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最新专利技术
  • 用于全环绕栅极器件的可变垂直堆叠纳米片
    用于全环绕栅极器件的可变垂直堆叠纳米片_高通股份有限公司_202480039598.7
    公开了形成在纳米片晶圆上的全环绕栅极(GAA)器件，该纳米片晶圆包括多个纳米片(NS)结构，该多个纳米片(NS)结构包括第一NS结构和第二NS结构。第一NS结构可以包括N个纳米片，其中N≥2。所有N个纳米片可用作第一NS结构中的沟道。第二N...
    2026-01-13
  • 具有差异外延源极或漏极凹陷的集成电路结构
    具有差异外延源极或漏极凹陷的集成电路结构_英特尔公司_202380098660.5
    描述了具有差异外延源极或漏极凹陷的集成电路结构。例如，集成电路结构包括在纳米线的第一堆叠或鳍之下的第一子鳍结构。第二子鳍结构在纳米线的第二堆叠或鳍之下。第一外延源极或漏极结构位于纳米线的第一堆叠或鳍的一端处，第一外延源极或漏极结构在其中没有...
    2026-01-13
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380099236.2
    一种半导体装置，在基板上形成：第一电源线、第二电源线及第三电源线，形成在比基板的上表面更为下方之处；第一晶体管，形成在基板的上方，在俯视下与第一电源线重叠配置；第二晶体管，形成在基板的上方；第一通孔，形成在基板上，用于连接第一晶体管的源极和...
    2026-01-13
  • 具有金属通孔的堆叠晶体管
    具有金属通孔的堆叠晶体管_国际商业机器公司_202480035289.2
    一种半导体结构包括堆叠器件结构，该堆叠器件结构具有：第一场效应晶体管，其具有第一源极/漏极区；以及垂直堆叠在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管具有第二源极/漏极区以及具有第一侧壁间隔物的栅极区。该堆叠器件结构还包括被...
    2026-01-13
  • 光检测装置、成像装置和制造光检测装置的方法
    光检测装置、成像装置和制造光检测装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480037504.2
    本发明抑制了由嵌入在被入射光的半导体层中的元件隔离层的界面处的缺陷引起的暗电流的增加。该光检测装置包括：第一导电类型杂质扩散层，其设置在光的入射位置处；第二导电类型杂质扩散层，其与所述第一导电类型杂质扩散层接合；元件隔离层，其嵌入在所述第一...
    2026-01-13
  • 半导体装置和光检测装置
    半导体装置和光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480039520.5
    一种半导体装置，包括：凹槽，其从基板的第一表面朝向与第一表面相对的第二表面配置；绝缘栅场效应晶体管，其配置在所述凹槽内的下部处，并且包括隔着栅极绝缘膜埋入在所述凹槽的侧壁中的栅电极；侧壁绝缘体，其配置在所述凹槽内的上部处的所述凹槽的侧壁上，...
    2026-01-13
  • 反射型光传感器
    反射型光传感器_迪睿合株式会社_202480037727.9
    提供一种反射型光传感器，其为具有基材11，设置于基材11上的发光元件12和受光元件13，以及发光元件12和受光元件13之间所设置的遮光壁14的反射型光传感器10，发光元件12和遮光壁14的距离dee，受光元件13和遮光壁14的距离drr，遮...
    2026-01-13
  • 雪崩光电二极管器件
    雪崩光电二极管器件_菲卢克斯科技有限公司_202480040043.4
    本发明涉及雪崩光电二极管(APD)子组件和APD器件(100)。APD子组件包括：衬底(101)；形成在衬底(101)上的p‑型接触层(102)；n‑型接触层(102)；以及包含锑的雪崩层(106)，雪崩层106被设置在p‑型接触层(102...
    2026-01-13
  • 导电性糊剂、导电性糊剂的使用、太阳能电池及太阳能电池的制造方法
    导电性糊剂、导电性糊剂的使用、太阳能电池及太阳能电池的制造方法_纳美仕有限公司_202480038959.6
    为了制造结晶系硅太阳能电池，提供一种导电性糊剂，其适于基于激光处理工艺的电极的形成，包含无铅玻璃料。本发明的导电性糊剂用于形成太阳能电池的电极，包含(A)导电性粒子、(B)有机载体、和(C)玻璃料，所述(C)玻璃料实质上不包含PbO，所述(...
    2026-01-13
  • 功能性玻璃和人造玻璃层压件
    功能性玻璃和人造玻璃层压件_马蒂夫卢森堡公司_202480035875.7
    功能性玻璃、人造玻璃层压件以及由此形成的独立式窗户单元可以包括功能性性能层，例如一层的电致变色组件和另一层的光伏组件。光伏组件可以包括聚合物中间层，其中布置有透明光伏电池，或有机光伏电池的薄膜，该光伏电池为电致变色组件供电。由间隙隔开的第一...
    2026-01-13
  • 用于高速数据通信的基于INGAALP或INGAALAS的快速开关μ-LED
    用于高速数据通信的基于INGAALP或INGAALAS的快速开关μ-LED_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480038034.1
    本发明涉及µ‑LED，该µ‑LED包括半导体层堆叠，该半导体层堆叠具有第一掺杂类型的第一层、第二掺杂类型的第二层和布置在第一层与第二层之间的有源区。半导体层堆叠包括底表面和顶表面以及连接顶表面和底表面的台面结构化侧表面，并且包括中心区，该中...
    2026-01-13
  • III族氮化物发光器件
    III族氮化物发光器件_国立大学法人三重大学_202480036545.X
    一种发光器件，其具备：包含Al作为构成元素的III族氮化物半导体层；包含Al作为构成元素的电子阻挡层；活性层，包含设置在电子阻挡层与III族氮化物半导体层之间的AlYYGa1‑Y1‑YN层(Al组分Y大于零)，以产生在240nm以下且206...
    2026-01-13
  • 具有非均匀布局的透明孔的光电子器件
    具有非均匀布局的透明孔的光电子器件_OTI公司_202480037693.3
    一种光电子器件包括沉积在基板上的第一侧向延伸的限定层和第二侧向延伸的限定层。第一限定层和第二限定层减少了在对应波长范围内穿过其的EM透射，并且在其中包括由对应的第一层侧向延伸孔和第二层侧向延伸孔限定的相应的第一层孔和第二层孔。第一层孔和第二...
    2026-01-13
  • 具有带有低折射率的有机涂层的分层半导体器件
    具有带有低折射率的有机涂层的分层半导体器件_OTI公司_202480038984.4
    光电子器件包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的至少一个半导体层。该至少一个半导体层包括低折射率层。该低折射率层包括低折射率材料和较高折射率材料的混合物。该低折射率层在可见光谱的至少一个子范围内的吸收系数为不超过约0.1、0.08、0.06...
    2026-01-13
  • 发光元件和包括该发光元件的显示装置
    发光元件和包括该发光元件的显示装置_三星显示有限公司_202480039551.0
    提供了发光元件和包括该发光元件的显示装置。发光元件包括：第一半导体层、活性层和第二半导体层，顺序地堆叠；第一绝缘层，围绕第二半导体层、第一半导体层的侧表面、活性层的侧表面和第二半导体层的侧表面以及第一半导体层的上表面，并且设置有在第一半导体...
    2026-01-13
  • 防水型紫外线发光模块
    防水型紫外线发光模块_斯坦雷电气株式会社_202480030782.5
    提供一种防水型紫外线发光模块，其能够防止LED裸片因水分而劣化，并且还能够防止因热而劣化。在安装基板(20)上搭载有紫外线LED封装体(10)。透镜(40)具备穹顶状的透镜主体(41)以及凸缘部(42)。在盖体(50)与壳体(30)之间夹着...
    2026-01-13
  • 用于共封装光学器件的电光发射器和接收器集成电路(芯粒)及其操作方法
    用于共封装光学器件的电光发射器和接收器集成电路(芯粒)及其操作方法_电光-IC股份有限公司_202480038933.1
    公开了一种包括光发射器和光接收器的电光集成电路，其中单片集成的电吸收调制激光器(EML)可以在发射器模式和接收器模式下双向操作。提供了用于激光器和电吸收调制器(EAM)的垂直堆叠波导。激光器和EAM通过横向锥形垂直光耦合器进行光学耦合。EM...
    2026-01-13
  • 有机发光元件
    有机发光元件_九州有机光材股份有限公司_202480039152.4
    使用了下述通式的化合物和硼化合物的有机发光元件的发光特性优异。R11～R55为H、D、烷基、芳基、非稠环咔唑‑9‑基、被Ar33和Ar44取代的三嗪基等，R22或R33为所述三嗪基等，且R11～R55中的1个以上为非稠环咔唑‑9‑基；X11...
    2026-01-13
  • 发光器件、显示面板、电子装置
    发光器件、显示面板、电子装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000654.6
    提供了一种发光器件、显示面板、电子装置。发光器件包括：阳极；第一发光单元，位于阳极上并且包括第一发光层；以及第二发光单元，位于第一发光单元远离阳极的一侧并且包括第二发光层。第一发光层与第二发光层发射相同颜色的光，阳极与第一发光层之间的距离为...
    2026-01-13
  • 元件、显示装置、电子零件、半导体装置、感光性组合物
    元件、显示装置、电子零件、半导体装置、感光性组合物_东丽株式会社_202480035187.0
    本发明的目的在于提供一种具有在获得所期望的电流密度时能够实现低电压驱动的优异的发光特性并且发光元件的可靠性优异的显示装置。此外，目的在于提供一种耐迁移性优异的电子零件或半导体装置。本发明为一种元件，其依序具有基板、导电性无机层、及绝缘性树脂...
    2026-01-13
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