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最新专利技术
  • 一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统
    一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511730746.2
    本发明涉及单晶光纤制备技术领域，尤其涉及一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统，所述制备方法包括确定稀土掺杂激光晶体中吸收系数随掺杂浓度变化的表达式；利用理想吸收系数分布公式与朗伯比尔定律设计单晶光纤吸收系数的分布形式；基于所述表达式和所...
    2026-05-03
  • 一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统
    一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统_广东晶智光电科技有限公司_202511977902.5
    本申请涉及半导体晶体生长技术领域，具体公开了一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统。本申请提供一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法，首先在冷却开始前，通过调整坩埚在单晶炉内的相对位置，从根本上减小坩埚轴向的温...
    2026-05-03
  • 一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置
    一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置_山东粤海金半导体科技有限公司_202511930418.7
    本发明涉及单晶生长领域，具体涉及一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置。该方法包括以下步骤：(1)高纯碳化硅粉料准备；(2)装炉与生长腔预处理；(3)分段升温与动态渗氮；(4)生长阶段闭环控氮；(5)程序控冷及单晶生成。本发明通过预设功率...
    2026-05-03
  • 分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法
    分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法_上海新微半导体有限公司_202511847758.3
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法。分子束外延加热装置包括第一加热单元、第二加热单元和加热区域调整单元；所述第一加热单元和所述第二加热单元沿第一方向排列设置；所述第一加热单元用于沿所述第一方向对基...
    2026-05-03
  • 一种碳化硅外延生长设备及方法
    一种碳化硅外延生长设备及方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202411138890.2
    本申请提供一种碳化硅外延生长设备及外延生长方法，该碳化硅外延生长设备，包括：外延生长模块、传输模块及气体供给系统，所述气体供给系统用于提供碳源气体、硅源气体、氮源气体、氢气、氯化氢气体或保护气体，氮源气体包括氨气；传输模块的传输装置用于将衬...
    2026-05-03
  • 氧化镓的制备与掺杂方法
    氧化镓的制备与掺杂方法_苏州镓港半导体有限公司_202511859418.2
    本发明公开了一种氧化镓的制备与掺杂方法，所述制备与掺杂方法包括：在衬底上外延生长III‑V族半导体层，其中，所述III‑V族半导体层包括GaPN，且所述III‑V族半导体层中氮原子的密度大于或等于1E20 atoms/cm3；对III‑V族...
    2026-05-03
  • 一种提纯铯铅溴多晶料的方法
    一种提纯铯铅溴多晶料的方法_西南技术物理研究所_202511685208.6
    本发明属于定向凝固提纯技术领域，公开了一种提纯铯铅溴多晶料的方法，包括以下步骤：步骤一：石英坩埚预处理；步骤二：装料并真空封装：步骤三：合料得到待提纯铯铅溴多晶料；步骤四：待提纯铯铅溴多晶料熔融；第五步：定向凝固直至完全结晶；第六步：降温冷...
    2026-05-03
  • 锑化镓多晶的合成方法及装置
    锑化镓多晶的合成方法及装置_广东晶智光电科技有限公司_202511931021.X
    本发明公开了一种锑化镓多晶的合成方法及装置，涉及半导体材料合成技术领域；本发明在石英安瓿管中设置第二敞口容器装入高纯锑作为锑补偿源，第二敞口容器与作为主反应容器的第一敞口容器间隔放置，在加热第一敞口容器中的原料进行合成反应之前，先加热锑补偿...
    2026-05-03
  • 摩擦学材料及其制备
    摩擦学材料及其制备_香港城市大学_202511191748.9
    本发明公开了一种摩擦学材料，诸如一种摩擦学固体润滑材料，所述摩擦学材料包括具有零维纳米结构的Ti‑MXene复合材料。本发明还公开了制备所述摩擦学材料的方法。
    2026-05-03
  • 直拉单晶硅及其制备方法
    直拉单晶硅及其制备方法_恒利晶硅新材料(内蒙古)有限公司_202511682943.1
    本发明公开了一种直拉单晶硅及其制备方法。本发明的直拉单晶硅的制备方法，包括以下步骤：1)熔料；2)引晶：将籽晶浸入硅液中，将硅液拉伸生长为颈部晶体；3)放肩：将颈部晶体拉伸生长为放肩晶体；4)转肩：将放肩晶体拉伸生长至晶体直径为等径生长直径...
    2026-05-03
  • 单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质
    单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质_四川高景太阳能科技有限公司_202511745094.X
    本申请实施例提供一种单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质，涉及单晶硅技术领域。首先获取历史拉晶数据；再根据历史拉晶数据，确定单晶炉当前工艺阶段的参考功率和总偏移量；最后根据参考功率和总偏移量，确定当前工艺阶段的功率调整策略。该方法通...
    2026-05-03
  • 一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备
    一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511750596.1
    本申请公开了一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备，隔离环采用透明材料制作，用于设置在工艺腔室的侧壁内侧，以进行隔热，所述隔离环包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面用于靠近所述工艺腔室的底部设置，所述第二面用于靠近所述工艺腔室的顶部设置；...
    2026-05-03
  • 晶体直径测量装置
    晶体直径测量装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511796776.3
    本发明涉及一种晶体直径测量装置。所述晶体直径测量装置包括：固定组件，用于固定于单晶炉的视窗上，所述单晶炉用于生长单晶硅晶棒；移动组件，包括连接于所述固定组件上的导轨和安装于所述导轨上的滑块，所述导轨呈直线型，且所述滑块能够沿所述导轨滑动；测...
    2026-05-03
  • 生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法
    生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411541765.6
    本发明涉及生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法。该生长系统可包括至少部分地被绝缘层包封的坩埚、位于该坩埚内并且被配置为保持碳化硅(SiC)籽晶的生长区、位于该坩埚内并且被配置为保持SiC源材料的源材料区。该生长系统还可包括位于该坩埚内并且...
    2026-05-03
  • 一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法
    一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511796604.6
    本发明公开了一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法，包括以下步骤：S1、准备掺As衬底材料，将衬底材料装入外延炉；S2、向外延炉腔体内通入HCl进行刻蚀；S3、向外延炉腔体内通入PH3和SiH2Cl2，在生长温度1060‑1...
    2026-05-03
  • 一种石墨基碳化硅涂层气体分流盘的制备方法
    一种石墨基碳化硅涂层气体分流盘的制备方法_浙江芯之纯半导体材料有限公司_202511799865.3
    本发明涉及一种石墨基碳化硅涂层气体分流盘的制备方法，包括以下步骤：利用纯度≥99.9%的石墨制备成石墨托盘；而后将石墨托盘放入处理炉内进行高温纯化处理，得纯化后高纯石墨托盘；在纯化后高纯石墨托盘的外表面设置碳化硅层(厚度为5~10μm)，所...
    2026-05-03
  • 大尺寸单晶硅的拉晶方法
    大尺寸单晶硅的拉晶方法_宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司_202511575525.2
    本发明提供一种大尺寸单晶硅的拉晶方法，属于半导体材料领域。包括：将硅料放入合成砂坩埚中进行熔料；在安定、引晶、放肩、转肩、等径及收尾工序中施加磁场，并对应调节不同的拉速，以抑制熔体对流。本发明通过采用合成砂坩埚进行拉晶，减少由坩埚引入的外部...
    2026-05-03
  • 一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法及其应用
    一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法及其应用_河北镁神科技股份有限公司_202511784850.X
    本发明涉及无机功能材料技术领域，提出了一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法及其应用。一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法，包括以下步骤：向溶剂中加入改性剂，搅拌，得到改性剂溶液；取氢氧化镁晶须加入改性剂溶液，超声、搅拌、离心、洗涤、干燥，得到表...
    2026-05-03
  • 一种可视化体内医用静电纺丝装置及系统
    一种可视化体内医用静电纺丝装置及系统_上海市第一人民医院_202512008584.8
    本发明提供一种可视化体内医用静电纺丝装置及系统，涉及医疗器械领域。本发明包括体外喷注控制机构、可视化机构和溶液喷注机构；溶液喷注机构包括绝缘保护套管，绝缘保护套管的内腔中设有喷注组件，绝缘保护套管和喷注组件之间还设有环周导电片，环周导电片用...
    2026-05-03
  • 一种大豆牛奶复合蛋白纤维的制备系统及工艺
    一种大豆牛奶复合蛋白纤维的制备系统及工艺_上海全宇生物科技遂平有限公司_202511891921.6
    本发明涉及一种大豆牛奶复合蛋白纤维的制备系统及工艺；复合制备筒体的上部连通有抽液泵，抽液泵与进液计量器相连通，复合制备筒体内设置有加热仓，加热仓内设置有电加热管，复合制备筒体另一端设置有带有出液泵的排液管，在排液管内侧的复合制备筒体内壁安装...
    2026-05-03
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