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最新专利技术
  • 一种晶体材料制备的提纯工艺及设备
    一种晶体材料制备的提纯工艺及设备_四川华树航新材料有限公司_202511601710.4
    本发明公开了一种晶体材料制备的提纯工艺及设备，具体涉及晶体材料制备技术领域，包括以下操作步骤：S1、原料预处理：取待提纯晶体材料，晶体材料重量为100‑500g，去除表面可见杂质后进行破碎处理，形成晶体颗粒，粒径为0.5‑2mm。该晶体材料...
    2026-03-23
  • 一种Pb基杂化钙钛矿MAPbBr3-nCln晶体的同质与异质籽晶外延生长方法及应用
    一种Pb基杂化钙钛矿MAPbBr3-nCln晶体的同质与异质籽晶外延生长方法及应用_中国人民解放军空军工程大学_202511450543.8
    本发明公开了一种Pb基杂化钙钛矿MAPbBr3‑n3‑nClnn晶体的同质与异质籽晶外延生长方法及应用，涉及钙钛矿晶体生长技术领域。所述方法包括获取同质籽晶或者异质籽晶；将MABr、PbBr22、PbCl22溶解于有机溶剂中，经过滤后，得到...
    2026-03-23
  • 晶体生长装置及结晶方法
    晶体生长装置及结晶方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511957583.1
    本发明提供一种晶体生长装置及结晶方法，包括：主腔室；位于主腔室内的坩埚，用于容纳原料熔体，坩埚的开口上方与主腔室的内壁之间具有第一冷却区；籽晶杆，用于连接籽晶后与原料熔体的表面接触进行结晶生长；位于主腔室内的电阻加热器，设置于坩埚周围，用于...
    2026-03-23
  • 一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法
    一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法_华冠半导体(河源)有限公司_202511599632.9
    本发明公开了一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶，包括以下原料：InP多晶料、无水三氧化二硼、红磷和硫化铟；其制备方法，包括以下步骤：将上述原料加入坩埚中，然后置...
    2026-03-23
  • 一种降低单晶硅棒短断苞的方法
    一种降低单晶硅棒短断苞的方法_宁夏中环光伏材料有限公司_202410961916.7
    本申请提供一种降低单晶硅棒短断苞的方法，步骤包括：获取上一颗晶棒中等经段中的拉速修正量；获取上一颗晶棒的实际放肩功率降幅值；基于上一颗晶棒的拉速修正量和放肩功率降幅值，获得下一颗晶棒的预放肩功率降幅值。本申请一种降低单晶硅棒短断苞的方法，可...
    2026-03-23
  • 一种单晶炉副室合炉用定位引导装置及定位方法
    一种单晶炉副室合炉用定位引导装置及定位方法_包头美科硅能源有限公司_202511250442.6
    本发明涉及单晶炉副室定位技术领域，具体涉及一种单晶炉副室合炉用定位引导装置及定位方法，包括底座和立柱，立柱底部与底座顶部一端固定连接，底座顶部另一端与炉体底部固定连接，还包括导向柱、导向套、开合炉组件、纠偏环、挤压组件和联动组件，导向柱和副...
    2026-03-23
  • 一种单晶硅棒的电阻率调节方法
    一种单晶硅棒的电阻率调节方法_江苏芯诺半导体科技有限公司_202511675924.6
    本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种单晶硅棒的电阻率调节方法，包括：配制硅原料，装入单晶炉内进行熔料，熔料完毕后进行引晶和放肩操作；在放肩阶段结束时停止拉晶，保留硅熔体在单晶炉内并取出肩状硅体；测试肩状硅体的电阻率，获得实测电阻率；判...
    2026-03-23
  • 一种拉晶热场控制方法、拉晶热场系统和应用
    一种拉晶热场控制方法、拉晶热场系统和应用_青海高景太阳能科技有限公司_202511694399.2
    本发明涉及半导体材料领域，具体而言，涉及一种拉晶热场控制方法、拉晶热场系统和应用。所述的拉晶热场控制方法，包括以下步骤：在直拉单晶硅的等径生长阶段，当硅棒固化率≤30%时，将氩气流量控制在90~120SLPM，将炉压控制在800~1000P...
    2026-03-23
  • 一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质
    一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质_深圳市朗帅科技有限公司_202511956358.6
    本发明公开了一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质，涉及氧化镓单晶温控技术领域，包括，实时监测晶体生长区的温度分布数据；根据温度分布数据设定预热曲线，并对晶体生长区进行逐步加热，获取稳定温度数据；基于稳定温度数据，通过粒子群优化算...
    2026-03-23
  • 基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法
    基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法_西安理工大学_202512007978.1
    本申请提出一种基于事件触发学习的半导体硅单晶生长值预测方法，属于硅单晶生长预测技术领域。包括以下步骤：根据硅单晶生长机理构建值状态空间模型；将值状态空间模型嵌入长短期记忆网络中，构建网络模型；在网络模型中引入注意力机制，并依次进行加权融合处...
    2026-03-23
  • 单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质
    单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511566789.1
    本发明提供单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体拉晶技术领域，在单晶等径生长过程中，获取当前周期直径测量值、晶棒拉速检测值、直径设定值及晶棒拉速设定值；基于当前直径测量值、直径设定值计算当前直径偏差值；基于...
    2026-03-23
  • 基于拉速的放肩控制方法、装置、设备和存储介质
    基于拉速的放肩控制方法、装置、设备和存储介质_无锡唯因特数据技术有限公司_202511685975.7
    本发明提供一种基于拉速的放肩控制方法，包括以下步骤：对于选定的晶体规格，选择对应的预先配置的直径生长速率预测模型和拉速预测模型；在放肩阶段，当晶体按照SOP控制生长至预设长度时，通过直径生长速率预测模型预测获得晶体长度为预设长度+一个单位长...
    2026-03-23
  • 一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统
    一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511712514.4
    本发明公开了一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统，汞监测收集装置包括排气管，所述排气管的入口用于与反应室相连，所述排气管沿排气方向依次设有反应室排气阀、冷阱、文丘里管和鼓泡瓶，所述鼓泡瓶内设有磁性脱汞剂，所述排气管的入口至文丘里管之间的...
    2026-03-23
  • 一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置
    一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置_广州南砂晶圆半导体技术有限公司_202511743108.4
    本申请涉及碳化硅单晶生长设备技术领域，尤其涉及一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置，用于碳化硅单晶生长的加热器包括相对设置的第一加热单元和第二加热单元；第一加热单元和第二加热单元合围构成用于容纳碳化硅单晶生长坩埚的空间；第一加...
    2026-03-23
  • 一种利用碘作为输运剂使用气相输运法生长1T-TaS2单晶的方法
    一种利用碘作为输运剂使用气相输运法生长1T-TaS2单晶的方法_浙江光电子研究院_202511433299.4
    本发明提出了一种利用碘作为输运剂使用气相输运法生长1T‑TaS22单晶的方法，属于单晶制备领域。该方法包括如下步骤：(1)通过固相反应法反复烧结制备TaS22多晶，(2)将TaS22多晶与输运剂I22混合均匀，通过化学气相输运的方法制备1T...
    2026-03-23
  • 一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备
    一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511599108.1
    本申请公开了一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备，所述传片腔室内设置有第一连接管和第一运动装置；所述传片腔室的下游端设有传片口；所述第一运动装置用于带动所述第一连接管移动；所述第一连接管移动至第一目标位置，所述第一连接管用于将反应腔室的出...
    2026-03-23
  • 一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用
    一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用_苏州信越半导体有限公司_202511682288.X
    本发明提供一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用，所述分子束外延装置包括生长室；所述生长室内设置有载台；所述载台由下至上依次设置有第一台阶和第二台阶；所述第一台阶上放置有衬底，且所述衬底的背面朝向所述第二台阶；所述第二台阶上放置有遮...
    2026-03-23
  • 一种自动传片MOCVD设备
    一种自动传片MOCVD设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511712530.3
    本发明公开了一种自动传片MOCVD设备，包括：反应腔体以及设置在反应腔体内的石墨基座，石墨基座上均布有多个石墨小盘，石墨小盘用于承载晶圆，所述石墨基座与反应腔体外部的旋转驱动部件连接，以实现石墨基座带动石墨小盘在反应腔体内旋转；反应腔体与石...
    2026-03-23
  • 一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统
    一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统_季华实验室_202511996304.2
    本申请涉及分子束外延技术领域，具体提供了一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统，方法包括步骤：S1、按照预设温度变化速率对待净化坩埚进行升温，直至待净化坩埚的温度达到第一预设峰值温度；S2、将待净化坩埚的温度保持在第一预设峰值温度...
    2026-03-23
  • 铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用
    铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用_南昌大学_202511895120.7
    本发明公开了铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用，涉及光电子半导体材料技术领域。铅盐单晶敏化薄膜的制备方法包括以下步骤：S1、在基底上生长铅盐薄膜；S2、将所述铅盐薄膜进行氧气高温预敏化处理，形成氧掺杂铅盐薄膜；S3、将所述氧...
    2026-03-23
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