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最新专利技术
  • 电镀夹具
    电镀夹具_深圳市大族数控科技股份有限公司_202411004583.5
    本申请涉及一种电镀夹具，电镀夹具包括第一夹持单元、第二夹持单元和两个第三夹持单元，第一夹持单元和所述第二夹持单元沿第一方向间隔且彼此相连，以分别夹持基板沿第一方向的相对两端，两个第三夹持单元沿第二方向间隔布设，以分别夹持基板沿第二方向的相对...
    2026-04-01
  • 一种气动薄膜调节阀的加工工艺
    一种气动薄膜调节阀的加工工艺_杭州杭氧工装泵阀有限公司_202511647013.2
    本发明为了解决现有技术难以控制气体的纯度和流量达到使用的工艺需求，提供了一种气动薄膜调节阀的加工工艺，包括改进阀体，对阀体进行加工前处理、使用电解液进行电解抛光，抛光时电解液强制循环、对阀体进行后处理、对阀体进行全面性能验证。本发明通过大量...
    2026-04-01
  • 一种铝合金增材件的抛光方法及抛光装置
    一种铝合金增材件的抛光方法及抛光装置_中国科学院金属研究所_202511763402.1
    本发明提供一种铝合金增材件的抛光方法及抛光装置，包括以下步骤：将铝合金增材件置于浸蚀液中，以去除所述铝合金增材件表面及内部的残粉、飞溅物与球化层，得到化学浸蚀处理后的铝合金增材件；电解抛光处理：对所述化学浸蚀处理后的铝合金增材件进行电解抛光...
    2026-04-01
  • 用于微米级尺度材料电化学表面处理的精密脉冲恒流装置
    用于微米级尺度材料电化学表面处理的精密脉冲恒流装置_西北有色金属研究院_202511770971.9
    本发明公开了一种用于微米级尺度材料电化学表面处理的精密脉冲恒流装置，属于电化学设备技术领域。本发明通过设置电源系统、电解液系统和控制系统，控制系统控制电源系统对电解液系统中待处理工件进行电化学作业；其中，电源系统包括有电解液加热系统、电解液...
    2026-04-01
  • 一种γ射线辐照的非平衡相Sn3Bi纳米晶及其制备方法
    一种γ射线辐照的非平衡相Sn3Bi纳米晶及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511623991.3
    本发明属于材料科学与冶金工程技术领域，尤其涉及一种γ射线辐照的非平衡相Sn33Bi纳米晶及其制备方法，该方法包括：对经表面预处理以去除杂质和氧化物的SnBi钎料合金，采用6060Co源发射的γ射线进行辐照处理，通过γ射线诱导缺陷与原子位移效...
    2026-04-01
  • 一种单晶双相钠离子电池层状正极材料及其制备方法和应用
    一种单晶双相钠离子电池层状正极材料及其制备方法和应用_陕西科技大学_202511615314.7
    本发明公开了一种单晶双相钠离子电池层状正极材料及其制备方法和应用，方法包括步骤：步骤1、将Ni(CH33COO)22·4H22O、Mn(CH33COO)33·2H22O和CH33COONa溶解于去离子水和无水乙醇的混合溶剂，接着加入柠檬酸，...
    2026-04-01
  • 一种BiFeO3/CoFe2O4二维单晶异质结材料、固相烧结方法及应用
    一种BiFeO3/CoFe2O4二维单晶异质结材料、固相烧结方法及应用_云南师范大学_202511522680.8
    本发明公开了一种BiFeO33/CoFe22O44二维单晶异质结多铁材料、固相烧结制备方法及应用，包括：1)制备单晶铁酸铋和铁酸钴的固体混合物；2)向固体混合物中加入一定浓度的十二烷基苯磺酸钠溶液，得到反应物料；3)将反应物料使用超声震荡混...
    2026-04-01
  • 一种高首效小颗粒单晶超高镍三元正极材料的制备方法
    一种高首效小颗粒单晶超高镍三元正极材料的制备方法_合肥工业大学_202610003268.3
    本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种高首效小颗粒单晶超高镍三元正极材料的制备方法。该方法先将超高镍三元前驱体与锂源、钨源均匀混合，经机械致密化压制成块状固体，再通过四段程序控温煅烧制得目标材料。机械致密化可降低单晶生长的界面融合阻力...
    2026-04-01
  • 一种碘元素掺杂补偿生长高电阻率钙钛矿FAPbBr3单晶的方法及应用
    一种碘元素掺杂补偿生长高电阻率钙钛矿FAPbBr3单晶的方法及应用_中国人民解放军空军工程大学_202511450546.1
    本发明公开了一种碘元素掺杂补偿生长高电阻率钙钛矿FAPbBr33单晶的方法及应用，涉及钙钛矿晶体生长技术领域。所述方法包括获取前驱体溶液，将前驱体溶液封后置于恒温水浴中进行分阶段升温处理，即得碘元素掺杂补偿生长的高电阻率钙钛矿FAPbBr3...
    2026-04-01
  • 空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法
    空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法_重庆大学_202511712473.9
    本发明涉及一种空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法。该制备方法包括：提供氧化亚铜晶体；分别将镍盐前驱体、钴盐前驱体、铬盐前驱体、锰盐和/或铁盐前驱体以及氧化亚铜晶体加入乙醇/水混合溶剂中配置成均匀分散的悬浮液；将聚乙烯吡咯烷酮加入上述悬...
    2026-04-01
  • 一种BaM籽晶及其制备方法和应用
    一种BaM籽晶及其制备方法和应用_成都飞锐特科技有限公司_202511721069.8
    本发明提供了一种BaM籽晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将BaCO33、Fe22O33和作为助熔剂的K22CO33混合熔融，得到均匀的熔体；对熔体进行保温和阶段式降温，使籽晶自发成核并生长，得到初始籽晶；将初始籽晶从凝固后的熔体中分...
    2026-04-01
  • 助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法
    助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法_西安交通大学_202511754293.7
    本发明公开了一种助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法，属于晶体材料制备技术领域。本发明包括高压腔体，内部自上而下依次包括阻流罩、回流腔和单晶生长腔；其中回流腔为双锥导流结构；阻流罩盖合于回流腔顶部；压力调控系统包括压力振荡气路、晶体...
    2026-04-01
  • 一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉
    一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉_哈尔滨理工大学_202610010412.6
    本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉，包括：安装架、设置在安装架一侧的升降装置和固定在升降装置升降端的加热炉，所述安装架上固定安装有底座，所述底座上方设置有固定法兰，所述固定法兰上端设置有支撑...
    2026-04-01
  • 一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法
    一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法_包头美科硅能源有限公司_202511527173.3
    本发明涉及单晶硅加工技术领域，具体是涉及一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法，包括安装座，安装座上设有伸缩机构，伸缩机构包括固定筒和伸缩杆，伸缩杆上设有撒料机构，撒料机构包括撒料筒和送料螺杆，撒料筒呈倾斜状态，且其上下两端的外壁上分...
    2026-04-01
  • 单晶电阻率控制方法、装置和电子设备
    单晶电阻率控制方法、装置和电子设备_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511787209.1
    本申请公开了一种单晶电阻率控制方法、装置和电子设备，属于单晶制备技术领域，用于通过预先制备的外延母合金片对目标单晶进行掺杂，外延母合金片包括本征硅衬底和设于本征硅衬底上的外延层，外延层具有外延电阻率，该方法包括基于目标单晶的单晶参数、外延电...
    2026-04-01
  • 单晶硅棒和硅片的制备方法以及硅片
    单晶硅棒和硅片的制备方法以及硅片_青海晶科能源有限公司_202511667399.3
    本申请实施例涉及单晶硅制备领域，提供一种单晶硅棒和硅片的制备方法以及硅片，该方法包括：在单晶硅棒的等径生长阶段，控制单晶硅棒经过单晶炉中第一位置区间的时间为第一时长；在等径生长阶段，控制单晶硅棒经过单晶炉中第二位置区间的时间为第二时长，第一...
    2026-04-01
  • 一种碳化硅生长炉
    一种碳化硅生长炉_连科半导体有限公司_202511618177.2
    本发明属于晶体加工技术领域，具体的说是一种碳化硅生长炉，包括设备主体，设备主体顶端的一侧安装有炉体，炉体内部的中部固定有内胆，内胆的外部固定有加热器，设备主体靠近炉体的一侧固定有支撑杆，支撑杆的外部套设有升降架，升降架的一侧固定有密封盖，支...
    2026-04-01
  • 一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法
    一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法_嘉兴鬃晶科技有限公司_202511889605.5
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法，将SiC 粉末放入石墨坩埚中生长，SiC 粉末在放入石墨坩埚前进行预处理：控制SiC 粉末中受主杂质总浓度Naa与施主杂质浓度Ndd满足：0.8Ndd≤ Naa≤ 1.2...
    2026-04-01
  • 一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜
    一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜_中国南方电网有限责任公司_202511572337.4
    本申请涉及一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜。所述方法包括：提供一单晶衬底；在单晶衬底上外延生长一水溶性牺牲层；在水溶性牺牲层上外延生长单晶钴酸镍薄膜；将生长有单晶钴酸镍薄膜的样品浸入目标溶剂中，使水溶性牺牲层溶解后，单晶钴酸镍薄膜从单晶衬底上...
    2026-04-01
  • 内衬和半导体工艺腔室
    内衬和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411040009.5
    本发明公开一种内衬和半导体工艺腔室，半导体工艺腔室包括腔体和设置在腔体内的支撑座，内衬包括：内衬本体，用于设置在腔体内且环绕支撑座设置，内衬本体开设有第一进气通道；隔挡件，第一进气通道通过隔挡件被分隔为多个进气子通道，多个进气子通道沿内衬本...
    2026-04-01
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