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最新专利技术
  • 一种背接触异质结太阳能电池的制备方法
    一种背接触异质结太阳能电池的制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202510937529.4
    本发明提供一种背接触异质结太阳能电池的制备方法。所述背接触异质结太阳能电池的制备方法包括制绒， 钝化层i层的沉积， 硬掩模法制备图形化功能层n层和氮化硅隔离层， 沉积功能层p层， 激光刻蚀制备图形化p层， 酸蚀隔离层氮化硅层， 正面沉积钝化...
    2025-11-19
  • 提升TBC太阳能电池钝化性能的方法
    提升TBC太阳能电池钝化性能的方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202510922558.3
    本发明提供了一种提升TBC太阳能电池钝化性能的方法， 涉及太阳能电池技术领域。所述方法包括：对硅片依次进行第一次抛光、背面制备第一掺杂层、第一次背面图形化、第二次抛光、背面制备第二掺杂层、第二次背面图形化、制绒；其中， 所述第一次抛光中使用...
    2025-11-19
  • 基于辐照的C掺杂GaN光导开关的制备及载流子寿命的调控方法
    基于辐照的C掺杂GaN光导开关的制备及载流子寿命的调控方法_西安电子科技大学_202510906982.9
    本发明公开了一种基于辐照C掺杂GaN光导开关的制备及其载流子寿命调控方法， 主要解决现有技术中器件载流子寿命调控不精确的问题。其实现方案包括：对单晶GaN衬底表面进行预处理；在预处理后的GaN衬底上生长正反两面C掺杂的同质外延层， 并对其进...
    2025-11-19
  • 基于辐照V掺杂SiC光导开关的制备及其载流子寿命调控方法
    基于辐照V掺杂SiC光导开关的制备及其载流子寿命调控方法_西安电子科技大学_202510906980.X
    本发明公开了一种基于辐照V掺杂SiC光导开关的制备及其载流子寿命调控方法， 主要解决现有技术中器件载流子寿命调控不精确的问题。其实现方案包括：对单晶SiC衬底表面进行预处理；在预处理后的SiC衬底上生长正反两面V掺杂的同质外延层， 并对其进...
    2025-11-19
  • 一种无铅高效率柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种无铅高效率柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法_南华大学_202510903157.3
    本发明提出了一种无铅高效率柔性钙钛矿太阳能电池的制备方法， 涉及新能源光电转换领域。其制备方法包括， S1基底预处理：将聚酰亚胺柔性基底清洗干净， 再进行等离子体处理；S2量子点合成：将CsI、AgI、SbI3溶解混合溶剂中， 得到Cs2A...
    2025-11-19
  • 一种N型TopCon电池及其制备方法
    一种N型TopCon电池及其制备方法_中国长江三峡集团有限公司_202410739820.6
    本发明实施例提供了一种N型TopCon电池及其制备方法， 属于晶硅太阳能电池制造技术领域。其中， 本发明实施例中在N型硅片正面依次形成第三隧穿氧化层、第三多晶硅层后， 通过对形成正极栅线的第一区域进行氧化形成氧化层， 然后对硅片进行双面碱刻...
    2025-11-19
  • 半导体结构的形成方法和光电探测器
    半导体结构的形成方法和光电探测器_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410384748.X
    一种半导体结构的形成方法和光电探测器， 形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成氧化层；在氧化层上形成盖层；对氧化层和盖层进行刻蚀处理， 在氧化层和盖层内形成开口， 开口暴露出衬底的部分表面；在开口内形成初始外延层， 初始外延层突出于盖层的表面...
    2025-11-19
  • 电池片串接装置
    电池片串接装置_无锡奥特维科技股份有限公司_202410380966.6
    本申请公开了一种电池片串接装置， 属于电池串制造领域。电池片串接装置包括承载机构和供膜机构， 承载机构的托板往复移动且依次经过上料工位、焊接工位和下料工位， 托板移动至下料工位时， 焊带组和电池片组经焊接形成的电池串被搬运至下道工序完成下料...
    2025-11-19
  • 一种组件端辅助电池钝化和接触的工艺方法
    一种组件端辅助电池钝化和接触的工艺方法_泰州中来光电科技有限公司_202410357793.6
    本发明涉及太阳能光伏组件技术领域， 具体公开了一种组件端辅助电池钝化和接触的工艺方法。本发明工艺方法为：在电池片经过串焊、层压、封装组成电池组件后， 将电池组件置于环境箱中进行光照， 设置温度为50℃～75℃， 辐照度为1000Wh/m2～...
    2025-11-19
  • 一种光电芯片堆叠封装及其制备方法、阵列制备方法
    一种光电芯片堆叠封装及其制备方法、阵列制备方法_广东风华芯电科技股份有限公司_202511125076.1
    本发明涉及一种光电芯片堆叠封装及其制备方法、阵列制备方法， 包括依次堆叠的基板、光接收芯片、两个金属片、第一光发射芯片及第二光发射芯片；光接收芯片贴装在基板上与基板电连接；金属片第一端贴装在光接收芯片上与其面接触并绝缘， 第二端贴装在基板上...
    2025-11-19
  • 接收单元、接收传感器及激光雷达
    接收单元、接收传感器及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202511223800.4
    本申请属于光器件技术领域， 提供了一种接收单元、接收传感器及激光雷达， 接收单元包括第一SPAD单元和第二SPAD单元， 第一SPAD单元具有较高的光子探测效率和时间抖动， 通过在第二SPAD单元内设置外延隔离层将其外延层划分为设计死区和外...
    2025-11-19
  • 阵列基板及其制备方法和平板探测器
    阵列基板及其制备方法和平板探测器_滁州惠科光电科技有限公司_202510884082.9
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和平板探测器， 主要涉及光电技术领域， 主动开关层内包括至少一个主动开关， 光电二极管层内包括至少一个光电二极管， 信号传输线层内包括至少一根信号传输线， 主动开关、光电二极管和信号传输线依次连接；光电二...
    2025-11-19
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202411370956.0
    公开了图像感测装置。所述图像感测装置包括：第一像素， 其被配置为与透射第一颜色的光的第一滤光器交叠；第二像素， 其被配置为与透射不同于第一颜色的第二颜色的光的第二滤光器交叠， 同时在第一方向上与所述第一像素间隔开；第一像素隔离结构， 其被配...
    2025-11-19
  • 一种用于背照射图像传感器的TSV及其形成方法
    一种用于背照射图像传感器的TSV及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410347644.1
    本发明公开了一种用于背照射图像传感器的TSV的形成方法， 一方面TSV通孔先进行深沟槽的沉积以形成具有空隙的填充结构， 然后采用刻蚀至金属互连层， 最后在沟槽中生长金属层；另一方面， 在实现在有限的设计区域中， 将TSV相邻的隔离结构同时电...
    2025-11-19
  • 一种半导体元件及其制造方法
    一种半导体元件及其制造方法_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410347611.7
    本发明描述了一种用于制备半导体元件的制造方法， 包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行第一能量离子注入， 形成位于感光区的下方的第三掺杂隔离区；对半导体衬底进行高温修复；对半导体衬底进行第二能量离子注入， 形成位于相邻感光区之间的第一掺杂隔...
    2025-11-19
  • 优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器
    优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511173390.7
    本申请提供了一种优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器， 属于红外探测器领域；解决了现有底部填充工艺填充的填充胶容易产生空洞， 最终导致红外焦平面探测器芯片成像时出现缺陷， 影响红外探测器性能的问题；该方法包括以下...
    2025-11-19
  • 一种CIS芯片的扇出封装结构及其制作方法
    一种CIS芯片的扇出封装结构及其制作方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202510884273.5
    本发明提供了一种CIS芯片的扇出封装结构， 其提升系统级封装的可靠性与集成度， 且封装成本低。其包括：玻璃；围堰层， 其包括有围堰腔；CIS芯片， 其包括有硅层、感光器件；功能芯片；以及锡球；所述玻璃的上表面设置有围堰层， 所述CIS芯片键...
    2025-11-19
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410381671.0
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 图像传感器包括：半导体基底；第一改进栅极结构， 包括第一栅极结构及侧墙改善层；第一源漏， 与第一栅极结构之间具有第一距离；第二改进栅极结构， 包括第二栅极结构及侧墙改善层；第二源漏， 与第二...
    2025-11-19
  • 探测器及其制作方法
    探测器及其制作方法_中国科学院半导体研究所_202410346182.1
    本发明提供一种探测器及其制作方法， 探测器包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路， 探测器阵列芯片包括第一腐蚀截止层、第二腐蚀截止层、NPN晶体管阵列、发射区接触层以及电极层；本发明通过采用NPN晶体管阵列结构， 可以实现在低工作电压下高...
    2025-11-19
  • 背照式图像传感器的形成方法
    背照式图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410317290.6
    本发明公开了一种背照式图像传感器的形成方法， 包括：将图像传感器晶圆正面和承载晶圆键合；晶圆正面形成有沟槽隔离结构；对所述图像传感器晶圆背面通过以下至少一种减薄工艺， 以提高所述图像传感器晶圆背面的平整度；所述至少一种减薄工艺包括：工艺一：...
    2025-11-19
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