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最新专利技术
  • 一种高精度触发电路
    一种高精度触发电路_成都玖锦科技有限公司_202511141979.9
    本申请揭示了一种高精度触发电路，包括：低阻抗输入保护电路、低阻衰减网络、高阻衰减网络、低阻分频调理及限幅电路和高阻分频调理及限幅电路，其中，低阻抗输入保护电路用于实时监测低阻抗输入信号电压并在超限时通过钳位与切换机制保护后级电路；低阻衰减网...
    2026-01-14
  • 阻抗匹配方法、电路及射频设备
    阻抗匹配方法、电路及射频设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511101411.4
    本发明公开了一种阻抗匹配方法、电路及射频设备，其中，方法包括：获取射频设备在设定条件下的实测反射功率值；在所述实测反射功率值不符合预设条件的情况下，根据所述射频设备的电压信号和电流信号，在所述射频设备的射频匹配器的预设初始阻抗值的基础上，调...
    2026-01-14
  • 宽频响的心电滤波电路
    宽频响的心电滤波电路_无锡市中健科仪有限公司_202511405485.7
    本申请提供的宽频响的心电滤波电路，通过信号稳定模块设置ESD静电保护电路、一级信号低通电路和反向电压跟随器电路，通过ESD静电保护电路防止外部静电引入电路，通过一级信号低通电路和反向电压跟随器电路对信号进行稳定，确保后续电路可以针对稳定信号...
    2026-01-14
  • 一种声表面波滤波器
    一种声表面波滤波器_天通瑞宏科技有限公司_202511640376.3
    本发明公开了一种声表面波滤波器。包括：压电层；设置于所述压电层一侧的多个谐振器；设置于相邻的两个所述谐振器之间的衰减结构，所述衰减结构至少包括弹性波衰减材料层，所述弹性波衰减材料层的弹性模量E1满足：E1≤10GPa。本发明通过设置位于相邻...
    2026-01-14
  • 谐振器滤波器结构、制备方法及滤波器
    谐振器滤波器结构、制备方法及滤波器_诺思(天津)微系统有限责任公司_202511465498.3
    本发明涉及电路技术领域，具体涉及一种谐振器滤波器结构、制备方法及滤波器。谐振器滤波器结构，包括衬底和集成在所述衬底一侧的电路结构；所述衬底包括谐振器区域和电容区域；所述谐振器区域设置有谐振器电路结构，所述电容区域设置有电容结构；所述谐振器电...
    2026-01-14
  • 低温共烧陶瓷滤波器
    低温共烧陶瓷滤波器_深圳振华富电子有限公司_202511247856.3
    本申请提供了一种低温共烧陶瓷滤波器，包括陶瓷基体、滤波结构、输入电极、输出电极以及接地电极。滤波结构通过低温共烧工艺嵌入陶瓷基体内部；输入电极的一端与滤波结构的输入端实现电气连接，另一端延伸至陶瓷基体外表面形成外部可焊端；输出电极的一端与滤...
    2026-01-14
  • SAW谐振器、滤波器及电子设备
    SAW谐振器、滤波器及电子设备_江苏卓胜微电子股份有限公司_202511249191.X
    本申请涉及一种SAW谐振器、滤波器及电子设备。该SAW谐振器包括叉指换能器。叉指换能器包括多个电极指。多个电极指在第一方向上间隔排布，任意相邻两个电极指的极性不同且在第二方向上交错分布，第二方向与第一方向相交。至少部分电极指中设置有间隙，间...
    2026-01-14
  • 一种声表面波器件结构及装置
    一种声表面波器件结构及装置_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202511140011.4
    本申请提供了一种声表面波器件结构及装置，包括衬底、形成于衬底100上的压电层，以及形成于压电层表面的IDT电极。压电层被刻蚀为表面存在高度差的第一表面和第二表面，IDT电极的电极指沿第二方向延伸并部分覆盖第一表面。通过调控第一表面与第二表面...
    2026-01-14
  • 振荡器母片、振荡组件及其制作方法
    振荡器母片、振荡组件及其制作方法_安碁科技股份有限公司_202510603720.5
    一种振荡器母片、振荡组件及其制作方法，所述振荡器母片包括框架、多个振荡组件，及多个连接部。所述框架包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排列的多条连接框线。特别的是，每一个所述振荡组件是通过自所述振荡组件延伸的至少一个连接部而与相应的连接框线连...
    2026-01-14
  • 弹性波装置及射频前端模组
    弹性波装置及射频前端模组_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511427367.6
    本申请公开了一种弹性波装置和射频前端模组，其中，弹性波装置中电极指的指条区域宽度包括电极指宽度以及电极指两侧间隙的部分，优化相邻的两个区域中位于区域边界的电极指的指条区域宽度和占空比，并在此基础上，将弹性波装置的叉指电极划分为至少两个区域，...
    2026-01-14
  • 一种谐振器
    一种谐振器_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511313223.8
    本发明提供了一种谐振器，包括：衬底；谐振组件，谐振组件设置于衬底，谐振组件包括上电极、压电层和下电极，上电极和下电极设置于压电层的两侧；上电极21、压电层22和下电极23的重叠区域形成谐振区域；边界环，边界环围绕谐振区域的边缘设置于上电极远...
    2026-01-14
  • 提升Q值的体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法
    提升Q值的体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511201624.4
    本发明提供了一种提升Q值的体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法，涉及体声波谐振器技术领域。包括沿纵向依次层叠的衬底、底电极、压电层和顶电极，衬底和底电极之间设置有空腔，压电层横向方向的两侧边缘与顶电极之间均设置有单凸起的框架结构，框架结...
    2026-01-14
  • 体声波谐振器及其制备方法、滤波器
    体声波谐振器及其制备方法、滤波器_福建晶旭半导体科技有限公司_202510978007.9
    本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器，涉及半导体射频器件领域。其中，体声波谐振器包括衬底，依次层叠于衬底上的下电极、压电层和上电极；衬底设有形成声学镜的空腔；所述压电层的至少一侧设有暴露所述下电极的阻断间隙，所述阻断间隙具有相对...
    2026-01-14
  • 一种基于多电极结构的横向激励体声波谐振器
    一种基于多电极结构的横向激励体声波谐振器_上海大学_202511221976.6
    本发明涉及一种基于多电极结构的横向激励体声波谐振器，属于微机电技术领域，包括：衬底；温度补偿层，形成在所述衬底上；压电层，形成在所述温度补偿层上；多电极阵列，形成在所述压电层上，用于消除杂散模态；空腔，形成在所述衬底中，所述温度补偿层处在所...
    2026-01-14
  • 一种基于SABAR和IPD的纵向集成器件及滤波器
    一种基于SABAR和IPD的纵向集成器件及滤波器_广州市艾佛光通科技有限公司_202511201617.4
    本发明公开了一种基于SABAR和IPD的纵向集成器件及滤波器，属于滤波器技术领域，包括SABAR芯片和IPD芯片，SABAR芯片和IPD芯片在纵向方向上利用WLP键合方法通过键合连接构成集成体，集成体内设置有利用TSV加工方法加工的导电通道...
    2026-01-14
  • 采样信号电路的回采电流信号的滤波处理方法、设备及介质
    采样信号电路的回采电流信号的滤波处理方法、设备及介质_卓品智能科技无锡股份有限公司_202511273249.4
    本申请公开了一种采样信号电路的回采电流信号的滤波处理方法、设备及介质，涉及电流滤波处理技术领域，该方法包括：以触发周期为公差的等差数列的延时间隔，对回采电流信号进行以第一预设数量为采样数量的采样操作，并对每次的采样结果进行平均处理，得到每次...
    2026-01-14
  • 滤波器的形成方法
    滤波器的形成方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511657894.6
    一种滤波器的形成方法，包括：在边缘区中形成遮盖初始电极指的第一掩膜之后，去除第一掩膜层侧部的初始叉指电极的部分厚度，形成汇流区的汇流条、以及中心区和边缘区的电极指，并在第一掩膜层和边缘区的电极指相交处形成位于电极指顶部的活塞结构；由于第一掩...
    2026-01-14
  • 一种薄膜体声波谐振器的封装方法和薄膜体声波谐振器
    一种薄膜体声波谐振器的封装方法和薄膜体声波谐振器_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511414749.5
    本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的封装方法和薄膜体声波谐振器，其中，封装方法包括：提供谐振腔主体结构，谐振腔主体结构包括衬底以及形成在衬底上的压电叠层结构，衬底和压电叠层结构之间形成有第一空腔；在第一空腔区域外设置接合层于压电叠层结构远离衬...
    2026-01-14
  • 时钟芯片封装结构及制作方法
    时钟芯片封装结构及制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510964154.0
    本公开提供一种时钟芯片封装结构及制作方法。具体地，通过将石英晶振模块和集成电路芯片绑定形成封装体，再将封装体嵌埋于基板的内部，不仅有助于减少外部电磁干扰对时钟信号的影响，提升稳定性，而且有助于提升产品的集成度，降低产品最终的厚度，促进最终电...
    2026-01-14
  • 一种多模宽带微波功率放大器电路
    一种多模宽带微波功率放大器电路_电子科技大学_202511226167.4
    本发明属于微波集成电路技术领域，具体涉及一种多模宽带微波功率放大器电路, 包括宽带输入匹配电路、可重构级间匹配电路、可重构输出匹配网络、第一级晶体管T1和第二级晶体管组；通过可重构级间匹配电路配合可重构输出匹配网络的设置，一方面实现了宽带与...
    2026-01-14
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