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最新专利技术
  • 电动车用双层结构的小型逆变器
    电动车用双层结构的小型逆变器_塔宝思有限公司_202480004039.2
    本发明涉及电动车用双层结构的小型逆变器。根据本发明，包括基底面板；板部，其位于基底面板的内侧下面且安装有多个板和散热器；盒体，其侧面为''形状，两端部安装在基底面板上，且用于容纳板部；前面部和后面部，其安装成用于遮盖盒体的开放的前面和后面，...
    2026-04-02
  • 功率电子设备和系统中的保护支架
    功率电子设备和系统中的保护支架_伊顿智能动力有限公司_202480054935.X
    一种保护支架包含：主体，其具有用于一个或多个电接触件的一个或多个电接触件孔；以及防旋转壳体，对于该一个或多个电接触件孔中的每一个，该防旋转壳体绕该对应的电接触件孔从该主体延伸。该保护支架由非导电材料制成。在一些情况下，该非导电材料包含振动吸...
    2026-04-02
  • 冷凝板部组件及包括该冷凝板部组件的散热装置
    冷凝板部组件及包括该冷凝板部组件的散热装置_株式会社KMW_202480055691.7
    本发明涉及一种冷凝板部组件及包括该冷凝板部组件的散热装置，尤其包括：蒸发板部组件，形成有存储根据温度而能够发生相变的制冷剂的存储部，并使下部表面的至少一部分表面热接触于发热体的发热表面；以及多个冷凝板部组件，以与所述存储部连通的方式结合于所...
    2026-04-02
  • 工作台的旋转中心测定方法
    工作台的旋转中心测定方法_JUKI株式会社_202480043890.6
    一种工作台(20)的旋转中心测定方法，该工作台(20)被使用于3维安装装置(12)，能够在支撑有安装基板(1)的状态下旋转，该工作台(20)的旋转中心测定方法包含下述步骤：使支撑有工具基板(1)的工作台(20)分别旋转至多个角度；在多个角度...
    2026-04-02
  • 部件安装装置以及部件安装方法
    部件安装装置以及部件安装方法_松下知识产权经营株式会社_202480056500.9
    部件安装装置具备：转印单元，可更换地安设有尺寸不同的多个转印盘的任意一个转印盘，将转印材料以成膜的状态供给到转印盘；头，通过多个吸嘴吸附多个部件，使多个吸嘴相对于转印盘下降，由此向多个部件转印转印材料；和转印部件数量决定部，基于转印盘的尺寸...
    2026-04-02
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480048982.3
    提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，其中第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的栅极电连接，第一晶体管的栅极与被提供恒电位的第一布线电连...
    2026-04-02
  • 包括具有超晶格的耗尽层的非易失性存储器和相关方法
    包括具有超晶格的耗尽层的非易失性存储器和相关方法_阿托梅拉公司_202480055179.2
    存储器装置可以包括在半导体基板上的存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括在半导体基板上的具有第一导电类型的第一阱、与第一阱相邻并具有第二导电类型并且与第一阱限定耗尽层的第二阱、以及在耗尽层内的超晶格。超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括...
    2026-04-02
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202480055465.9
    实施方式的半导体装置具备：氮化物半导体层；第一绝缘膜，设置在氮化物半导体层上；第一电极，位于第一绝缘膜之上，与氮化物半导体层电连接；第二电极，位于氮化物半导体层之上，与氮化物半导体层电连接；第三电极，具有位于氮化物半导体层之上且与氮化物半导...
    2026-04-02
  • 半导体元件
    半导体元件_株式会社电装_202480055999.1
    一种半导体元件，抑制向漂移区的空穴注入。半导体元件中，半导体基板具有与集电极区重叠的范围即IGBT区域、以及与阴极区重叠的范围即二极管区域。多个沟槽间半导体区域中的一部分具有空穴注入抑制结构，该结构具有从下侧与体区相接的n型势垒区、以及从所...
    2026-04-02
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480055181.X
    提供一种可微型化或可高集成化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、与第二绝缘体的顶面接触的氧化物半导体、与氧化物半导体的顶面接触且在氧化物半导体上分开的一对第一导电体以及分别位于一对第一导电体上的一对第...
    2026-04-02
  • 晶体管器件及其制备方法、显示基板
    晶体管器件及其制备方法、显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202580000111.9
    一种晶体管器件及其制备方法、显示基板，其中，晶体管器件设置在基底(30)上，晶体管器件包括：栅电极(31)、栅绝缘层(35)和有源层(32)，栅电极(31)位于栅绝缘层(35)靠近基底(30)的一侧，有源层(32)位于栅绝缘层(35)远离基...
    2026-04-02
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480055281.2
    提供一种功耗得到减少的半导体装置。该半导体装置包括生成第一电位的第一电路以及包括作为垂直晶体管的第一晶体管及作为垂直晶体管的第二晶体管的第二电路，在第一电位通过第二晶体管的源极及漏极供应到第一晶体管的背栅极后使第二晶体管成为关闭状态来使第一...
    2026-04-02
  • 光接收元件和距离测量系统
    光接收元件和距离测量系统_索尼半导体解决方案公司_202480056303.7
    本发明涉及能够在防止边缘击穿的同时实现高PDE的光接收元件和距离测量系统。设置了：第一导电类型的第一半导体区域(42)；与所述第一半导体区域(42)的所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域(44)；倍增区域(47)，其形成在所述...
    2026-04-02
  • 光检测装置和固态成像装置
    光检测装置和固态成像装置_索尼半导体解决方案公司_202480052191.8
    本发明提供了一种光检测装置，其包括：层叠结构，其包括设置有光检测元件的第一基板和设置有读出电路的第二基板，所述读出电路读出来自所述光检测元件的检测信号；信号线，其被构造为将所述检测信号从第一基板传送到第二基板；和低电阻结构，其被构造为围绕所...
    2026-04-02
  • 电子器件及电子器件的制造方法
    电子器件及电子器件的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480054880.2
    本发明在不增加芯片的平面尺寸的情况下改善芯片之间的接合强度。这种电子器件包括：第一芯片，设置有第一接合区域并且其中在第一接合区域的一部分中形成第一凹部；以及第二芯片，通过与第一接合区域对置的第二接合区域接合到第一芯片。第一凹部可以作为离散凹...
    2026-04-02
  • 光检测元件
    光检测元件_索尼半导体解决方案公司_202480055344.4
    一种光检测元件包括：第一基板，其包括光电转换元件；第二基板，其包括像素电路的至少一部分，所述像素电路根据从所述光电转换元件输出的电荷生成像素信号；以及层间绝缘层，其在所述第一基板和所述第二基板之间。所述层间绝缘层包括两个以上配线层。
    2026-04-02
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480055736.0
    一种光检测装置，包括第一结构，第一结构包括第一半导体层。所述光检测装置包括将入射光转换为电荷的光电转换元件、配置在第一半导体层中并被构造为累积从所述光电转换元件传输的电荷的第一浮动扩散部、以及包括与第一浮动扩散部相邻的第一半导体层接触的栅电...
    2026-04-02
  • 发光元件、其制造方法及利用该发光元件的显示器装置
    发光元件、其制造方法及利用该发光元件的显示器装置_LG电子株式会社_202480054209.8
    本公开可适用于关于显示器装置的技术领域，例如涉及发光元件、其制造方法及利用该发光元件的显示器装置。本公开的实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；有源层，其设置在上述第一导电型半导体层的第一表面上；第二导电型半导体层，其设置在上述有源层上...
    2026-04-02
  • 显示基板及其制备方法
    显示基板及其制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001505.1
    一种显示基板及其制备方法，其中，显示基板包括基底以及设置在基底上的晶体管器件，晶体管器件包括：依次叠设在基底(10)上的栅电极(11)、栅绝缘层(21)和有源层(12)；栅绝缘层(21)远离基底(10)的一侧设置有凹槽结构(1)，有源层(1...
    2026-04-02
  • 显示设备
    显示设备_LG电子株式会社_202380101874.3
    公开了一种显示设备。本发明的显示设备可以包括：显示面板；框架，位于显示面板的后方；基板，位于所述显示面板和所述框架之间，结合于所述框架；光源，位于所述基板上，向所述显示面板提供光；罩体，位于所述基板上，包围所述光源的侧面；以及光转换层，位于...
    2026-04-02
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