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一种涂装生产线前处理用磷化装置
本发明属于涂装设备技术领域, 具体涉及一种涂装生产线前处理用磷化装置, 包括室体、水盘、第一水洗槽、第二水洗槽、纯水洗槽、磷化槽。所述室体为半封闭式结构, 两端开口便于工件进出, 工件通过输送装置送至往复机构上, 往复机构位于室体内, 室体...
一种镀锌管表面钝化设备
本申请涉及镀锌管加工技术领域, 且公开了一种镀锌管表面钝化设备, 包括转动机构, 所述连接机构的底端设置有转动机构, 所述转动机构的中部活动卡接有管件, 且转动机构包括转动件、固定件和夹持组件, 且转动件通过转动孔与夹持组件的前端活动套接,...
一种环保型铝材表面处理液及其处理方法
本发明公开了一种环保型铝材表面处理液及其处理方法, 该处理液的制备方法为:依次将植酸、硝酸钠、氟化铵加入去离子水中, 搅拌至完全溶解;然后加入硅酸钠搅拌至均相溶液;再采用柠檬酸或氨水将混合液调节pH至2.5‑4.5;最后加入去离子水, 使混...
一种冷拔钢管表面处理方法
本发明涉及钢铁制品表面处理技术领域, 特别是涉及一种冷拔钢管表面处理方法。该冷拔钢管表面处理方法, 包括以下步骤:步骤S1, 钢管表面除油;步骤S2, 钢管表面酸洗处理;步骤S3, 钢管表面磷化处理:利用磷化液在步骤S2处理后的钢管表面形成...
一种半导体晶圆的高精度真空反应腔室温度补偿装置
本发明涉及应用于半导体器件领域的一种半导体晶圆的高精度真空反应腔室温度补偿装置, 包括有真空反应腔室和搭载在真空反应腔室控制箱内的温度补偿系统, 通过预热感应组件、换热感应组件和温度补偿系统的协同配合, 实现对前置预热温度数据和后续工艺气体...
一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置
本发明涉及材料表面处理技术技术领域, 且公开了一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置, 包括等离子发生腔、PECVD工艺腔与微波磁控管, PECVD工艺腔连通在等离子发生腔的下方, 微波磁控管设置在等离子发生腔的外侧, 等离子发生腔的外侧设置...
一种水平式等离子体增强低压Mist-CVD装置
本发明公开了一种水平式等离子体增强低压Mist‑CVD装置, 属于半导体装备技术领域, 所述装置包括:反应腔室4、真空控制和尾气处理模块7、雾化源供应模块21、混合气室26、气体供应模块28和等离子体激发模块36。本发明采用多个前驱体溶液独...
一种化学气相沉积喷淋头及其加工工艺
本申请涉及半导体技术领域的一种化学气相沉积喷淋头及其加工工艺, 化学气相沉积喷淋头包括:喷气盘, 所述喷气盘上设有多个气孔;顶盖, 所述顶盖设于所述喷气盘一侧并与所述喷气盘固定, 所述顶盖与所述喷气盘之间形成气腔, 所述顶盖上设有气道;中空...
折流旋转反应器原子层沉积设备
本发明公开了一种折流旋转反应器原子层沉积设备, 涉及原子层沉积技术领域, 包括安装平台、保温外壳体、内筒体、折流挡板和旋转驱动机构, 保温外壳体和内筒体的轴线均与安装平台的顶面平行, 内筒体设置于保温外壳体内, 内筒体与旋转驱动机构的输出端...
一种雾化化学气相沉积反应腔、薄膜制备系统及方法
本发明公开了一种雾化化学气相沉积反应腔、薄膜制备系统及方法, 涉及半导体薄膜生长技术领域。本发明的雾化化学气相沉积反应腔, 包括反应腔本体, 反应腔本体上设有微通道, 微通道用于供雾化气流流通, 反应腔本体上还设有第一凹槽, 第一凹槽位于微...
多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品
本申请提供了多元氧化物的制备方法, 包括以下步骤:a)向反应腔内通入第一金属前驱体进行沉积, 在基底上形成第一金属沉积层;b)向反应腔内通入第二金属前驱体进行沉积, 形成沉积层;c)向反应腔内通入氧源, 进行氧化反应;d)对所述步骤c)得到...
双向荷载下螺杆防滑纹路磨损摩擦退化控制方法
本发明公开了一种双向荷载下螺杆防滑纹路磨损摩擦退化控制方法, 涉及耐磨材料技术领域, 本通过制备芯部为形状记忆合金(SMA)与金属基复合材料、表层为耐磨陶瓷相的梯度结构螺杆, 并在螺纹牙侧加工填充磁流变液(MRF)的封闭沟槽及微型电磁线圈,...
一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料
本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域, 提供一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料。方法包括如下步骤:将基底放置于化学气相沉积设备中, 对所述化学气相沉积设备抽真空, 随后通入惰性气体;硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积设备,...
一种基于CVD与热轧嵌入法的铜箔-石墨烯复合材料及其制备工艺
本发明公开一种基于CVD与热轧嵌入法的铜箔‑石墨烯复合材料及其制备工艺。以0.5mm铜箔为基底, 通过CVD法在1000‑1100℃下通入CH1/H2混合气(CH15‑15sccm, H2 30‑70sccm)生长双层石墨烯;随后在氩气保护...
超高真空转移装置
本发明公开了一种超高真空转移装置, 其包括:真空转移腔体、第一磁力杆、第二磁力杆、第三磁力杆、样品台、样品压片和样品转移托, 第一磁力杆、第二磁力杆、第三磁力杆分别与样品台、样品压片、样品转移托固定连接, 样品台、样品压片、样品转移托设置在...
镀膜材料的加热方法及加热设备
本发明属于蒸镀工艺技术领域, 公开了一种镀膜材料的加热方法及加热设备。镀膜材料的加热方法包括提供一膜料容器、一固定装置和一加热装置, 膜料容器用于盛放镀膜材料, 固定装置用于固定膜料容器, 加热装置用于加热固定装置;在加热装置的初始加热功率...
一种缓存装置、连续镀膜设备以及清洗设备
本发明公开了一种缓存装置、连续镀膜设备以及清洗设备。其中, 缓存装置的缓存筒用于容纳从下至上堆叠的N层缓存物, 每个缓存物的侧面底部边缘处开设有承载口, 缓存筒的下底面开设有下料口;联动组件的第一弹性结构的一端连接下料板, 下料板用于选择性...
一种真空镀膜自动装卸系统及其控制方法
本发明涉及一种真空镀膜自动装卸系统, 包括活动工作台, 所述活动工作台上安装有机械臂, 还设置有用于存放周转架的空架堆叠区和待用架堆叠区, 所述机械臂的执行端设有真空吸盘, 所述周转架顶面设有用于盛放夹具组件的若干放置孔, 所述夹具组件能嵌...
一种Hf/HfN纳米多层膜涂层及其制备方法
本发明涉及材料表面改性技术领域, 尤其涉及一种Hf/HfN纳米多层膜涂层及其制备方法, 该Hf/HfN纳米多层膜涂层交替层叠设置的金属Hf层和陶瓷HfN层, 单层所述金属Hf层的厚度为10‑200nm, 单层所述陶瓷HfN层的厚度为100‑...
钛合金表面抗腐蚀-吸光一体化多层复合薄膜及制备方法
本发明涉及功能薄膜材料技术领域, 具体涉及钛合金表面抗腐蚀‑吸光一体化多层复合薄膜及制备方法。薄膜包括钛合金基体及依次层叠的致密粘结层、吸光功能层和表面减反层。其制备方法包括:基体打磨抛光后超声清洗;真空腔体内Ar+离子清洗活化表面;采用高...
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