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  • 本发明公开了一种平面型半导体器件复合膜层的制备方法, 包括如下步骤:S1、将半导体板放置在处理室中;S2、将第一稀释气体导入处理室中, 第一稀释气体为氦气和氮气的组合气体;S3、向处理室中引入射频交变电场, 产生等离子体;S4、向处理室中引...
  • 本申请涉及气相沉积技术领域, 尤其涉及一种气相沉积炉, 包括:炉体, 炉体内具有多个互不连通的反应室, 每个反应室内均设置有工件放置位以及与工件放置位连通的第一进气口和第一出气口;进气箱, 设置于炉体内, 进气箱具有多个第二出气口, 多个第...
  • 化学气相沉积(CVD)工具抑制或完全消除衬底基座和衬底之间的发弧。CVD工具包括直流(DC)偏置控制系统, 其配置成将设置处理室中的衬底基座维持在与通过处理室中的等离子体所产生的DC偏压相同或基本上相同的DC偏压。通过将衬底基座和具有与等离...
  • 本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法, 能够使基板以稳定的状态吸附于吸附部件。该成膜装置的特征在于, 具备:静电吸盘(31), 所述静电吸盘吸附基板的与成膜侧的面相反的一侧的面;第一支承部件(41), 所述第一支承部件在所...
  • 本发明提供了一种半导体晶片气相沉积设备, 包括沉积座, 还包括沉积座上的供气单元, 供气单元包括设于沉积座上方的供气装置, 供气装置的底端设置有结构盘, 结构盘的下方设置有导流盘, 导流盘内设置有封堵内板, 结构盘上开设有多组喷头孔, 多组...
  • 本公开实施例涉及半导体领域, 提供一种通气面板及其制备方法、沉积腔体。通气面板包括:面板主体、铝层和防护层。铝层位于面板主体与防护层之间, 防护层为氧化铝层和/或氟化铝层;氧化铝层包括氧化铝梯度膜和氧化铝膜, 在铝层指向氧化铝膜的方向上, ...
  • 本发明提供一种控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置, 控温装置用于对前驱体盛放主体进行温度控制, 包括第一导流主体和第二导流主体, 第一导流主体用于与盛放主体的外周壁以形成第一导流通道, 第二导流主体用于与盛放主体的底壁外侧形成第二导流...
  • 本发明提供了一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法, 所述间歇派瑞林真空镀膜装置重点对沉积系统进行改进, 在沉积腔体内部, 正对进气口的位置, 设置六边形分流板。在实际应用过程中, 来自裂解加热系统的派瑞林活性单体从进气口进入沉积腔体内部, 冲...
  • 本公开提供一种成膜装置和清洁方法, 能够去除沉积于排气装置的内部的反应产物。本公开的一个方式的成膜装置进行包含硅和氧的膜的成膜, 该成膜装置具备:处理容器, 在该处理容器内部对所述膜进行成膜;供给流路, 其用于向所述处理容器的内部供给清洁气...
  • 本发明提供一种耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法和设备, 方法包括:S1:对镀膜基底进行预处理, 将预处理后的镀膜基底至于真空反应室内;S2:输入臭氧至真空反应室内预处理后的镀膜基底表面;S3:输入铪源至真空反应室内, 调控真空反应室内温度以及...
  • 本申请涉及半导体材料技术领域, 特别是涉及一种石墨碳化硅涂层件及其制备方法。该制备方法包括:通入刻蚀气体对石墨基体表面进行刻蚀, 得到预处理石墨基体;对预处理石墨基体进行化学气相沉积处理形成碳化硅涂层, 制备石墨碳化硅涂层件;所述刻蚀气体包...
  • 本发明提供了一种具有超薄碳层包覆结构的吸波导热一体化材料及其制备和吸波导热片, 其中制备方法包括:将导热基底填料转移至气固流化床内垂直设置的石英管中, 组装气固流化床后检查气密性, 气密性符合要求后向石英管中通入惰性气体使导热基底填料处于流...
  • 一种外延沉积纳米界面层提高石墨烯‑铜复合材料电导率的方法, 采用化学气相沉积(CVD)技术在铜箔表面沉积石墨烯, 形成石墨烯/铜复合箔片;在此基础上经磁控溅射沉积纳米级别厚度的铜层并热压键合, 制备得到纳米铜层‑石墨烯/铜复合基元;然后将若...
  • 本发明提供了一种用于高超声速飞行器前缘的抗氧化/抗烧蚀碳化硅基复合陶瓷涂层及其化学气相沉积工艺, 可适用于高超声速飞行器外蒙皮的热防护。该涂层是由SiC以及稀土掺杂的铪基陶瓷复合而成, 涂层在基材上覆盖完整, 组织致密, 无裂纹等缺陷。通过...
  • 本发明提供一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法, 涉及半导体材料技术领域。本发明提供的二维硒氧化铋薄膜的转移方法通过TRT层/支撑层/应力层/氧化物层的复合转移媒介, 实现硒氧化铋薄膜的无损、洁净转移, 在转移过程中氧化物层作为接...
  • 本申请提供一种锅具PVD镀膜连续生产设备。所述锅具PVD镀膜连续生产设备用于对锅具批量镀膜, 其包括:至少一个镀膜室, 其用于形成真空镀膜环境;以及承载装置, 其用于承载多个锅具并被输送至所述镀膜室内, 所述承载装置包括移动托盘和放置在该移...
  • 本发明公开了一种光学镜片镀膜厚度精准调控及智能加工方法及系统, 属于自动化过程控制技术领域, 其包括建立基于光学镜片三维模型与目标膜系结构的工艺过程数字孪生模型进行虚拟镀膜仿真, 生成理想厚度生长曲线;采集镀膜腔体内预设的多个光谱反射探头的...
  • 本发明属于真空镀膜技术领域, 公开一种膜厚监控机构及真空镀膜室。膜厚监控机构包括转动机构和监控机构, 转动机构被配置为设置于真空腔室, 转动机构包括驱动组件、公转盘和行星组件, 行星组件包括转动架, 转动架转动设于公转盘, 驱动组件用于驱动...
  • 本发明公开了一种超高真空双面镀膜立方光学腔的结构设计与优化方法, 涉及超高真空双面镀膜立方光学腔技术领域, 本发明通过结构‑算法‑工艺三重协同设计, 显著改善超高真空双面镀膜立方光学腔的可靠性:采用双级缓冲层, 纳米多孔镀膜和波纹管物理吸收...
  • 本发明公开了一种NCVM不导电真空镀膜工艺执行监控方法及系统, 涉及真空镀膜相关领域, 包括:对基材表面进行检测单元网格动态划分;通过红外热成像仪对自适应网格基材表面进行实时扫描, 得到基材动态温度分布矩阵;根据镀膜厚度与温度梯度的映射关系...
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