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  • 本公开的半导体装置具备:电路基板(2);熔点为300℃以上的接合层(3),形成于电路基板上,接合层包括熔点为300℃以上的金属粒子结合而成的具有网眼状的构造的金属粒子烧结体(4)、以及由熔点为100℃以上且300℃以下的低熔点金属和元素与所...
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