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  • 本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备,所述PECVD设备包括反应腔以及位于所述反应腔内相对平行设置的上极板以及下极板,所述上极板与射频电源连接;然后将硅片置于所述下...
  • 本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备,将硅片置于PECVD设备的反应腔中;然后将所述反应腔的压力调整为第一沉积压力,在其中进行掺杂PECVD工艺以在所述硅片上沉积微...
  • 本发明提供一种非晶碳/铜复合导线及其制备方法,从石墨烯非晶化的角度出发,通过对卷对卷化学气相沉积制备的石墨烯/铜复合材料进行激光辐照,激光诱导石墨烯中碳原子形成丰富的五边形和七边形碳环,在环境条件下构建非晶态结构,得到非晶碳/铜复合导线,制...
  • 本申请公开了一种有机废油水蒸气重整耦合化学气相沉积金刚石镀膜系统及方法,系统包括杂质预处理模块、水蒸气重整模块、补充气源模块、气体预混模块、在线气相色谱分析模块和化学气相沉积金刚石镀膜模块;杂质预处理模块用于去除有机废油中的固体颗粒、水分、...
  • 本申请公开了一种用于半导体加热装置的防护涂层及其制备方法。所述防护涂层的制备方法包括以下步骤:将有机溶剂、氧化钇、二氧化硅、氮化硼混匀球磨,加入改性剂反应,得到混合浆料;将混合浆料喷涂在基体上,干燥得到前驱体;将前驱体放入沉积炉中,通入三甲...
  • 本申请涉及一种石墨件表面沉积碳化硅涂层工艺,其特征在于:包括如下步骤:S1、将清洗后的石墨件放置在沉积室中,关闭腔室,进行抽真空;S2、在石墨件表面沉积过渡层,S3、在沉积室内通入双前驱气体、氢气与氩气,在过渡层表面沉积得到碳化硅层;S4、...
  • 本申请提供一种制备耐高温耐腐蚀碳化钽涂层的装置及其方法,装置包括设备外壳,设备外壳内部具有空腔;反应室,反应室设置在设备外壳的空腔中,反应室包括有反应器,反应器中设有镀件摆放区以及石墨坩埚;镀件摆放区用于放置待镀石墨部件,石墨坩埚用于放置金...
  • 本发明公开了一种耐磨涂层、刀具及其制备方法与应用;该耐磨涂层包括包括Ti1‑1‑xxAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层;其中0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.10, 0<z≤0.10, 0<y+z≤0.15。含本申请的涂层切削...
  • 本发明属于硬质合金表面工程技术领域,具体涉及一种硬质合金刀具MT‑TiCN梯度涂层及其制备方法。该涂层由内至外依次包括TiN底层、MT‑TiCN梯度层、过渡层和Al22O33层;其中MT‑TiCN梯度层的C/N原子比例沿厚度方向呈由富N向富...
  • 本申请涉及具有气幕模块的化学气相沉积系统和方法。公开了一种化学气相沉积系统、一种化学气相沉积系统的气体分配系统用气幕模块以及一种用于这种系统的阀控制方法。用于将沉积产物从反应器转移至收集室的气体分配系统包括位于气体流动入口和收集阀之间的管道...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种抑制腔室内壁膜层剥落的方法及半导体工艺设备。抑制腔室内壁膜层剥落的方法包括:第一预沉积步,在工艺腔室的内壁预沉积应力缓冲层,应力缓冲层的成分为SiO22、SiON、SiCO或PSG;第二预沉积步,...
  • 本发明公开了一种涂层、刀具及其制备方法与应用;该涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxNyy层,所述Ti1‑x1‑xAlxxNyy层的织构系数包括如下(a)~(d)条件中的至少一种;(a)TC(111) ≤1.3;(b)TC(200) ≤1.3;...
  • 本发明公开了一种工艺腔的密封结构和半导体器件的加工设备。该密封结构包括:第一密封件,位于所述盘柄与管路之间的密封槽中,所述第一密封件为液态金属,用于在所述加热盘旋转时动密封所述工艺腔内的主真空区;以及毛细结构,设于所述第一密封件与所述管路内...
  • 本发明公开了一种用于气相沉积碳素产品制备的智能产线及工艺,涉及先进材料制造技术领域,包括地轨机器人、AGV运输车、中央控制系统和制备系统;地轨机器人一端设置仓库系统;AGV运输车用于将物料由原料仓库转运至相应的制备系统,地轨机器人用于制备系...
  • 本发明涉及一种易分解固态前驱体输送装置及输送方法,包括瓶体,瓶体内设置有第一腔体与第二腔体,第一腔体与第二腔体沿竖直方向设置,第二腔体设置于第一腔体的下方,第一腔体的底部设置有供固态前驱体流入第二腔体内的通道,第一腔体用于放置待升华的固态前...
  • 一种用于沉积膜的方法包括:用至少一种氢化物前驱体、至少一种反应性背景气体和电子进行电子增强化学气相沉积以在具有正基底电压的基底上沉积膜。在实施例中,所述方法是一种用于沉积硅膜的方法,包括用至少一种Si前驱体、至少一种反应性背景气体和电子进行...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,公开一种太阳电池的镀膜方法、膜层、太阳电池、光伏组件。镀膜方法采用镀膜设备进行,镀膜设备包括工艺管以及设置于工艺管的主体加热结构和辅助加热结构;镀膜方法包括:升温预处理:开启主体加热结构加热放置有待镀膜件的工艺管...
  • 本发明是一种ALD设备用双花篮半片理片机构,其结构是伺服电机输出端驱动连接同动轴,同动轴两端分别传动连接一同步齿形带,两侧同步齿形带分别通过一同步带夹块连接安装架的两端,第一、第二理片机构同侧的同步带夹块分别通过一滑块滑动连接在同一直线导轨...
  • 本发明公开了一种用于半导体设备的稳流模块及其使用方法,其属于半导体设备技术领域,所述用于半导体设备的稳流模块包括外壳,外壳的一侧均匀设有进气端接口,外壳对称的另一侧设有出气端接口,进气端接口和出气端接口的数量相同,进气端接口和出气端接口之间...
  • 此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中,气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比...
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