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最新专利技术
  • 一种偏振傅里叶3D全息图计算方法
    一种偏振傅里叶3D全息图计算方法_北京航空航天大学_202511384626.1
    本发明提出一种偏振傅里叶3D全息图计算方法，该方法包括以下四个步骤：第一步，将3D物体分为左旋圆偏振态对应的3D物体I和右旋圆偏振态对应的3D物体II，引入相位差来表征偏振状态；第二步，叠加随机相位，得到物平面初始复振幅分布，并基于分数阶傅...
    2026-04-13
  • 一种基于离轴数字全息术的水下主动偏振成像方法
    一种基于离轴数字全息术的水下主动偏振成像方法_哈尔滨理工大学_202511306651.8
    本发明公开了一种基于离轴数字全息术的水下主动偏振成像方法，涉及计算光学成像领域。其技术方案为：基于离轴数字全息术，利用主动偏振相干光源的特性，通过参考光与物光的干涉，分别记录(0°和90°)的正交偏振全息图，经傅里叶变换将+1级频谱中心位移...
    2026-04-13
  • 基于超高均匀平顶光束的高保真超表面全息显示方法
    基于超高均匀平顶光束的高保真超表面全息显示方法_北京航空航天大学_202511406785.7
    基于超高均匀平顶光束的高保真超表面全息显示方法，能够提升超表面全息图像的保真度，减少边缘噪声，实现高质量的超表面全息显示，可应用于增强现实、虚拟现实、激光加工领域，其特征在于，包括步骤1，利用数字微镜器件接收来自激光光源生成的高斯光；步骤2...
    2026-04-13
  • 图像形成装置
    图像形成装置_佳能株式会社_202510740972.2
    本公开提供了一种图像形成装置，其包括：第二管道单元，所述第二管道单元包括吸入定影单元与转印单元之间的空气的第二进气口、将从第二进气口吸入的空气向外部排出的第二排气口、以及在第二进气口与第二排气口之间形成第二通气通路的第二管道；第二管道风扇，...
    2026-04-13
  • 一种提升硒鼓粉末均匀性的方法与系统
    一种提升硒鼓粉末均匀性的方法与系统_珠海大地慧电子科技有限公司_202511658853.9
    本发明涉及硒鼓粉末的检测技术领域，公开了一种提升硒鼓粉末均匀性的方法与系统，对粉末流动进行连续采样，获取实时重量分布矩阵。当检测到流动异常时消除噪声，并将处理后的数据输入模糊PID控制器，动态调节给料参数。同时本发明结合振动频率调制技术促进...
    2026-04-13
  • 激光打印机的碳粉输送机构
    激光打印机的碳粉输送机构_恒科科技产业有限公司_202511519705.9
    本发明公开激光打印机的碳粉输送机构，属于输送机构技术领域，包括：输送机构、过滤组件和拆卸组件；输送机构安装在激光打印机本体上，用于对碳粉进行输送；过滤组件连通在输送机构上，用于对碳粉进行过滤，内部安装有过滤网；拆卸组件安装在过滤组件上，用于...
    2026-04-13
  • 端部密封件、显影盒和处理盒
    端部密封件、显影盒和处理盒_中山市德源影像科技有限公司_202511498966.7
    本发明提供一种端部密封件、具有该端部密封件的显影盒以及具有该显影盒的处理盒，端部密封件固定设置于安装有显影辊的显影壳体，端部密封件用于对显影辊与显影壳体之间进行密封，端部密封件具有相交的长度方向、宽度方向和厚度方向，长度方向的尺寸最大，宽度...
    2026-04-13
  • 成像设备
    成像设备_佳能株式会社_202510740982.6
    一种成像设备包括：主体；第一感光部件，所述第一感光部件布置在所述主体的内部，并且被配置成承载第一调色剂图像；第一曝光单元，所述第一曝光单元布置在所述主体的内部，并且被配置成用光对所述第一感光部件进行曝光；控制器，所述控制器被配置成传输用于控...
    2026-04-13
  • 成像设备
    成像设备_佳能株式会社_202510740964.8
    一种成像设备，包括：具有第一表面和第二表面的主体；第一感光构件，所述第一感光构件布置在主体的内部并且配置成承载第一调色剂图像；第一曝光部分，所述第一曝光部分布置在主体的内部并且配置成用光对第一感光构件进行曝光；第二感光构件，所述第二感光构件...
    2026-04-13
  • 一种激光打印机
    一种激光打印机_联想图像(山东)科技有限公司_202410749114.X
    本申请公开了一种激光打印机，属于激光打印领域，包括充电装置、感光鼓、激光装置、粉盒、转印装置、定影装置以及清洁装置。其中，充电装置的充电电压为标准电压的1/n，这样充电装置为感光鼓充电时，感光鼓上带电电压为以前的1/n，若再使用传统的碳粉，...
    2026-04-13
  • 一种低COD低氨氮剥膜液及其制备方法
    一种低COD低氨氮剥膜液及其制备方法_深圳市天熙科技开发有限公司_202511559166.1
    本发明涉及剥膜技术领域，具体涉及一种低COD低氨氮剥膜液及其制备方法。所述低COD低氨氮剥膜液，其特征在于，由以下质量百分数原料组成：15‑30wt%脱膜剂、15‑28wt%复合碱、5‑10wt%渗透型复合助剂、0.5‑2wt%十二烷基二苯...
    2026-04-13
  • 用于光刻材料在不同设备上运输的标准SMIF设备
    用于光刻材料在不同设备上运输的标准SMIF设备_北京锐洁机器人科技有限公司_202511678687.9
    本发明提供一种用于光刻材料在不同设备上运输的标准SMIF设备，包括：背板，其上设有取料口；升降模组，设置在背板的侧面上；盒盖支撑平台，设置在背板的侧面，与升降模组连接，沿背板升降设置；盒盖支撑平台的中部设有上料口；盒体支撑平台，设置在上料口...
    2026-04-13
  • 一种N+1束激光干涉光刻系统
    一种N+1束激光干涉光刻系统_长春理工大学_202511677896.1
    本申请提供了一种N+1束激光干涉光刻系统，包括：光源模块，利用电控时钟阀门装置控制激光器发射的激光束的曝光剂量，并控制其以45°入射至旋转分光模块；旋转分光模块，对激光束进行分振幅分光，得到能量相近的N+1束相干光束，并调制N束边缘相干光束...
    2026-04-13
  • 晶圆曝光系统及其补偿方法
    晶圆曝光系统及其补偿方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511666454.7
    本申请公开了一种晶圆曝光系统及其补偿方法，补偿方法包括：采用晶圆曝光系统进行曝光预处理；获取曝光预处理过程中透镜的第一补偿值；获取曝光预处理过程中的掩膜误差值；根据掩膜误差值获取透镜的第二补偿值；根据第一补偿值和第二补偿值产生第三补偿值。本...
    2026-04-13
  • 曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备
    曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649076.1
    本申请涉及一种曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备，包括：获取锚图形的光强分布曲线，以及锚图形在目标曝光剂量下的目标关键尺寸；目标曝光剂量为标准曝光剂量范围的上限值或者下限值；根据目标关键尺寸和光强分布曲线，确定目标光强度阈值；对初始版...
    2026-04-13
  • 基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法、设备和存储介质
    基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法、设备和存储介质_上海大学_202511626497.2
    本申请公开了一种基于AI优化的Micro‑LED无掩膜数字光刻方法、设备和存储介质，涉及光刻领域，该方法包括获取目标光刻性能参数和双向神经网络，双向神经网络包括正向网络和反向网络，正向网络被训练为能够根据光刻工艺参数预测对应的光刻性能参数，...
    2026-04-13
  • 优化芯片光刻工艺窗口的方法
    优化芯片光刻工艺窗口的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511577214.X
    本发明公开了一种优化芯片光刻工艺窗口的方法，包括：提供定义出位于主图形外侧的亚分辨率辅助图形设置区域图形的第一掩模版。在底层结构上形成硬质掩膜层。采用第一掩模版进行第一次光刻加第一次刻蚀以对硬质掩膜层进行图形化。提供定义出主图形和亚分辨率辅...
    2026-04-13
  • 光刻工艺中曝光能量的预测方法
    光刻工艺中曝光能量的预测方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534854.2
    本发明提供一种光刻工艺中曝光能量的预测方法，通过建立光刻制程中相应的光刻胶层涂覆/软烘步骤结束后到下一步骤开始之间的等待时长Q‑Time与PR光刻胶层关键尺寸CD之间的关系模型，然后将相应的光刻胶层超过安全Q‑Time时对应呈单调变化的PR...
    2026-04-13
  • 将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略
    将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略_科磊股份有限公司_202511422236.9
    本申请涉及将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略。提供具有用于测量至少两个叠对方向上的叠对的多个周期性结构的目标。在第一方向上横跨该目标的多个扫描刈并且相对于该目标以第一倾斜角扫描带电粒子束，使得以一定角度扫描该周期性结构...
    2026-04-13
  • 超分辨双重图形加工方法
    超分辨双重图形加工方法_中国科学院光电技术研究所_202511400771.4
    本公开提供一种超分辨双重图形加工方法，包括：在衬底上形成层叠的停止层、牺牲层、感光膜层和成像增强层；对准掩模与衬底，对感光膜层进行曝光，显影后形成光栅图形；在光栅图形线条的两侧沉积抗刻蚀层，刻蚀线条缝隙中的抗刻蚀层和感光膜层，形成线宽修饰后...
    2026-04-13
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