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最新专利技术
  • 一种多靶离子束溅射镀膜装置及其使用方法
    一种多靶离子束溅射镀膜装置及其使用方法_中原工学院_202511742136.4
    本发明提出了一种多靶离子束溅射镀膜装置及其使用方法，所述装置包括真空腔体，真空腔体内设置有基底载盘，以及与基底载盘垂直相对的辅助离子枪，辅助离子枪的左右两侧均设置有主离子枪和靶材调换机构，靶材调换机构包括支撑框，支撑框内设置有360度旋转的...
    2026-03-19
  • 一种用于镜片双面镀膜的翻转式真空镀膜设备及镀膜方法
    一种用于镜片双面镀膜的翻转式真空镀膜设备及镀膜方法_丹阳市鼎新机械设备有限公司_202512045307.4
    本发明公开了一种用于镜片双面镀膜的翻转式真空镀膜设备及镀膜方法，包括镀膜箱体及连接于镀膜箱体前端的箱门，所述镀膜箱体内可拆卸连接有伞架，所述伞架设置有多个通孔，所述通孔内连接有用于放置镜片的旋转盘，所述旋转盘连接有用于镜片限位的限位机构，所...
    2026-03-19
  • 一种基于机器学习优化的高熵合金耐腐蚀涂层及其制备方法
    一种基于机器学习优化的高熵合金耐腐蚀涂层及其制备方法_天津大学_202511618599.X
    本发明涉及涂层制备技术领域，尤其涉及一种基于机器学习优化的高熵合金耐腐蚀涂层及其制备方法，该制备方法包括构建高熵合金涂层的制备数据集，以所述制备数据集中涂层元素成分、工艺参数及腐蚀环境参数作为输入特征，以腐蚀层厚度、硬度和弹性模量作为输出特...
    2026-03-19
  • 一种真空阀的控制方法、装置、设备以及存储介质
    一种真空阀的控制方法、装置、设备以及存储介质_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202610024706.4
    本申请公开了一种真空阀的控制方法、装置、设备以及存储介质，涉及真空阀领域，该方法包括：获取真空室气压和气压变化率；根据所述气压变化率，判断执行的动作；若判断执行的动作为抽真空过程，根据所述真空室气压，确定在抽真空过程中所属的真空阶段；根据所...
    2026-03-19
  • 玻璃镀膜运送机构及控制方法
    玻璃镀膜运送机构及控制方法_深圳市旗滨新材料科技有限公司_202511742621.1
    本发明涉及玻璃镀膜技术领域，尤其涉及一种玻璃镀膜运送机构及控制方法，玻璃镀膜运送机构包括运送线和检测组件。运送线包括依次设置的镀膜段、N个过渡段和输出段，每个过渡段均配置一个过渡驱动件，N个过渡驱动件分别驱动N个过渡段运送玻璃。控制方法包括...
    2026-03-19
  • 用于多孔薄膜的真空镀膜设备及方法
    用于多孔薄膜的真空镀膜设备及方法_江苏英联复合集流体有限公司_202512046045.3
    本发明涉及一种用于多孔薄膜的真空镀膜设备及方法，所述用于多孔薄膜的真空镀膜设备包括传动装置、第一涂覆装置和第二涂覆装置、以及第一清洁装置和第二清洁装置、第一镀膜装置和第二镀膜装置，传动装置包括转动设置地第一镀膜辊筒和第二镀膜辊筒，所述第一镀...
    2026-03-19
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备_苏州德耐纳米科技有限公司_202610042975.3
    本发明公开了一种真空镀膜设备，包括设备壳体，和用于输送工件的链传动机构，以及用于调整工件姿态的调节机构，所述链传动机构上设置有两组固定条，所述固定条与齿条轴顶端轴承连接，所述齿条轴的底端活动连接有用于固定工件的固定座，所述调节机构包括多个可...
    2026-03-19
  • 电极板生产加工方法
    电极板生产加工方法_成都莒纳新材料科技有限公司_202511408933.9
    本发明公开了电极板生产加工方法，包括以下步骤：将催化剂沉积到泡沫镍表面；在沉积完成之后，进行清洗工序；进行烘干，烘干步骤采用均匀烘干装置。电极板生产用均匀烘干装置包括壳体，壳体上设有多个进料槽；多个烘干机构，烘干机构可水平移动地设置在壳体内...
    2026-03-19
  • 一种高取向石墨烯-铜复合结构的制备方法
    一种高取向石墨烯-铜复合结构的制备方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511776700.4
    一种高取向石墨烯‑铜复合结构的制备方法，包括如下步骤：(1)铜基体预处理：对铜箔或铜板进行机械抛光及退火处理，以形成优选晶面；(2)构建界面限域结构：在铜表面沉积或贴覆限域层，所述限域层与铜表面形成受限空间；(3)界面限域下的石墨烯生长：在...
    2026-03-19
  • 热丝化学气相沉积设备及制备掺硼金刚石薄膜电极的方法
    热丝化学气相沉积设备及制备掺硼金刚石薄膜电极的方法_浙江浙能科技环保集团股份有限公司_202512005703.4
    本发明公开了一种热丝化学气相沉积设备及制备掺硼金刚石薄膜电极的方法，涉及掺硼金刚石薄膜电极制备技术领域，包括控制系统，以及与控制系统电连接的真空系统、进气系统、加热系统和冷却系统，真空系统内用于形成反应腔室，且真空系统能够在控制系统的控制下...
    2026-03-19
  • 一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置
    一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512056188.2
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置，其中化学气相沉积方法通过获取待沉积产品的标识信息，提取其多晶硅密度参数，根据多晶硅密度参数确定薄膜理论厚度，并结合器件设计所需的薄膜目标厚度动态调整化学气相沉积...
    2026-03-19
  • 一种氮化硅薄膜生长均匀性的改善方法
    一种氮化硅薄膜生长均匀性的改善方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085880.7
    本发明提供一种氮化硅薄膜生长均匀性的改善方法，该改善方法包括以下步骤：提供一晶圆批次，晶圆批次包括多个晶圆；对晶圆批次中的预设晶圆进行化学预处理，以在预设晶圆的上表面的预处理区域引入负电荷基团；将晶圆批次置于炉管设备中以于晶圆批次中各个晶圆...
    2026-03-19
  • 用于生产硅碳材料的流化床反应装置
    用于生产硅碳材料的流化床反应装置_苏州纽姆特技术创新服务有限公司_202511810811.2
    本发明涉及锂离子电池材料制备设备技术领域，具体而言，涉及用于生产硅碳材料的流化床反应装置。其包括流化床反应器本体、加热装置和复合取热装置；复合取热装置包括取热管束和多个氮气喷射口，取热管束设置于流化床反应器本体内，并与流化床反应器本体连接，...
    2026-03-19
  • 多腔式原子层镀膜方法与系统
    多腔式原子层镀膜方法与系统_邱博文_202411649917.4
    一种多腔式原子层镀膜方法与系统，所述多腔式原子层镀膜方法包括：将基材输送到第一腔室中；将前驱物供料至所述第一腔室中以吸附在所述基材的顶表面上；将辐射能供应至所述基材的所述顶表面，促进所述前驱物与所述基材的顶表面间的反应；将吸附有所述前驱物的...
    2026-03-19
  • 薄膜沉积设备
    薄膜沉积设备_三星显示有限公司_202511088702.4
    薄膜沉积设备包括支撑基底的支撑件、以及包含沿着平行于支撑件的主表面的第一方向布置的第一喷射区段和第二喷射区段的喷射单元。在喷射单元中，第一喷射区段配置为将源气体喷射到基底的一个表面上并排出源气体，并且第二喷射区段配置为将反应气体喷射到基底的...
    2026-03-19
  • 一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用
    一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用_广州新视界光电科技有限公司_202511394477.7
    本发明公开了一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用，属于有机光电器件封装技术领域。本发明通过优化原子层沉积(ALD)与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)成膜的薄膜结构与工艺，使制备的薄膜水蒸气透过率(WVTR)显著降低，进一步引入氧化物...
    2026-03-19
  • 空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿
    空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿_朗姆研究公司_202511399308.2
    一种用于在晶片的下侧表面上沉积膜的等离子体加工室，包括喷头基座。喷头基座包括第一分区和第二分区。上分离器翅片设置在喷头基座的顶表面上方，并且下分离器翅片设置在喷头基座的顶表面下方并与上分离器翅片对齐。第一分区被配置用于将第一膜沉积到晶片的下...
    2026-03-19
  • 一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法
    一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法_西安近代化学研究所_202511464659.7
    本发明提供了一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法，该方法包括X个晶态氧化铝薄膜生长周期；每个晶态氧化铝薄膜生长周期包括执行x次氧化铝原子层沉积工艺及y次原位激光退火工艺。的氧化铝原子层沉积工艺的反应室温度为100℃～250℃。晶态氧...
    2026-03-19
  • 改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备
    改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备_重庆芯联微电子有限公司_202511465627.9
    本发明提供一种改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备，通过在ALD设备的反应腔内设置射频电极，可对半导体基底表面进行等离子体预处理，以降低半导体基底的表面能，提升前驱体吸附均匀性；将单次脉冲拆分为多次子脉冲，且在子脉冲间隔时进行吹扫处理，...
    2026-03-19
  • 一种CVD炉的工艺气体导入管结构
    一种CVD炉的工艺气体导入管结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511613492.6
    本发明涉及一种CVD炉的工艺气体导入管结构。其包括一用于安装在炉体上的连接管，连接管呈T形管，连接管包括用于对接气体进口的对接管部以及导向套部，对接管部与导向套部相互垂直且相互导通；还包括一接头管，接头管滑动设置在导向套部的内部，导向套部的...
    2026-03-19
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