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最新专利技术
  • 用于具有键合结构的LED的系统和方法
    用于具有键合结构的LED的系统和方法_上海显耀显示科技有限公司_202511021705.6
    一种微显示芯片包括多个微LED构成的微LED阵列。其中至少一个微LED包括具有电路的基板和底部金属层。所述底部金属层位于基板上方并与所述电路电接触。微LED还包括位于底部金属层上的发光层，和覆盖所述发光层侧壁的绝缘层。所述绝缘层中具有一开口...
    2025-12-27
  • 显示装置及发光构件
    显示装置及发光构件_武汉华星光电技术有限公司_202511141770.2
    本申请提供了一种显示装置及发光构件。该显示装置包括一个驱动背板以及多个发光构件，每个发光构件包括至少一个第一发光器件和至少一个第二发光器件。第一发光器件包括一个第一子发光器件和一个第二子发光器件，第二子发光器件设置在第一子发光器件上，第一子...
    2025-12-27
  • 一种全彩Nano-LED阵列
    一种全彩Nano-LED阵列_中国科学院半导体研究所_202410699293.0
    本发明提供一种全彩Nano‑LED阵列，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次叠置N型氮化镓层与介质层；纳米线，每一纳米线生长于介质层预留的纳米圆孔上；透明电绝缘层，填充于多个纳米线之间；P电极，每一P电极均对应设置于每一纳米线上；第一扫描线...
    2025-12-27
  • 一种基于主动混光微结构的大功率复合LED光源模组
    一种基于主动混光微结构的大功率复合LED光源模组_广州市晶鑫光电科技有限公司_202511292991.X
    本发明公开了一种基于主动混光微结构的大功率复合LED光源模组，涉及半导体照明技术领域。LED光源模组包括基板、设置在基板上的LED阵列、覆盖于LED阵列上的荧光粉层以及在荧光粉层上方集成一层主动混光微结构光学层。本发明通过主动混光微结构光学...
    2025-12-27
  • 一种零OD高亮Mini-LED背光模组
    一种零OD高亮Mini-LED背光模组_广州欧讯光电有限公司_202511132433.7
    本发明涉及半导体显示技术领域，具体涉及一种零OD高亮Mini‑LED背光模组，包括：灯板基板；多个Mini‑COB芯片，通过锡膏焊接在所述灯板基板的焊盘上；光线反射结构，设置于所述灯板基板表面且位于相邻Mini‑COB芯片之间的间隙区域；平...
    2025-12-27
  • 发光装置和发光面板
    发光装置和发光面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202510967217.8
    本公开提供了一种发光装置和发光面板。发光装置包括：外延结构、第一钝化层、第一金属反射层、第二钝化层和第二金属反射层；外延结构包括多个第一隔离槽、多个第二隔离槽和多个凹槽，第一隔离槽和第二隔离槽交叉设置，外延结构被第一隔离槽和第二隔离槽分割成...
    2025-12-27
  • 芯片转移方法和显示面板
    芯片转移方法和显示面板_惠科股份有限公司_202511612923.7
    本申请涉及显示领域，具体公开了一种芯片转移方法和显示面板，所述芯片转移方法，包括步骤：提供至少一个第一基板，在至少一个所述第一基板上形成外延层；对所述外延层进行第一次切割以形成预设图案；提供一第二基板，在所述第二基板上制备多个第一电极；将所...
    2025-12-27
  • 基于活字磁针的流磁巨量转移补转移机构及补转移方法
    基于活字磁针的流磁巨量转移补转移机构及补转移方法_福州水影流芯科技有限公司_202511245010.6
    本发明公开一种基于活字磁针的流磁巨量转移补转移机构及补转移方法，包括活字磁针基板(1)，活字磁针基板(1)的上表面可拆卸连接有多个活字磁针(2)，活字磁针基板(1)正上方水平设置有待补转的玻璃基板(3)，且各活字磁针(2)的轴向与待补转的玻...
    2025-12-27
  • 一种流磁自组装巨量转移装置及方法
    一种流磁自组装巨量转移装置及方法_福州水影流芯科技有限公司_202511245006.X
    本发明涉及巨量转移、芯片分选技术领域，具体公开了一种流磁自组装巨量转移装置，为解决传统巨量转移技术效率低、精度低、良率差、经济效益不高等问题，本装置通过创新性地设计三色芯片分选结构、利用流体动力学与磁场协同定位完成芯片自组装，完全避免了传统...
    2025-12-27
  • 一种外延层的转移方法、异质器件晶圆及其键合集成方法和键合设备
    一种外延层的转移方法、异质器件晶圆及其键合集成方法和键合设备_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511237985.4
    本发明提供一种外延层的转移方法、异质器件晶圆及其键合集成方法和键合设备。转移方法包括：在晶向为<111>的第一硅衬底上外延生长GaN层；将GaN层和晶向为<100>的第二硅衬底进行键合，然后去除第一硅衬底，完成转移。本发明采用晶向为<111...
    2025-12-27
  • 电子元件的转移设备
    电子元件的转移设备_京东方科技集团股份有限公司_202410692241.0
    本申请公开了一种电子元件的转移设备，属于自动化技术领域。电子元件的转移设备，包括：基台、第一载台、第二载台、相机和转移头。第一载台用于承载第一基板，第二载台用于承载第二基板，第二基板具有多个第一定位部。电子元件的转移设备可以通过相机获取至少...
    2025-12-27
  • LED芯片转移方法
    LED芯片转移方法_东莞市中麒光电技术有限公司_202410689253.8
    本发明公开一种LED芯片转移方法，包括如下步骤：S1，提供一转移载膜以及一目标基板，转移载膜上设有若干LED芯片；S2，获取第一区域中的N个LED芯片的坐标位置；S3，提供顶针机构，顶针机构根据N个LED芯片的坐标位置沿行向或沿列向依次将M...
    2025-12-27
  • 一种LED显示屏加工用屏幕封装设备
    一种LED显示屏加工用屏幕封装设备_江苏新视界显示技术有限公司_202511228038.9
    本发明公开了一种LED显示屏加工用屏幕封装设备，涉及显示屏生产技术领域；而本发明包括底座，所述底座顶端两侧分别设有第一侧框和第二侧框，第二侧框中设有工位间歇输送组件，工位间歇输送组件中设有七个移动框，七个移动框中均设有多工位同步定位组件，第...
    2025-12-27
  • 一种LED封装组件及发光模组
    一种LED封装组件及发光模组_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202510908475.9
    本发明公开的一种LED发光单元，使得LED芯片本体的上表面高于第一反光层的上表面的最高位置，且光转换层的上表面高于LED芯片本体的上表面，以此保证侧面出光，同时利用碗状的第一反光层实现侧面出光的强度，保证光的利用率。
    2025-12-27
  • 一种LED封装涂覆方法及设备
    一种LED封装涂覆方法及设备_中山市绿明照明科技有限公司_202511234035.6
    本发明提供一种LED封装涂覆设备，包括：螺旋上料机以及协同平台部件，所述螺旋上料机内部设有若干组待拼接安装的LED灯珠，所述螺旋上料机出料端右侧设有一组用于将LED灯珠按序排列导送的导料通道，与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：螺旋上...
    2025-12-27
  • 用于锡膏印刷的偏移预警方法、偏移预警装置与显示面板
    用于锡膏印刷的偏移预警方法、偏移预警装置与显示面板_成都辰显光电有限公司_202410710899.X
    本申请公开了用于锡膏印刷的偏移预警方法、偏移预警装置与显示面板，包括：将基板与钢网初步对位；基板的对角线上设置有两个基板靶点，钢网上设置有与基板靶点一一对应的钢网靶点；通过设置在基板与钢网之间的第一相机与第二相机，分别采集固定视野范围内的基...
    2025-12-27
  • 一种倒装Mini-LED及其制备方法、发光设备
    一种倒装Mini-LED及其制备方法、发光设备_江西乾照光电有限公司_202511550002.2
    本发明提供了一种倒装Mini‑LED及其制备方法、发光设备，涉及Mini‑LED技术领域。对P电极的电极主体部分下方的透明导电层进行图案化处理，形成暴露出部分电流阻挡层的第一凹槽，在电极主体部分至少填充所述第一凹槽的状态下，相当于是减小了电...
    2025-12-27
  • 一种减少热效应的芯片结构
    一种减少热效应的芯片结构_安徽格恩半导体有限公司_202511341337.3
    本发明涉及一种减少热效应的芯片结构，包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间；所述第一半导体层设置在基板上，与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反...
    2025-12-27
  • 一种Micro-LED外延片及其制备方法与应用
    一种Micro-LED外延片及其制备方法与应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202410688596.2
    本发明提供一种Micro‑LED外延片及其制备方法与应用，Micro‑LED外延片包括层叠设置的衬底、氮化物缓冲层、氮化物调制层、第一氮化物过渡层、第二氮化物过渡层、第一氮化物层、氮化物纳米图形发光层和第二氮化物层；其中，氮化物调制层包括至...
    2025-12-27
  • 一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用
    一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202410688593.9
    本发明提供一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用，该氮化物LED外延片包括层叠设置的衬底、复合缓冲层、氮化物缓冲层、第一氮化物半导体层、氮化物发光层和第二氮化物半导体层；其中，复合缓冲层包括层叠设置的n组复合缓冲子层，且第1组复合缓冲子层...
    2025-12-27
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