSV深孔及其制备方法，该方法在硅基底的表面沉积硬掩模，并在硬掩模上涂布光刻胶，经曝光显影后形成目标孔位，刻蚀目标孔位暴露的硬掩模，在硬掩模上形成孔结构；在暴露的孔结构中沉积聚合物层；刻蚀所述聚合物层，暴露孔结构的底面；对...
    2026-02-08
  • 基于远程等离子源的半导体刻蚀均匀性控制系统
    基于远程等离子源的半导体刻蚀均匀性控制系统_江苏神州半导体科技有限公司_202511243650.3
    本发明涉及半导体刻蚀技术领域，公开了基于远程等离子源的半导体刻蚀均匀性控制系统。该系统包括多源数据采集处理模块，用于收集并预处理远程等离子源刻蚀过程的多源传感器数据；历史刻蚀数据索引模块，根据当前刻蚀目标参数索引历史刻蚀数据；刻蚀条件归类模...
    2026-02-08
  • 一种基于工艺优化的硅片TTV控制方法
    一种基于工艺优化的硅片TTV控制方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511312094.0
    本发明公开了一种基于工艺优化的硅片TTV控制方法，具体涉及半导体技术领域，包括：S1：采用无金属污染的碱腐蚀工艺；S2：引入单面研削工序；S3：通过万分表实时检测硅片抛光过程中的区域厚度差；S4：收集S1‑S3的工艺参数、设备状态及硅片TT...
    2026-02-08
  • 一种键合用高面形精度碳化硅衬底的抛光方法
    一种键合用高面形精度碳化硅衬底的抛光方法_江苏师范大学_202511262581.0
    本发明公开了一种键合用高面形精度碳化硅衬底的抛光方法，包括以下步骤：步骤一：以树脂铜盘作为抛光盘，采用不同粒径金刚石抛光液对碳化硅衬底进行金刚石机械抛光(DMP)，获得具有高面形精度的中间衬底；步骤二：以沥青盘作为抛光盘，采用含有氧化剂的抛...
    2026-02-08
  • 晶圆处理结构以及晶圆的处理方法
    晶圆处理结构以及晶圆的处理方法_江阴长电先进封装有限公司_202511273137.9
    一种晶圆处理结构以及晶圆的处理方法，在晶圆的处理方法中，首先在晶圆的边缘区内形成环形槽，之后在环形槽底部去除部分晶圆材料形成应力释放槽，最后对器件区的晶圆进行半切处理形成划片槽。应力释放槽作为预先设定的应力薄弱点，在后续进行半切处理形成划片...
    2026-02-08
  • 一种电池片的制备方法及光伏组件
    一种电池片的制备方法及光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511134943.8
    本发明实施例涉及光伏领域，公开了一种电池片的制备方法及光伏组件，其中，方法包括：提供基底，将所述基底置入扩散炉管内，将所述扩散炉管内的温度由预热的第一温度升温至第二温度，在所述第二温度下对所述基底表面进行预氧化处理；将所述扩散炉管内的温度保...
    2026-02-08
  • 晶圆上形成厚光刻胶层的制作方法
    晶圆上形成厚光刻胶层的制作方法_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202511206613.5
    本发明公开了一种晶圆上形成厚光刻胶层的制作方法，包括：步骤1，提供一个具有成膜槽的第一模具，所述成膜槽的一端具有开口并与所述晶圆上的待涂胶区域形状大小匹配；步骤2，在所述成膜槽的槽底和槽壁上喷涂光刻胶溶剂，以形成光刻胶溶剂层；步骤3，通过晶...
    2026-02-08
  • 半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法
    半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511648328.9
    本发明公开了一种半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法，属于半导体技术领域，该方法包括：提供一半导体器件，半导体器件包括硅衬底，硅衬底上层叠有多层半导体结构，在多层半导体结构中，表面层为二氧化硅材质，表面层的外表面存在需要清洗的残留物；采用等...
    2026-02-08
  • 一种去除碱洗后硅片片盒印的方法
    一种去除碱洗后硅片片盒印的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511312086.6
    本发明公开了一种去除碱洗后硅片片盒印的方法，涉及半导体技术领域，一种去除碱洗后硅片片盒印的方法包括以下步骤：步骤一：硅片预处理；步骤二：优化碱洗净；步骤三：后处理与质量验证。本发明通过优化碱洗净环节，在碱洗净一槽中采用2％～5％浓度的TMA...
    2026-02-08
  • 一种硅片的二氧化硅膜的去边工艺
    一种硅片的二氧化硅膜的去边工艺_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511312085.1
    本发明公开了一种硅片的二氧化硅膜的去边工艺，涉及CVD工段技术领域，包括以下步骤，步骤一：安置硅片；步骤二：硅片校准；步骤三：密封隔离；步骤四：通入HF气体；步骤五：排泄废气；步骤六：取下硅片，所述步骤三包括：采用特殊的加工设备，使得硅片安...
    2026-02-08
  • 一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法
    一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法_江苏大学_202511289818.4
    本发明提出一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法。提出在SiC衬底上实现NiO薄膜高质量室温外延生长的技术路径，提供一种可在室温条件下实现NiO在SiC衬底上高结晶质量、界面良好的异质外延生长方法，以填补该领域的技术...
    2026-02-08
  • 一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法
    一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511281416.X
    本发明公开了一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法，涉及半导体制造技术领域，一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法基于对TMC设备中石英钉结构的改造实施，改造包括将TMC设备原有大面积平面接触面的石英钉，替换为接触端呈圆锥状的改进型石英钉；圆锥...
    2026-02-08
  • 一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法
    一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511281403.2
    本发明公开了一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法，具体涉及硅片表面清洗技术领域，包括以下步骤：S1：对硅片进行预处理清洗，S2：对硅片进行清洗，S3：采用纯水对经S2清洗后的硅片进行中间清洗，S4：对经S3清洗后的硅片进行清洗，S5：...
    2026-02-08
  • 3C-SiC晶圆及其制备方法与应用
    3C-SiC晶圆及其制备方法与应用_甬江实验室_202511279021.6
    本申请提供了一种3C‑SiC晶圆及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：对硅衬底依次进行刻蚀和碳化处理；在碳化处理后的硅衬底表面生长硅锗缓冲层，再依次生长3C‑SiC缓冲层和多晶3C‑SiC层，最后去除硅衬底和硅锗缓冲层，并进行后处理...
    2026-02-08
  • 一种晶圆清洗方法及清洗装置
    一种晶圆清洗方法及清洗装置_嘉兴傲威半导体有限公司_202511165622.4
    本发明涉及半导体加工制造技术领域，更具体地说，它涉及一种晶圆清洗方法及清洗装置，包括S1、将待清洗的晶圆通过晶圆固定机构进行定位固定，确保晶圆在清洗过程中能够稳定旋转，S2、控制电动滑台，带动毛刷辊下移至晶圆上表面，S3、打开清洗液喷淋头，...
    2026-02-08
  • 稀土元素改性的高抗辐照高力学性能高减反射SiO2薄膜的制备方法
    稀土元素改性的高抗辐照高力学性能高减反射SiO2薄膜的制备方法_天津工业大学_202410728770.1
    本发明公开了一种稀土改性的高抗辐照、高力学性能、高减反射SiO2薄膜的制备方法。以聚乙二醇为致孔剂、硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷为前驱体、无水乙醇为溶剂、硝酸为催化剂，稀土元素为抗辐照剂。制备好的SiO2溶胶涂敷在玻璃上，溶胶经干燥成为凝胶...
    2026-02-08
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