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最新专利技术
  • 一种多工位滤光片表面镀膜装置及其方法
    一种多工位滤光片表面镀膜装置及其方法_江西省中泰芯光学有限公司_202511935792.6
    本发明的一种多工位滤光片表面镀膜装置及其方法，属于镀膜装置技术领域，包括：设置磁悬浮输运系统、溅射系统及动态气幕隔离系统于一单一的隧道式主真空腔室内，其中，磁悬浮输运系统包括安装在腔室外部的线性驱动线圈、设置在腔室内部用于承载基板的磁悬浮托...
    2026-05-08
  • 一种碱金属种子注入混合系统及其使用方法
    一种碱金属种子注入混合系统及其使用方法_中国科学院电工研究所_202511451918.2
    本发明公开一种碱金属种子注入混合系统及其使用方法。其包括加热炉、碱金属泡外夹破碎组件和试验段，所述碱金属泡外夹破碎组件与所述加热炉连通，所述加热炉与所述试验段连通；其中所述碱金属泡外夹破碎组件包括外套管和安装在所述外套管中的玻璃泡，所述碱金...
    2026-05-08
  • 一种基于离子注入处理的耐磨减摩柱塞复合涂层及其制备方法和应用
    一种基于离子注入处理的耐磨减摩柱塞复合涂层及其制备方法和应用_北京机械工业自动化研究所有限公司_202511507864.7
    本发明公开了一种基于离子注入处理的耐磨减摩柱塞复合涂层的制备方法，包括将预处理后的基材清洗后置于工装卡具上采用微波离子源进行离子注入得到过渡功能层后关闭微波离子源，打开金属离子源进行离子注入后，关闭金属离子源后打开微波离子源进行离子注入，交...
    2026-05-08
  • 一种金属表面处理方法及金属工件
    一种金属表面处理方法及金属工件_深圳市黄金屋真空科技有限公司_202511528546.9
    本申请涉及材料表面处理技术领域，公开了一种金属表面处理方法及金属工件。本申请金属表面处理方法包括以下步骤：S1、基底预处理：在真空环境中对金属基底进行烘烤、清洗；S2、离子注入：利用离子源向基底表面注入金属离子，在基底内部形成离子注入层；S...
    2026-05-08
  • 高硬度高耐磨表面精密涂层制备方法
    高硬度高耐磨表面精密涂层制备方法_苏州德迈纳米科技有限公司_202511518888.2
    本发明高硬度高耐磨表面精密涂层制备法，流程：对应设置快捷展开式挂具承载结构、上部挂设模组；产品挂设时，呈12‑18°的倾斜状；推入涂层制备设备进行高速涂层制备；涂层制备设备内进行加热至150°；炉体内填充氩气0.5Pa，离子源模组进行离子刻...
    2026-05-08
  • 夹持组件、真空蒸镀装置及传感器探测工件表面镀膜方法
    夹持组件、真空蒸镀装置及传感器探测工件表面镀膜方法_深圳供电局有限公司_202511572378.3
    本申请涉及一种夹持组件、真空蒸镀装置及传感器探测工件表面镀膜方法，所述夹持组件包括承载件和盖件，所述承载件上设置有贯穿所述承载件的通孔；所述通孔用于承放待镀工件，并使所述待镀工件的表面从所述承载件沿所述通孔轴向的两侧露出；所述盖件盖设于所述...
    2026-05-08
  • 一种真空镀膜用托盘传动系统及连续真空镀膜设备
    一种真空镀膜用托盘传动系统及连续真空镀膜设备_北京北方华创真空技术有限公司_202511670694.4
    本申请涉及一种真空镀膜用托盘传动系统及连续真空镀膜设备，涉及真空镀膜托盘传动领域，包括：托盘主体和驱动装置，托盘主体一侧设置有导向配合件，驱动装置包括动力输入设备和导向驱动件，导向驱动件被设计为可驱动导向配合件移动，动力输入设备设置于真空镀...
    2026-05-08
  • 一种基片台结构、TGV基板的种子层沉积设备及方法
    一种基片台结构、TGV基板的种子层沉积设备及方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511747830.5
    本申请公开了一种基片台结构、TGV基板的种子层沉积设备及方法，基片台结构包括：基片台本体；绝缘支撑部，绝缘支撑部设置于基片台本体的上表面，绝缘支撑部被配置为适于贴合支撑TGV基板；第一顶升部，第一顶升部被配置为能够向上穿过绝缘支撑部，以顶升...
    2026-05-08
  • 一种真空镀膜工艺参数自适应调节方法及系统
    一种真空镀膜工艺参数自适应调节方法及系统_福建省金石能源股份有限公司_202511471551.0
    本发明公开了一种真空镀膜工艺参数自适应调节方法及系统，包括数据采集层、DRL智能体和执行层，其中所述DRL智能体包含策略网络和评价网络，所述DRL智能体采用双循环学习机制，包括离线模仿学习模块和在线强化学习模块。本技术方案通过DRL解耦多辊...
    2026-05-08
  • 一种脉冲激光沉积过程在线监测装置及方法
    一种脉冲激光沉积过程在线监测装置及方法_华芯极光(上海)科技有限公司_202511526575.1
    本发明提供一种脉冲激光沉积过程在线监测装置及方法，涉及材料制备与过程监测技术领域，包括：生长腔、设置于所述生长腔内的衬底支撑机构和靶材支撑机构、以及对靶材进行烧蚀的脉冲激光器，还包括：光谱采集单元，用于采集由所述脉冲激光器烧蚀靶材产生的等离...
    2026-05-08
  • 一种用于塑料制品的真空镀膜装置
    一种用于塑料制品的真空镀膜装置_江苏惠利隆塑业集团有限公司_202511540750.2
    本发明公开了一种用于塑料制品的真空镀膜装置，属于镀膜设备技术领域，本发明包括固定腔和转动连接于固定腔上的两组活动腔，所述活动腔的上下两端均转动连接有两组转盘，两组转盘之间设有若干沿圆周阵列的转杆，两组所述转盘之间还设有位于轴线上的驱动轴，所...
    2026-05-08
  • 光通信滤光片镀膜系统及镀膜方法
    光通信滤光片镀膜系统及镀膜方法_东莞丰润兴光电科技有限公司_202511960343.7
    本发明涉及滤光片镀膜技术领域，特别是涉及一种光通信滤光片镀膜系统及镀膜方法。通过布置双光路监测组件和监控系统，能够在镀膜过程中针对两种材料的喷镀区域分别进行膜厚动态监测，并根据膜厚监测结果实时调控两修正挡板的姿态，实现滤光片镀膜厚度的实时修...
    2026-05-08
  • 一种高效热交换卷绕镀膜冷辊及制造方法
    一种高效热交换卷绕镀膜冷辊及制造方法_福建省金石能源股份有限公司_202410931974.5
    本发明涉及镀膜设备领域，公开了一种高效热交换卷绕镀膜冷辊，其包括外套和芯轴。其中，外套套于芯轴上，并密封固定连接。外套的端面上设置有若干直线冷却水道；每条冷却水道的两端密封堵住。芯轴的外壁上设置有若干个汇水槽，汇水槽与外套的内壁形成一个集水...
    2026-05-08
  • 用于物理气相沉积过程中贵金属回收的涂层及方法
    用于物理气相沉积过程中贵金属回收的涂层及方法_中国航发贵州黎阳航空动力有限公司_202511551085.7
    本发明公开了一种用于物理气相沉积过程中贵金属回收的涂层及方法，该涂层主要由位于下层的镀银层和位于镀银层表面的有机硅改性层组成。回收贵金属前，首先在物理气相沉积过程中需要进行贵金属回收的位置表面制备该涂层，物理气相沉积完成后，采用粘胶带粘贴在...
    2026-05-08
  • 一种抽气结构及薄膜沉积设备、方法
    一种抽气结构及薄膜沉积设备、方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511554295.1
    本申请涉及一种抽气结构及薄膜沉积设备、方法，该抽气结构包括：第一层抽气环和第二层抽气环；第一层抽气环包括第一内环和第一外环，所述第一内环被设置为多个分块；所述第一外环和第一内环上均沿周向开设有多个抽气小孔，所述第一内环的多个分块拼接形成与所...
    2026-05-08
  • 一种反应腔的密封装置和半导体器件的加工设备
    一种反应腔的密封装置和半导体器件的加工设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511555680.8
    本发明公开了一种反应腔的密封装置和半导体器件的加工设备。该密封装置包括：磁场发生器，用于提供外加磁场；以及主密封件，位于所述反应腔与所述管路之间的密封槽内，所述主密封件包括具有磁性颗粒的液态金属，所述磁性颗粒沿所述外加磁场的磁力线方向链状排...
    2026-05-08
  • 一种真空镀膜干法蚀刻方法
    一种真空镀膜干法蚀刻方法_重庆市亦高光电有限公司_202511488684.9
    本发明公开了一种真空镀膜干法蚀刻方法，包括如下步骤：1)根据薄膜的功能属性，确定待进行蚀刻的膜层材料；2)根据待蚀刻的膜层材料，选择用于进行蚀刻工艺的蚀刻气体；3)根据选定的蚀刻气体，对待蚀刻的膜层材料进行正交试验，确定蚀刻速率；4)根据待...
    2026-05-08
  • 一种低热预算的氧化铪基铁电薄膜退火工艺及氧化铪基铁电薄膜
    一种低热预算的氧化铪基铁电薄膜退火工艺及氧化铪基铁电薄膜_晶铁半导体技术(广东)有限公司_202511531198.0
    本发明提出了一种低热预算的氧化铪基铁电薄膜退火工艺及氧化铪基铁电薄膜，涉及铁电薄膜领域，对所述氧化铪基铁电薄膜采用多次低温快速退火循环，包括以下步骤：以10‑80K/s的升温速率，升温至退火温度400℃，保温15‑120s，以不小于10K/...
    2026-05-08
  • 薄膜的制备方法及半导体制造设备
    薄膜的制备方法及半导体制造设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511950769.4
    一种薄膜的制备方法及半导体制造设备，方法包括：在反应腔室内，提供处理件，处理件具有开口；对处理件进行一次或多次工艺周期，在开口中以及处理件的表面形成薄膜，工艺周期包括：对处理件进行一次或多次沉积处理，使用卤族前驱体在开口的内壁以及处理件的表...
    2026-05-08
  • 掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法
    掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法_理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司_202511502443.5
    本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备，所述PECVD设备包括反应腔以及位于所述反应腔内相对平行设置的上极板以及下极板，所述上极板与射频电源连接；然后将硅片置于所述下...
    2026-05-08
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