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最新专利技术
  • 包括跨层不连续部分的公共阴极的串联光电子器件
    包括跨层不连续部分的公共阴极的串联光电子器件_OTI公司_202480039706.0
    多层光电子器件在至少一个侧向朝向上延伸，并且包括第一发射区域和第二发射区域以及侧向设置在第一发射区域与第二发射区域之间的至少一个层不连续部。发射区域中的每个发射区域包括相应的第一电极和第二电极以及在第一电极与第二电极之间的至少一个半导体层(...
    2026-01-29
  • 显示装置
    显示装置_株式会社半导体能源研究所_202480035996.1
    提供一种显示质量高的显示装置。提供一种显示装置，该显示装置包括在第一绝缘层上并彼此相邻地配置的包括第一EL层的第一发光器件及包括第二EL层的第二发光器件以及设置在它们之间的第二至第四绝缘层，第二绝缘层与第一EL层及第二EL层的顶面的一部分及...
    2026-01-29
  • 有机发光器件
    有机发光器件_株式会社LG化学_202580003389.1
    本公开内容涉及具有改善的特性例如低驱动电压、高效率和长寿命的有机发光器件。
    2026-01-29
  • 自旋波导波结构体
    自旋波导波结构体_信越化学工业株式会社_202480041430.X
    本发明为一种自旋波导波结构体，具有：绝缘磁性体膜；以及周期性导电体膜，其配置于所述绝缘磁性体膜的两表面中的至少一个表面上，由具有周期性结构的导电体膜构成，所述周期性导电体膜的周期性结构为所述导电体膜由多个小片膜的集合体构成，所述小片膜相互电...
    2026-01-29
  • 电极形成方法
    电极形成方法_周星工程股份有限公司_202480042110.6
    公开了一种电极形成方法，用于在基板上形成包含铜和钌的电极，包括：通过使用含钌前驱体进行钌层形成循环N次(N为自然数)来形成钌层，以及通过使用含铜前驱体进行铜层形成循环M次(M为自然数)来在钌层上形成铜层。
    2026-01-29
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480042434.X
    基板接合装置1具有：等离子体处理单元2p；负载锁定室12，被搬入应在等离子体处理单元2p处理的基板W；解除负载锁定室14，被搬入已经被等离子体处理单元2p处理过的基板W；第二搬运室13；真空泵；第二搬运机器人R2，将基板W从负载锁定室12经...
    2026-01-29
  • 利用氮化硅的薄氧化物层的生长与转化
    利用氮化硅的薄氧化物层的生长与转化_应用材料公司_202480027581.X
    一种用于形成氧化物层的方法包括在形成于基板上的沟槽的侧壁上形成保护性层间氧化物，通过利用含氮工艺气体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在所述保护性层间氧化物上形成氮化硅层，所述氮化硅层具有从远离所述保护性层间氧化物的高浓度到靠近所述...
    2026-01-29
  • 形成镓氮氧化物层的方法
    形成镓氮氧化物层的方法_周星工程股份有限公司_202480034716.5
    本发明提供一种在基板上形成镓氮氧化物(GaON)层的方法，该方法包括如下步骤：喷射含镓(Ga)的源材料；通过喷射含氮的第一反应材料来形成镓氮化物层；以及向镓氮化物层上喷射含氧的第二反应材料。
    2026-01-29
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202480040468.5
    成膜方法包括下述步骤(A)~(C)。步骤(A)，准备基板，该基板在表面的不同区域具有第一膜以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜。步骤(B)，相对于所述第一膜的表面选择性地在所述第二膜的表面形成用于阻碍对象膜的形成的成膜阻碍膜。步骤...
    2026-01-29
  • 等离子体处理方法和等离子体处理装置
    等离子体处理方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480040812.0
    等离子体处理方法包括工序a1)、工序a2)以及工序a3)。在工序a1)中，在腔室内将第一气体和第二气体等离子体化，由此利用具有导电性的膜对腔室内的部件的表面进行涂覆。在工序a2)中，向腔室内搬入基板。在工序a3)中，在利用具有导电性的膜对腔...
    2026-01-29
  • 用于相对于硅选择性蚀刻硅锗或硅氮化物的自由基物质的热生成
    用于相对于硅选择性蚀刻硅锗或硅氮化物的自由基物质的热生成_朗姆研究公司_202480042168.0
    一种用于相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料的方法，包括将衬底设置于处理室中的衬底支撑件上，以及供应载气、至少一种热蚀刻剂气体以及至少一种自由基生成气体至处理室，以相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料。也公开了其它示例方法和系统...
    2026-01-29
  • 基板处理方法、基板处理装置及硬掩模
    基板处理方法、基板处理装置及硬掩模_东京毅力科创株式会社_202480041924.8
    提供可得到稳定蚀刻形状的基板处理方法、基板处理装置和硬掩模。一种基板处理方法，包括：准备具有含硅膜的基板的工序，以及通过溅射，在所述含硅膜上形成含钨、硅和氮的非晶膜即硬掩模的工序。
    2026-01-29
  • 蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法
    蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法_三菱瓦斯化学株式会社_202480041748.8
    本发明涉及能够在控制蚀刻量的同时在含铜金属层的表面形成良好的蚀刻面的蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明的蚀刻液是用于对含铜金属层的表面实施蚀刻的蚀刻液，其特征在于，以前述蚀刻液的总量基准计，包含：超过0.1质量%且等于或小于0.5...
    2026-01-29
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480043263.2
    本发明的基板处理装置(1)具备：基板保持部，保持圆板状的基板(9)；电极单元(5)，在进行蚀刻时，与基板(9)的周缘部(93)的一部分即对象部位对向，且具有第1电极(51)及第2电极(52)；处理液填充部(6)，其通过自喷出口(611)喷出...
    2026-01-29
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480042437.3
    本发明的目的在于提供一种可有效地降低基板的图案倒塌率的技术。本发明的基板处理方法具备保持工序、液供给工序、干燥液供给工序、及干燥工序。在保持工序中，保持具有形成有图案的第1主表面、及与第1主表面为相反侧的第2主表面的基板。在液供给工序中，对...
    2026-01-29
  • 吸附板、切断装置、及电子零件的制造方法
    吸附板、切断装置、及电子零件的制造方法_东和株式会社_202480042097.4
    本发明提供一种能够高精度地形成半切槽的吸附板。一种吸附板，对具有基板及树脂层的切断对象物进行保持，所述吸附板包括：基座构件，包括配置在设置有抽吸机构的基台上的基部、及形成为从所述基部向上方突出且形成有能够吸附所述树脂层的吸附面的突出部；以及...
    2026-01-29
  • 半导体加工用带和半导体加工用带的制造方法
    半导体加工用带和半导体加工用带的制造方法_古河电气工业株式会社_202480033968.6
    一种半导体加工用带及其制造方法，该半导体加工用带由层积体构成，该层积体具有：由基材和与该基材相接的粘合剂层的层积体构成的切晶膜；与该粘合剂层相接的粘接剂层；和与该粘接剂层相接的剥离膜，其中，上述粘接剂层是厚度为30μm以下的未经预切割加工而...
    2026-01-29
  • 基板处理方法及基板处理装置
    基板处理方法及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480042797.3
    提供一种可降低基板的周缘部的图案的倒塌率的技术。本发明的基板处理方法包含保持工序、液处理工序、及干燥工序。在保持工序中，保持基板。在液处理工序中，对基板(W)的第1主面(Wa)供给处理液。在干燥液供给工序中，在液处理工序之后，使基板(W)旋...
    2026-01-29
  • 迷你环境仪表化晶片
    迷你环境仪表化晶片_科磊股份有限公司_202480041903.6
    本发明公开一种用于测量衬底处理条件的系统及方法。所述系统可包含仪表化衬底，所述仪表化衬底包含衬底主体。所述仪表化衬底可包含一或多个传感器，所述一或多个传感器经配置以测量所述衬底主体或接近所述衬底主体的表面的外部环境中的至少一者的一或多个条件...
    2026-01-29
  • 密封系统以及用于密封真空系统中的开口的系统
    密封系统以及用于密封真空系统中的开口的系统_ASML荷兰有限公司_202480042394.9
    本发明提供一种密封系统。该系统包括真空室的至少一部分和印刷电路板，在该真空室中限定有开口。印刷电路板包括用于暴露于大气环境的第一部分、以及与第一部分相邻的用于暴露于真空环境的第二部分。第二部分被配置为至少部分地覆盖真空室中的开口。第一部分被...
    2026-01-29
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