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最新专利技术
  • 全极耳电池极片、圆柱全极耳锂离子电池、降低圆柱全极耳锂离子电池内阻的方法
    全极耳电池极片、圆柱全极耳锂离子电池、降低圆柱全极耳锂离子电池内阻的方法_郑州比克电池有限公司_202511210258.9
    本发明公开了一种全极耳电池极片、圆柱全极耳锂离子电池、降低圆柱全极耳锂离子电池内阻的方法，本发明通过在极片内圈处增加立式极耳和梯度极耳的复合结构，两者协同消除极片的极耳堆叠后内外圈厚度差异，提高极片倒伏面平整度，确保激光焊接的一致性，优化极...
    2026-01-27
  • 电池极片、电池卷芯、锂离子电池以及提高锂离子电池安全性能的方法
    电池极片、电池卷芯、锂离子电池以及提高锂离子电池安全性能的方法_郑州比克电池有限公司_202511201886.0
    本发明公开了一种电池极片、电池卷芯、锂离子电池以及提高锂离子电池安全性能的方法，本发明通过优化极耳结构，内外圈都不设极耳，中圈设置短极耳给长极耳提供一定的支撑，并且长极耳还进行区域模切，使卷绕的卷芯具有分布式微型泄压通道，热失控发生时气体能...
    2026-01-27
  • 一种组合式极组及电芯
    一种组合式极组及电芯_蜂巢能源科技(上饶)有限公司_202511193634.8
    本发明涉及电池技术领域，具体公开了一种组合式极组及电芯，组合式极组包括可拆卸连接的极组主体和极组分体，极组分体与异形电芯盖板装配。如极组分体与异形电芯盖板装配的一端出现异常或被损坏时，可以将极组分体从极组主体上拆除，更换新的极组分体，从而降...
    2026-01-27
  • 一种极片及电池
    一种极片及电池_湖州耀宁固态电池研究院有限公司_202511046643.4
    本申请提供了一种极片及电池，极片包括集流体以及涂覆于集流体至少一侧表面的活性物质层，集流体包括第一区和第二区，第一区表面涂覆的活性物质层厚度小于第二区表面涂覆的活性物质层的厚度，且第一区的厚度小于第二区的厚度。如此设置，在极片在充电膨胀过程...
    2026-01-27
  • 复合锂金属负极及其制备方法、电池
    复合锂金属负极及其制备方法、电池_清华大学_202511044001.0
    本申请公开了复合锂金属负极及其制备方法、电池。复合锂金属负极包括复合骨架和负载在复合骨架上的锂金属；复合骨架包括骨架材料和负载在骨架材料上的磁性材料。本申请提供的复合锂金属负极，改善了锂枝晶问题，提高了SEI稳定性，获得较高的循环寿命。
    2026-01-27
  • 一种极片
    一种极片_湖南立方新能源科技有限责任公司_202511025867.7
    本发明公开了一种极片。所述极片具有大孔径尺寸，其通过“盐模板”法，在极片的浆料层形成尺寸较大的均匀孔隙，克服了气体造孔剂形成的孔隙过小的缺陷；同时提升了极片的性能。以本发明所述极片制成的电芯能兼顾高的体积能量密度和良好的恒流充电比。
    2026-01-27
  • 电极组件和包括电极组件的电芯
    电极组件和包括电极组件的电芯_SK新能源株式会社_202510732180.0
    本公开涉及一种电极组件，其包括：第一电极，包括：第一未涂覆部；第一旗部，通过所述第一未涂覆部的一部分延伸而形成；以及第一延伸部，连接所述第一未涂覆部和所述第一旗部；第二电极；以及隔膜，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极、所述...
    2026-01-27
  • 电极板、包括电极板的二次电池和制造二次电池的方法
    电极板、包括电极板的二次电池和制造二次电池的方法_三星SDI株式会社_202510728621.X
    本公开的实施例可以提供一种电极板、一种包括电极板的二次电池和一种制造二次电池的方法。所述电极板包括：混合物区段，在所述混合物区段，活性物质在基板上；未涂覆区段，在所述未涂覆区段，所述活性物质不在所述基板上；接线片，联接到所述未涂覆区段；以及...
    2026-01-27
  • 电极及其制备方法、一次电池和用电装置
    电极及其制备方法、一次电池和用电装置_广州塞克第斯新能源科技股份有限公司_202511117550.6
    本申请公开了一种电极及其制备方法、一次电池和用电装置。电极的制备方法，包括如下步骤：混合多孔碳包覆活性材料的原料，多孔碳包覆活性材料的原料包括活性材料以及改性材料，改性材料包括碳纳米管、活性炭以及导电炭黑中的一种或多种，制备多孔碳包覆活性材...
    2026-01-27
  • 一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法
    一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法_格林美(无锡)能源材料有限公司_202511633082.8
    本发明属于电池材料技术领域，具体涉及一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法。本发明提供了一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法，包括如下步骤：测试层状氧化物正极材料残碱；测得残碱＜4.0wt%，将层状氧化物正极材料850‑900℃回烧；...
    2026-01-27
  • 一种基于干法电极工艺制备的锂锰扣式电池正极环及其制备方法和应用
    一种基于干法电极工艺制备的锂锰扣式电池正极环及其制备方法和应用_北京石墨烯研究院_202511604902.0
    本发明提供一种基于干法电极工艺制备的锂锰扣式电池正极环及其制备方法和应用。所述方法包括：将电解二氧化锰(EMD)粉末、导电剂、低熔点聚四氟乙烯(PTFE)纤维在低温环境下进行预混合；将预混合后的物料进行高速剪切，形成具有自支撑能力的干电极毛...
    2026-01-27
  • 一种提升复合焦磷酸铁钠匀浆浆料稳定性的方法
    一种提升复合焦磷酸铁钠匀浆浆料稳定性的方法_江苏吉厚智能科技有限公司_202511201580.5
    本发明提供了一种提升复合焦磷酸铁钠匀浆浆料稳定性的方法，涉及复合焦磷酸铁钠电池制程领域。通过分步投料+梯度转速+粘度补控的协同作用，实现抑制颗粒团聚维持组分均匀分布。从而显著提升浆料稳定性，导电物质CNT和SP形成连续且均匀的导电网络，避免...
    2026-01-27
  • 发光基板、显示面板和显示装置
    发光基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410693855.0
    本公开提供一种发光基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括依次层叠设置的驱动基板、键合层和发光元件层；其中，所述发光元件层包括阵列设置的无机发光二极管，所述无机发光二极管具有半导体层；所述半导体层靠近所述驱动基板的表面和远...
    2026-01-27
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410718344.X
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：在半导体衬底上形成复合介质层；刻蚀所述介质层以及半导体衬底至形成深沟槽，所述深沟槽的侧壁具有交替排布的若干尖角和凹部；采用离子束刻蚀工艺，调整刻蚀离子的入射角，使所述刻蚀离...
    2026-01-27
  • 金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法
    金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511608040.9
    一种金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法，测试结构包括衬底、外延层和金属硅化物层，所述外延层设置于所述衬底上，所述金属硅化物层设置于所述外延层上。本申请从结构上消除了离子注入干扰，确保获取金属硅化物层的真实电阻特性，进而可精准反...
    2026-01-27
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411702180.8
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明的一实施例的半导体测试装置，其特征为，夹设于半导体存储器之间或者半导体存储器与插入件(Interposer)之间，用于测试电连接。
    2026-01-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728216.3
    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成阻挡层，阻挡层中形成有贯穿阻挡层且露出基底顶部的开口；在阻挡层上形成标记层，标记层中形成有第一标记凹槽和第二标记凹槽，第一标记凹槽环绕第二标记凹槽，且在纵向上，第一标记凹槽的投...
    2026-01-27
  • 半导体测试单元及其形成方法以及半导体测试结构
    半导体测试单元及其形成方法以及半导体测试结构_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202410725896.3
    一种半导体测试单元及其形成方法以及半导体测试结构，其中半导体测试单元包括：衬底，所述衬底具有至少四个第一有源区，所述第一有源区在所述衬底上的投影形状为碟状；第一隔离区，呈“十”字相交的将相邻的四个第一有源区进行隔离；栅极，位于所述衬底上，且...
    2026-01-27
  • 封装结构及封装方法
    封装结构及封装方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728176.2
    一种封装结构及封装方法，封装方法包括：提供桥接芯片晶圆，包括多个相连的互连芯片；对桥接芯片晶圆进行第一塑封处理，形成覆盖桥接芯片晶圆一面的第一塑封层；进行第一塑封处理后，将桥接芯片晶圆和第一塑封层分割为多个互连芯片、以及覆盖互连芯片一面的第...
    2026-01-27
  • 一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层
    一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层_杭州富芯半导体有限公司_202511580177.8
    本申请公开了一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层，该半导体芯片包括半导体衬底，半导体衬底上形成有若干器件结构；金属互连层，金属互连层位于半导体衬底上方，用于连接若干器件结构，其中，金属互连层至少包括：位于半导体衬底上方的第一钛层...
    2026-01-27
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