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最新专利技术
  • 一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用
    一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202410688593.9
    本发明提供一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用，该氮化物LED外延片包括层叠设置的衬底、复合缓冲层、氮化物缓冲层、第一氮化物半导体层、氮化物发光层和第二氮化物半导体层；其中，复合缓冲层包括层叠设置的n组复合缓冲子层，且第1组复合缓冲子层...
    2025-12-27
  • 倒装LED芯片及其制备方法
    倒装LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511621677.1
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：衬底、发光结构、电流阻挡层、金属反射层、第一绝缘层、N型电极和P型电极。第一绝缘层上开设有暴露N型半导体层的第三通孔以及暴露金属反射层的第四通孔；第...
    2025-12-27
  • 紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管
    紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511619148.8
    本发明涉及一种紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管，属于二极管制备技术领域。方法包括：在衬底上表面生长外延层；台面刻蚀至n‑AlGaN薄膜中部，形成n电极台面；从n电极台面上表面开始向下刻蚀至AlN缓冲层中，形成周期阵列形式的第一通孔；...
    2025-12-27
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_江西兆驰半导体有限公司_202511225125.9
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及光电器件领域。制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上生长缓冲层；(2)在缓冲层上生长非掺杂GaN层；(3)在非掺杂GaN层上生长N型GaN层；(4)在N型GaN层上生长多量子阱层；...
    2025-12-27
  • 主动散热载板的制作方法及显示模块的制作方法
    主动散热载板的制作方法及显示模块的制作方法_东莞市中麒光电技术有限公司_202410696659.9
    本发明公开一种主动散热载板的制作方法，包括如下步骤：提供电路基板，电路基板上设有若干焊盘单元，每个焊盘单元包括第一焊盘以及第二焊盘；在电路基板上形成绝缘层；对绝缘层刻蚀以在相邻焊盘单元之间形成凹槽部以及第一开孔和第二开孔，凹槽部贯穿绝缘层的...
    2025-12-27
  • 利用光敏材料内埋元件的埋入式载板结构及其制造方法
    利用光敏材料内埋元件的埋入式载板结构及其制造方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511595968.8
    本发明公开了一种利用光敏材料内埋元件的埋入式载板结构及其制造方法，涉及埋入式载板技术领域，该利用光敏材料内埋元件的埋入式载板结构包括基板层和光敏层，所述光敏层填充有光敏材料；所述基板层的一面与所述光敏层的一面贴合，所述基板层和所述光敏层的相...
    2025-12-27
  • 光伏组件及其制作方法
    光伏组件及其制作方法_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202511186867.5
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件及其制作方法，其中，光伏组件包括：多个沿第一方向间隔排布的电池串，电池串包括：焊带和多个沿第二方向间隔排布的太阳能电池片，焊带与至少两个太阳能电池片电连接以串联相邻太阳能电池片；封装胶膜，封装胶膜用...
    2025-12-27
  • 一种抗紫外线诱导衰减的膜层结构及其制备方法
    一种抗紫外线诱导衰减的膜层结构及其制备方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511239678.X
    本申请提出了一种抗紫外线诱导衰减的膜层结构及其制备方法，涉及TOPCon电池技术领域。一种抗紫外线诱导衰减的膜层结构，包括N型硅片基底，所述N型硅片基底的正面设置有掺硼发射极，在掺硼发射极上沉积设置有氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层上设置有复...
    2025-12-27
  • 一种N型高效电池、N型高效电池的制造方法及电池组件
    一种N型高效电池、N型高效电池的制造方法及电池组件_江西沐邦高科股份有限公司_202410678085.2
    本发明公开了一种N型高效电池、N型高效电池的制造方法及电池组件，N型高效电池包括N型硅基底以及依次设在N型硅基底正面的正面遂穿层、掺杂晶硅层以及正面减反射功能层，掺杂晶硅层至少包括在远离N型硅基底的正面方向上依次设置的第一掺杂晶硅层、第二掺...
    2025-12-27
  • 具有间断超细连接线的背接触电池和背接触电池模组
    具有间断超细连接线的背接触电池和背接触电池模组_福建省金石能源股份有限公司_202511621796.7
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有间断超细连接线的背接触电池和背接触电池模组。本发明每根第一超细连接线和每根第二超细连接线均在Y轴方向上间断，且均包括位于Y轴方向两端的第一连接部和第二连接部，以及位于第一连接部和第二连接部之间均...
    2025-12-27
  • 太阳能电池、电池组件和光伏系统
    太阳能电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511499078.7
    本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括：收集栅线以及在第一方向上，相邻两条收集栅线之间存在间隔，间隔用于形成非同极性的串接区，串接区的延伸方向为第二方向，第二方向与第一方向交叉；其中，在非同极性的串接区内设置有焊接段...
    2025-12-27
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511493789.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，在第二方向上，第一连接栅线连接位于第一汇流细栅同一侧且与第一汇流细栅相邻的至少两根第二细栅，相邻两根第一汇流细栅之间均设有第一连接栅线，位于相邻两根第一...
    2025-12-27
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511492749.7
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，基片在第一方向上具有相对的第一边缘和第二边缘，基片在第二方向上具有相对的第三边缘和第四边缘，在第一方向上，第一串接区和第二串接区交替排布，第一细栅在第二...
    2025-12-27
  • 太阳能电池、叠层电池及光伏组件
    太阳能电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511468262.5
    本公开涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件。太阳能电池包括：基底，具有包括第一边界区的第一面，第一边界区沿第一方向延伸，包括第一区以及位于第一区沿第一方向相对两侧的第二区；钝化层，位于第一面上，且第一区对应的钝化层的厚度...
    2025-12-27
  • 光伏电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件
    光伏电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511254957.3
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件，光伏电池包括：具有相对的第一、二面的电池基片；位于第一面和/或第二面上且沿第一方向间隔排布的多个栅线，栅线包括与电池基片电连接的接触结构和连接层，接触结构包括多个接...
    2025-12-27
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511227292.7
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。本申请公开了一种太阳电池，该太阳电池包括：透明导电层；粘接层，粘接层设置在透明导电层上，粘接层的厚度为0.1nm～10nm；电极，电极设置在粘接层背离透明导电层的一面上；透...
    2025-12-27
  • 一种太阳能电池及其背面接触结构、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池及其背面接触结构、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511222611.5
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其背面接触结构、电池组件及光伏系统，该背面接触结构包括间隔设置在硅衬底背面的与硅衬底极性相反的第一掺杂区、和与硅衬底极性相同的第二掺杂区，第一掺杂区上设有保护区；第一掺杂区和第二掺杂区均...
    2025-12-27
  • 一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构
    一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511220793.2
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；交替设置在各个凹槽中的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括依次设置于凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域...
    2025-12-27
  • 一种待切割太阳能电池片及光伏组件
    一种待切割太阳能电池片及光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511229607.1
    本发明涉及一种待切割太阳能电池片及光伏组件，电池片包括：电池片本体，电池片本体的表面设置有激光加热增强区；激光加热增强区设有陷光部和热量吸收部，电池片本体的待切割线位于激光加热增强区中；陷光部设于激光加热增强区的表面；热量吸收部与陷光部的至...
    2025-12-27
  • 一种基于钙钛矿型的光电导LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料的制备方法
    一种基于钙钛矿型的光电导LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料的制备方法_西南科技大学_202511266680.6
    一种基于钙钛矿型的光电导LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料的制备方法，包括：先后制备LaNiO3多晶膜和ZnO前驱液；然后在LaNiO3薄膜上旋涂ZnO前驱液，将所得的湿膜高温煅烧，得到LaNiO3/ZnO薄膜异质结材料；本发明具有以下有益...
    2025-12-27
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