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最新专利技术
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708778.1
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，在执行第一退火工艺形成高阻相的金属硅化物且将未反应的金属去除之后，且在执行第二退火工艺之前，先在高阻相的金属硅化物表面上形成介质缓冲层，由此在执行第二退火工艺时，能够利用介质缓冲层改变热量分布，使得金属硅...
    2026-01-29
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708205.9
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，先通过第一金属硅化工艺形成第一金属硅化物，再对第一金属硅化物的顶面进行表面改性处理，将部分厚度的第一金属硅化物转化为依次层叠的富硅层和金属层，进而在去除所述金属层后，通过第二金属硅化工艺使至少部分富硅层转...
    2026-01-29
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708738.7
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，先通过多轮钴硅化处理在需要在含硅半导体层上形成要求厚度的钴硅化物，再在钴硅化物上沉积硅盖帽层和镍金属层，进而在钴硅化物上形成镍硅化物，由此可以利用钴硅化物作为扩散阻挡层，一方面在通过退火形成镍硅化物的过程...
    2026-01-29
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708172.8
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，将需要在含硅半导体层上形成的要求厚度的金属硅化物分摊到至少两轮金属硅化处理来形成，有利于降低总的退火热预算，节约成本。而且可以通过控制每轮金属硅化处理形成的金属硅化物的厚度和均匀性，同时利用前面轮次形成的...
    2026-01-29
  • 基于原子氧束诱导表面氧化的半导体材料加工方法及加工系统、设备
    基于原子氧束诱导表面氧化的半导体材料加工方法及加工系统、设备_西南交通大学_202511219349.9
    本发明涉及一种基于原子氧束诱导表面氧化的半导体材料加工方法及加工系统、设备，属于超精密制造技术领域，加工方法包括以下步骤：获取原子氧束；将所述原子氧束辐照于半导体材料表面，在所述半导体材料表面形成氧化层；去除所述氧化层。本发明针对难加工半导...
    2026-01-29
  • 碳化硅表面处理方法
    碳化硅表面处理方法_湖南德智新材料股份有限公司_202511190063.2
    本申请提供了一种碳化硅表面处理方法，包括：对碳化硅衬底进行表面活化；利用气溶胶对表面活化后的碳化硅衬底进行刻蚀处理；对刻蚀处理后的碳化硅衬底进行等离子体处理；对等离子体处理后的碳化硅衬底进行表面钝化。本申请进行表面处理后的碳化硅衬底的表面损...
    2026-01-29
  • 易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件
    易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511623658.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件。所述易于剥离的金属堆叠膜层结构包括沿预设方向依次堆叠形成的金属层、中间层和掩膜层；所述中间层的材质为聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸；对所述金...
    2026-01-29
  • 一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器
    一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器_上海新昇半导体科技有限公司_202511242697.8
    本申请提供一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器，衬底应用于CMOS图像传感器，制造方法包括：提供本体衬底，本体衬底具有相对的第一表面和第二表面，其中本体衬底中含有金属杂质；在第一表面沉积形成第一多晶硅层，在第二表面沉积形成第二多晶硅层，...
    2026-01-29
  • 一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法
    一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法_郑州合晶硅材料有限公司_202511238476.3
    本申请公开了一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法，包括以下步骤：S1.首先向高速旋转的硅片的正面和背面中心依次喷射臭氧水、酸性清洗液和水；S2.然后向高速旋转的硅片的边缘依次喷射所述臭氧水、所述酸性清洗液和所述水；S3.再向高速旋转的硅片的正...
    2026-01-29
  • 一种晶圆大厚度热氧层及其制备方法
    一种晶圆大厚度热氧层及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511191425.X
    本发明提供一种晶圆大厚度热氧层及其制备方法，属于半导体器件的部件制备技术领域。本发明中通过在两片晶圆上分别制备出一定厚度的热氧层，将两个热氧层键合到一起，去掉其中一个晶圆，得到具有叠加厚度的热氧层的晶圆；再将已预先制备有热氧层的另一个晶圆，...
    2026-01-29
  • 一种修复晶片翘曲度的方法及其装置
    一种修复晶片翘曲度的方法及其装置_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511188479.0
    本发明属于半导体技术领域，具体而言，涉及一种修复晶片翘曲度的方法及其装置。为解决现有晶片翘曲修复中成本高、工艺复杂、普适性及安全性不足，且难修复复杂不规则形貌等问题，本申请公开了一种名为“一种修复晶片翘曲度的方法及其装置”的修复方案。该方案...
    2026-01-29
  • 半导体衬底的清洗方法及装置
    半导体衬底的清洗方法及装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511048412.7
    本发明提供一种半导体衬底的清洗方法及装置，能够提高衬底的清洗洁净度。为了解决上述问题，本发明提供了一种衬底清洗装置，包括：容器，用于容纳清洗衬底用的去离子水；臭氧发生器，用于向去离子水中通入臭氧；光源，朝向被清洗的衬底，用于对所述衬底的表面...
    2026-01-29
  • 一种等离子体增强湿法清洗方法和硅片的清洗方法
    一种等离子体增强湿法清洗方法和硅片的清洗方法_上海至纯洁净系统科技股份有限公司_202510985899.5
    本发明提供了一种等离子体增强湿法清洗方法，包括以下步骤：S1)将反应气体在等离子体生成装置中进行电离，得到等离子体；S2)将所述等离子体输送至清洗槽中与清洗液反应，对半导体器件和/或光伏器件进行清洗。本申请还提供了具体的硅片的清洗方法，其在...
    2026-01-29
  • 一种用于光离子化检测器中的紫外灯
    一种用于光离子化检测器中的紫外灯_上海亘快科技有限公司_202410716860.9
    本发明提供一种用于光离子化检测器中的紫外灯，所述紫外灯包括灯管、金属片、封接层及紫外光窗口片，其中，所述灯管内部填充有惰性工作气体，所述金属片设置于所述灯管内壁上，所述封接层连接于所述灯管与所述紫外光窗口片之间以保持所述灯管内部的气密性，所...
    2026-01-29
  • 质谱纳升离子源和质谱纳升离子源的调节方法
    质谱纳升离子源和质谱纳升离子源的调节方法_合肥引力波智谱科技有限公司_202511608222.6
    本发明公开了一种质谱纳升离子源和质谱纳升离子源的调节方法，涉及质谱技术领域，所述质谱纳升离子源包括：离子源外罩，所述离子源外罩内设有真空接口腔，所述真空接口腔的端部形成锥形罩，所述真空接口腔内设有四极杆和真空泵接口，所述锥形罩上设有进样孔；...
    2026-01-29
  • 电喷雾束流极紫外光源
    电喷雾束流极紫外光源_深圳技术大学_202511126772.4
    本申请实施例公开了一种电喷雾束流极紫外光源，包括，电喷雾带电粒子源，用于产生包含离子和带电液滴的束流；电磁聚焦透镜组，沿束流的传输路径设置在电喷雾带电粒子源下游，用于聚焦束流以形成束腰，并在束腰处形成高原子数密度区域；驱动激光源，用于提供高...
    2026-01-29
  • 基于质谱离子源的芳香酯类化合物检测装置及应用
    基于质谱离子源的芳香酯类化合物检测装置及应用_中国烟草总公司郑州烟草研究院_202511260216.6
    本发明公开了一种基于质谱离子源芳香酯类化合物检测装置和应用。所述检测装置包括电喷雾组件和低温等离子体束组件，电喷雾组件中的金属毛细管的前端从绝缘介质管主管延伸出4‑12 cm，所述低温等离子体束组件中的外电极距离其绝缘介质管主管的出口5‑1...
    2026-01-29
  • 一种加热型同步解吸附和电离的一体化等离子体离子源
    一种加热型同步解吸附和电离的一体化等离子体离子源_原位麦斯仪器(江苏)有限公司_202511226495.4
    本发明涉及离子源技术领域，公开了一种加热型同步解吸附和电离的一体化等离子体离子源，包括陶瓷主体，所述陶瓷主体固定连接在安装筒的内侧，所述安装筒的内部左侧设置有阴极，所述陶瓷主体的内侧中部设置有加热模块，所述安装筒的内壁设置有等离子体，所述加...
    2026-01-29
  • 离子透镜组件、离子源、质谱仪以及质谱系统
    离子透镜组件、离子源、质谱仪以及质谱系统_费勉仪器科技(上海)有限公司_202511192726.4
    本公开涉及真空设备技术领域，公开了一种离子透镜组件、离子源、质谱仪以及质谱系统。离子透镜组件包括偏转透镜组件和回轴透镜组件。偏转透镜组件用于聚焦入射粒子束中的离子束，并使离子束向第一方向偏转。回轴透镜组件用于接收来自偏转透镜组件的离子束，回...
    2026-01-29
  • 用于惰性气体分离的双极低温冷阱
    用于惰性气体分离的双极低温冷阱_西北核技术研究所_202511228408.9
    本发明公开了用于惰性气体分离的双极低温冷阱，解决现有技术在惰性气体分离过程中因制冷温度范围不够导致应用受限的技术问题。本发明包括制冷机、样品座、热锚、两个样品管、防辐射屏、真空罩、真空泵及温度控制器；制冷机包括制冷机本体、一级冷头及二级冷头...
    2026-01-29
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