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  • 本发明公开了一种基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法, 包括:在基底上形成金属种子层;在金属种子层上形成图形化光刻胶掩膜;选择性增厚未被光刻胶掩膜覆盖的金属种子层区域, 金属硬掩膜;去除光刻胶掩膜, 形成开窗区域;腐蚀去除开窗区域的金属种子层;...
  • 本发明涉及晶片清洗领域, 具体是一种磷化铟晶片的清洗工艺。本发明提供的磷化铟晶片的洗片方法, 通过第一清洗液, 第一清洗液和第三清洗液的作用, 最后经过水和浓硫酸的清洗, 基本去除了磷化铟晶片衬底表面的金属化合物离子和有机颗粒, 重金属及无...
  • 本发明提供了一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法, 属于半导体制造技术领域。本发明利用电感耦合等离子体增强型化学气相沉积在沟槽结构的顶部、侧壁和底部沉积含碳阻挡层, 随后利用氨气等离子体轰击对沟槽侧壁进行定向蚀刻, 实现沟槽侧壁的含碳阻挡层精确...
  • 本申请涉及半导体制造领域, 具体地说, 是涉及一种掺杂多晶硅薄膜的形成方法, 该形成方法包括:在衬底的氧化层上沉积掺杂的多晶硅以形成掺杂多晶硅薄膜;对掺杂多晶硅薄膜进行高温退火, 高温退火包括预热阶段、升温阶段和退火阶段, 在预热阶段和升温...
  • 本申请提供一种研磨腔内对晶圆实施的清洗方法, 通过在研磨腔晶圆传出位置的中心位置设置的内部安装有驱动装置的基座及该基座顶部安装的与该驱动装置协同工作的可360度旋转喷水的清洗喷头向晶圆晶面喷射覆盖晶圆直径的水幕对研磨后的晶圆进行预清洗, 控...
  • 本发明属于芯片清洗技术领域, 公开了一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法, 包括以下步骤:(1)将晶圆片放入添加氟碳表面活性剂的无水乙醇中进行第一次清洗;(2)采用异丙醇和压缩气体对第一次清洗后的晶圆片进行二流体喷雾清洗;(3)干燥二流体喷雾...
  • 本发明涉及一种液冷氙灯光源, 属于光源设备技术领域, 该液冷氙灯光源包括包括外壳和光源组件, 外壳套设在光源组件外, 光源组件包括氙灯、阴极延长环和阳极延长环, 阴极延长环和阳极延长环分设于氙灯的阴极端和阳极端, 阴极延长环外套设有阴极散热...
  • 本公开实施例提供了一种真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器, 属于光离子化检测器领域。该真空紫外光源芯片应用于光离子化检测器, 包括第一衬底、第一硅电极层、介质阻挡层和透紫外光盖板;第一硅电极层设置于第一衬底上, 第一硅电极层包...
  • 本发明公开了一种质谱仪及离子处理装置, 该质谱仪包括离子源、离子处理装置、传输装置及检测装置, 离子源用于产生带电离子, 离子处理装置设置于离子源的输出端, 离子处理装置包括第一基体、第二基体、连接件以及加热组件, 第一基体靠近离子源且形成...
  • 本发明涉及一种基于热释电的无磁低电压MEMS溅射离子泵。其包括:电子发射层、第一间隔层、电子加速层、第二间隔层、离子吸附层;电子发射层中减薄热释电晶体在表面温度变化后会产生热释电效应, 从而在晶体表面积累电势并释放电子。不同于传统的热阴极和...
  • 本发明公开了真空等离子体处理用恒温鼓泡式供给装置及使用方法, 包括恒温热浴箱, 所述恒温热浴箱内构成恒温腔, 所述恒温腔内灌注有导热介质, 所述恒温热浴箱内设置有防倒吸缓冲仓和恒温鼓泡器, 所述恒温热浴箱插设有载气输入管, 所述载气输入管插...
  • 本发明涉及半导体蚀刻技术领域, 具体地说, 涉及一种等离子蚀刻装置, 其包括机架, 所述机架上设置有可升降的升降架, 所述升降架上安装有可转动的供气主管, 所述供气主管的下方布置有横管, 且横管与供气主管之间通过管路连通, 所述横管上固定有...
  • 一种在其成像系统内部并入双数据流输出接口的带电粒子显微镜。这些接口使显微镜能够以两种不同方式捕获和处理来自带电粒子相机的数据, 导致成像能力增强和灵活性改进。本发明有显著推动带电粒子显微镜法领域进步并应用于各类科学和工业环境中的潜力。
  • 本发明提出一种用于带电粒子束的离轴静电偏转器及偏转扫描方法, 入射侧电极、聚焦电极、至少一个离轴电极、出射侧电极和位移器;入射侧电极、聚焦电极、离轴电极和出射侧电极均设置有贯通孔, 并按照预设排列顺序同轴平行设置, 入射侧电极的电位、聚焦电...
  • 本发明涉及束闸及对中单元一体化的聚焦离子束微纳加工系统及离子束的控制方法。本发明的束闸及对中单元一体化的聚焦离子束微纳加工系统包括第一对中单元(3)、第二对中单元(4)、法拉第杯(5)以及控制单元, 所述控制单元分别与所述第一对中单元(3)...
  • 本发明提出一种带电粒子束偏转静电透镜及带电粒子束偏转方法, 包括:至少一个轴上电极、一个离轴电极和配电模块;所述轴上电极和所述离轴电极上均设置有贯通孔, 所述贯通孔用于通过带电粒子束;所述离轴电极平行于所述轴上电极, 所述离轴电极的中心轴与...
  • 本说明书实施例提供了一种G波段双模行波管慢波结构, 其特征在于, 包括阴极、第一慢波结构、衰减器和第二慢波结构;所述阴极为一段圆柱形结构, 位于第一慢波结构的开始段, 连接第一慢波结构;所述第一慢波结构包括微波输入通道、第一电子注通道和第一...
  • 本发明公开了同轴型气体放电管, 具体涉及气体放电管领域, 该同轴型气体放电管包括外导电电极、内导电电极以及上绝缘片和下绝缘片, 外导电电极和内导电电极均为圆筒型, 内导电电极位于外导电电极的内部并且外导电电极和内导电电极为同轴排列, 上绝缘...
  • 本发明公开了标准化高压熔断器, 涉及电力器件技术领域, 包括绝缘子, 所述绝缘子的顶端安装有顶座, 所述绝缘子的底端安装有底座, 所述底座的一端固定连接有两块转动座, 两块所述转动座之间转动连接有转动轴, 所述转动轴的外侧固定连接有安装座,...
  • 本发明涉及电气设备领域, 尤其涉及一种新型电磁操动机构及手动分闸机构。针对现有断路器中弹簧操动机构工作会产生较大噪音的问题。包括有:壳体;框架, 滑动设置于所述壳体内, 所述框架上绕设有线圈, 所述壳体内固接有与所述线圈电连接的控制终端;固...
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