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  • 一种在间断覆盖期间及之后改善紧急服务的方法,应用于用户设备(UE),包括以下步骤。运行一非接入层(NAS)信令等待计时器一时间段。在该时间段内建立一紧急协议数据单元(PDU)会话。或者,在该时间段内执行一紧急服务回退程序。启动一NAS信令。
  • 描述了在从网络接收到状态消息后允许用户设备(UE)释放连接的技术。一个设备(例如,UE)从网络接收一条消息。然后,该设备在接收到消息时针对计时器采取行动,以允许网络释放现有连接或防止现有连接被释放,具体取决于消息。
  • 本发明的各个方面涉及一种用于无线通信的用户装备UE。所述UE包括:至少一个存储器;及至少一个处理器,其与所述至少一个存储器耦合且经配置以使所述UE执行一种方法的步骤。所述方法包含向第一应用层功能发送第一请求以建立应用层多接入数据会话,所述多...
  • 一种用于气溶胶生成系统(200)的加热器组件(100),所述加热器组件(100)包括:用于蒸发液体气溶胶生成基质的电阻加热元件(102);和用于向电阻加热元件(102)传送液体气溶胶生成基质的多孔体(104),所述多孔体(104)具有液体吸...
  • 本发明的一个方面涉及一种用于汽车照明装置的照明电路,该照明电路包括:多个光源,该多个光源被配置为产生光通量水平,集成电路,被配置为供应驱动电流以偏置多个光源中的至少一个光源的光通量水平,以及与集成电路连接的补偿电路。补偿电路被配置为调整驱动...
  • 描述了用于光源控制器电路的寿命延长的技术。展现了一种热翻转算法,以用于保护安装在电子板上的光源控制器免于因光源导致的过热。该方法包括:基于安装有控制电路的电子板的温度来调节LED模块的调光。
  • 一种连接器固位帽组件包括外板、内板、至少一个偏压机构和固位件。至少一个偏压机构设置在外板与内板之间,并且使外板偏离内板。固位件将内板连接至外板并且将内板远离外板的位移限制在最大距离内。
  • 提供具有高信号导体密度和高信号完整性的柔性电路实施例。描述配置成放置成与所述柔性电路电通信的电通信系统。描述电通信系统,其包含可选择性地与安装到柔性电路的电连接器互配的电连接器,以及安装到例如印刷电路板(PCB)的衬底的电连接器。
  • 提供一种集合基板,其能够提高用于从将电路基板格子状地并列设置而成的集合基板获得一个个电路基板的作业效率。该集合基板具备:产品部(3),在该产品部中,将各自在绝缘基板(13)上具有电路图案(15)的多个电路基板(17)在相互地交叉的第一方向及...
  • 本发明涉及印刷电路板、电子装置和机电设备。所述印刷电路板被构造成具有至少两个导电层和至少一个介电层,所述导电层与所述介电层被堆叠布置,并且所述介电层布置在两个相邻的导电层之间,所述介电层中的至少一个介电层包含第一介电材料,所述第一介电材料是...
  • 一种伸缩性基板,其具有彼此相对的第1主面和第2主面,其中,所述伸缩性基板具有以下特征中的任一者:(1)通过X射线光电子能谱法测定的所述第1主面和所述第2主面中的至少一者的氧原子的相对于全部原子的比率是5原子%以上;(2)在所述第1主面或所述...
  • 本发明提供一种电磁波屏蔽材料、包括该电磁波屏蔽材料的电子部件及电子设备,上述电磁波屏蔽材料具有包含磁性粒子的磁性层,上述磁性层的划痕截面积为0.08μm22以上且1.25μm22以下。
  • 本公开内容涉及用于半导体装置中的栅极线结构的方法、装置、系统和技术。示例半导体装置包括半导体结构,半导体结构包括交替的导电层和隔离层的堆叠体。半导体装置还包括沿第一方向延伸穿过堆叠体的沟道结构。沟道结构至少包括沿第一方向具有顶端和底端的第一...
  • 一种相变存储器(PCM)器件(10)包括电绝缘材料(11)及嵌入于电绝缘材料(11)中的PCM单元(12‑16)。PCM单元(12‑16)包括相变材料层(或简称为PCM层),例如包括锗‑锑‑碲合金的层。PCM层(14)具有顶表面、底表面和连...
  • 一实施例,提供一种HEMT(high electron mobility transistor),包括:第一漏极端子;栅极端子;第二漏极端子;沟道层,一部分与所述第一漏极端子及所述栅极端子共同形成第一元件,另一部分与所述第二漏极端子及所述栅...
  • 提供一种电特性良好的晶体管、通态电流大的晶体管、寄生电容小的晶体管。提供一种微型化的晶体管、能够高集成化的半导体装置、存储装置或显示装置。该半导体装置包括晶体管、第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层,晶体管包括第一...
  • 根据实施例,半导体器件(100)包括半导体本体(1),该半导体本体具有第一导电类型的第一类型接触区(11)、第二导电类型的第二类型接触区(12)和第一导电类型的漂移区(14)。半导体器件进一步包括主电极(2)和栅极电极(3)。在漂移区与第二...
  • 本发明涉及一种半导体器件(100),所述半导体器件(100)包括:芯片层(101);延伸到所述芯片层(101)中的沟槽(111),其中,所述沟槽(111)包括沟槽底部(111a)和沟槽侧壁(111b);布置在所述沟槽底部(111a)下方的第...
  • 本发明涉及一种半导体结构(SC),该SC包括支撑体(1a)以及直接设置在支撑体(1a)上的介电层(1b)。至少一个pFET结构直接位于介电层(1b)上,每个pFET结构包括由压缩应变硅锗制成的沟道纳米片的第一堆叠体以及对第一堆叠体的每个沟道...
  • 本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述阵列基板包括:衬底;多个端子,位于所述衬底一侧的所述绑定区;第一公共走线,位于所述衬底的一侧,所述第一公共走线环绕所述显示区设置,至少包括:位于所述绑定对侧区、且沿第一方向延伸的第一子部...
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