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最新专利技术
  • 一种具有转动功能的电镀装置
    一种具有转动功能的电镀装置_江苏澳光电子有限公司_202511782981.4
    本发明公开了一种具有转动功能的电镀装置，包括电镀装置、浮动支架、搭接架、镀件挂钩、转动控制组件、动力电机；本发明通过镀件挂钩装配多个电镀元件，通过浮动支架将多个镀件挂钩和多个电镀元件向下进入电镀装置内，使得电镀元件进行电镀，电镀完之后，将浮...
    2026-03-22
  • 一种片式引线框架连续电镀生产设备
    一种片式引线框架连续电镀生产设备_江苏永志半导体材料股份有限公司_202511522439.5
    本发明涉及电子器件制造技术领域，且公开了一种片式引线框架连续电镀生产设备，本发明包括链式传送机、反应箱、机械臂、承载组件以及吸盘组件，通过设置的旋钮结构通过磁吸部件带动钉头与凹槽螺纹连接固定工件，架板顶端设固定结构辅助夹紧工件，承载板内的动...
    2026-03-22
  • 一种PCB基板石墨烯微片浸涂装置
    一种PCB基板石墨烯微片浸涂装置_益阳市明正宏电子有限公司_202511870900.6
    本发明公开了涉及线路板加工技术领域的一种PCB基板石墨烯微片浸涂装置。包括：龙门移动架、若干处理槽和安装杆，所述安装杆上设置有等距分布的多个夹持单元；所述夹持单元包括：U形架，搭设于所述安装杆上，所述U形架设置有定夹持架，所述定夹持架固接有...
    2026-03-22
  • 一种电镀滚筒自动开门设备
    一种电镀滚筒自动开门设备_苏州东古表面工程设备有限公司_202511574953.3
    本发明公开了一种电镀滚筒自动开门设备，属于电镀设备技术领域，解决了传统电镀滚筒人工开门劳动强度大、效率低且存在安全隐患的问题，包括支架，所述支架的顶端内部安装有电镀滚筒，所述支架的外侧设置有为电镀滚筒提供动力的电镀滚筒动力结构，电镀滚筒的侧...
    2026-03-22
  • 一种刹车片用加工工装
    一种刹车片用加工工装_东营宝丰汽车配件有限公司_202511799513.8
    本发明公开了一种刹车片用加工工装，包括加工支架，所述加工支架上安装有移动式加工工装，所述加工支架内侧安装有多个加工池以及一对履带式运输器，本发明的有益效果是，摒弃传统低效方式，极大提升效率，精准定位且有效缩短换型时间，同时减少部件磨损，保障...
    2026-03-22
  • 金属电镀分布式电解槽集群协同控制方法
    金属电镀分布式电解槽集群协同控制方法_鹰潭市云亚金属表面处理有限公司_202511514365.0
    本申请适用于金属电镀技术领域，尤其涉及金属电镀分布式电解槽集群协同控制方法，该方法包括：获取电解槽集群中各电解槽按工艺流程顺序的第一运行数据；根据各第一运行数据得到各电解槽的参数特征和运行状态特征；基于各运行状态特征确定各电解槽的电解效率；...
    2026-03-22
  • 一种PCB化学镀铜废液的智能闭环循环处理方法
    一种PCB化学镀铜废液的智能闭环循环处理方法_梅州市鸿宇电路板有限公司_202511455596.9
    本申请涉及一种PCB化学镀铜废液的智能闭环循环处理方法，包括：通过在线多光谱分析仪与离子选择性电极阵列，同步采集废液中的铜离子浓度、络合剂含量、有机添加剂残留量及pH值，根据再生指令集，驱动电化学再生单元执行铜离子选择性还原，同时通过脉冲电...
    2026-03-22
  • 一种多腔体零件自适应去合金化辅助机械加工方法
    一种多腔体零件自适应去合金化辅助机械加工方法_山东大学_202511522897.9
    本发明涉及一种多腔体零件自适应去合金化辅助机械加工方法，包括以下步骤：对合金零件进行清洗，清洗完成后，对合金零件进行干燥；将合金零件浸没于电解液中，并在合金零件的每个腔体内置入电极，将电极通过导线和电流控制装置与电源的负极连接，将合金零件通...
    2026-03-22
  • 电铸网版侧壁粗糙度光滑处理技术
    电铸网版侧壁粗糙度光滑处理技术_江苏美微光电科技有限公司_202511623796.0
    本发明属于电铸网板的技术领域，具体是电铸网版侧壁粗糙度光滑处理技术，对光刻母模孔壁进行红外线局部加热处理，温度控制在110‑150℃，加热时间1‑10秒；采用氧等离子体清洗，功率200W，气压10Pa，时间为60秒；通过动态喷射电解液进行电...
    2026-03-22
  • 不锈钢电解抛光钝化工艺及半导体流控部件
    不锈钢电解抛光钝化工艺及半导体流控部件_星奇(上海)半导体有限公司_202511408584.0
    本发明提供一种不锈钢电解抛光钝化工艺及半导体流控部件，涉及金属表面处理技术领域，包括：机械抛光步骤：运用砂纸与抛光膏组合，对不锈钢流道面进行精密抛光处理；前处理步骤：依次开展除腊、水洗、除油、水洗工序；电浆抛光步骤：对工件实施电浆抛光，去除...
    2026-03-22
  • 一种用于管道内表面的磁场辅助干式电化学抛光装置及方法
    一种用于管道内表面的磁场辅助干式电化学抛光装置及方法_北京理工大学_202511505827.2
    本发明公开了一种用于管道内表面的磁场辅助干式电化学抛光装置及方法，包括：底座，其上设有双滑块位移台，双滑块位移台上设有下滑块和上滑块；上滑块上设有电机夹具，其上设有电机，电机连接电极夹具，电极夹具夹持电极；下滑块上设有工件夹具，其上设有工件...
    2026-03-22
  • 一种钙钛矿准单晶薄膜及其制备方法
    一种钙钛矿准单晶薄膜及其制备方法_郑州大学_202511255181.7
    本发明提供了一种钙钛矿准单晶薄膜及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)在亲水衬底上制备钙钛矿多晶薄膜；(2)将疏水衬底压在钙钛矿多晶薄膜上，得到三明治结构；(3)将三明治结构进行热压退火处理；(4)热压退火处理后，去掉亲水衬底和疏水衬...
    2026-03-22
  • 一种FAPbBr3有机-无机杂化钙钛矿单晶及其制备方法和应用
    一种FAPbBr3有机-无机杂化钙钛矿单晶及其制备方法和应用_西北工业大学_202511450541.9
    本发明公开了一种FAPbBr33有机‑无机杂化钙钛矿单晶及其制备方法和应用，涉及有机‑无机杂化钙钛矿半导体材料技术领域。所述方法包括将FABr、PbBr22溶解于N, N‑二甲基甲酰胺和γ‑戊内酯的混合溶剂中，得到FAPbBr33单晶的前驱...
    2026-03-22
  • 一种单晶硅棒拉制装置
    一种单晶硅棒拉制装置_连城凯克斯科技有限公司_202511338156.5
    本发明属于单晶硅棒生产技术领域，具体的说是一种单晶硅棒拉制装置包括水冷箱，所述水冷箱内侧连通有水管，所述水冷箱内侧开设有凹槽，所述凹槽内侧转动连接有散热片，所述散热片一端固定连接有伸缩杆，所述伸缩杆一端转动连接有连接块；即：在硅棒需要进行散...
    2026-03-22
  • 改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法
    改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511401942.5
    本发明提供改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在实际等径拉晶过程中，固定水平磁场位置，通过预定水平磁场强度及拉晶参数，拉制单晶硅棒，实现对熔体流动和温度梯度的精确控制，以形成稳定的双涡流熔体流动模式，抑制晶棒的不...
    2026-03-22
  • 改善重掺硅单晶尾部滑移线的方法
    改善重掺硅单晶尾部滑移线的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426703.5
    本发明提供一种改善重掺硅单晶尾部滑移线的方法，属于半导体制造技术领域。包括：S1、化料完成后，采用气相掺杂的方式进行掺杂，以增加掺杂剂的掺杂浓度；S2、当硅单晶生长至总长的80%时，逐步降低炉压，以增加掺杂剂的挥发，减少尾部杂质富集；同时，...
    2026-03-22
  • 降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法
    降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426294.9
    一种降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法，包括以下步骤：将原生多晶硅原料进行化料，化料完成后，获得熔化的硅熔体；对熔化的硅熔体进行高温排气处理工序，排出硅熔体中的杂质气体；对完成高温排气处理工序的硅熔体进行一次安定工序；对完成一次安定工序的...
    2026-03-22
  • 重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法
    重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426538.3
    一种重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法，包括：在等径工序中，基于炉压划分等径过程为等径Ⅰ区间和等径Ⅱ区间，采用的炉压按照以下条件设定：1)等径Ⅰ区间：炉压设置为12‑16kPa，保持恒定；2)等径Ⅱ区间：炉压由等径Ⅰ区间结束时的值快速升至25...
    2026-03-22
  • 单晶硅生长装置及其制造方法
    单晶硅生长装置及其制造方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511605779.4
    本发明涉及一种单晶硅生长装置及其制造方法。所述单晶硅生长装置包括：石墨坩埚，具有石墨容纳腔；石英坩埚，位于所述石墨容纳腔内，所述石英坩埚具有用于容纳硅熔体的石英容纳腔；石墨纸，位于所述石墨容纳腔内，且所述石墨纸分布于所述石墨容纳腔的内壁与所...
    2026-03-22
  • 控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备
    控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426843.2
    本发明提供的控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备，属于单晶制备技术领域，其中控制拉晶过程中液口距的方法为按预设周期采集导流筒下沿至熔硅液面的距离，得到实际液口距，从而根据实际液口距与液口距初始值的差值计算出坩埚上升速度补偿值，并将坩埚...
    2026-03-22
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