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  • 本发明提供了一种高振实人造石墨负极材料及其制备方法和用途;本发明首先通过二次造粒技术将小颗粒焦粉造粒成具有微米级孔隙结构的二次造粒颗粒焦粉1;随后将二次造粒颗粒焦粉1和水溶性粘结剂制成高孔隙率的带有大孔结构的块体,在真空条件下将块体内部的大...
  • 本申请属于分子筛技术领域,具体提供一种基于酚醛树脂发泡材料制备CMS碳分子筛的方法。一种基于酚醛树脂发泡材料制备CMS碳分子筛的方法,包括如下步骤:1)将酚醛树脂粉碎,进行一次干燥,研磨,再进行二次干燥,得到树脂粉;2)取树脂粉、造孔剂、助...
  • 本发明提供一种具有阵列孔结构的多孔石墨及其制备方法和应用,涉及多孔石墨材料技术领域。具有阵列孔结构的多孔石墨的制备方法采用具有阵列孔结构的生物质为原料,先用化学试剂脱除原料中的木质素,再用热压法进一步强化细胞壁的取向结构,得到取向增强前驱体...
  • 本发明涉及石墨电极材料制备技术领域,公开了一种工业硅用石墨电极焙烧与石墨化韧性优化方法,包括以下步骤:步骤一、原料预处理与配方优化;步骤二、成型处理;步骤三、分阶段焙烧;步骤四、浸渍处理;步骤五、石墨化处理。制备得到的高韧性石墨电极的抗折强...
  • 本发明公开了一种抗氧化多主元碳化物陶瓷,其化学式为:(HfaaTabbTicc)C;其中,a、b、c分别代表对应元素的原子百分比,0.1≤a≤0.5, 0.1≤b≤0.5, 0.1≤c≤0.5,且a+b+c=1。本发明还公开了上述多主元碳化...
  • 本发明属于复合材料领域,具体涉及一种碳化物陶瓷及其制备方法。本发明将过渡金属、立方氮化硼、烧结助剂和碳化物混合,进行真空处理,得到混合粉体;将混合粉体压制成坯体,进行烧结,得到碳化物陶瓷;所述过渡金属包括Ti和/或Zr;所述碳化物包括SiC...
  • 本发明涉及陶瓷制备技术领域,尤其涉及一种无压烧结挤出碳化硅陶瓷制备工艺,该工艺包括S1,原料的制备;S2,对原料和水进行一次混料处理得到第一浆料,以及对第一浆料进行二次混料处理得到第二浆料;S3,排出第二浆料并进行处理,得到静置后的泥料;S...
  • 本申请涉及聚变反应堆包层结构中流道插件技术领域,公开一种陶瓷纤维碳化硅基复合流道插件及其制备方法和应用。其中,所述流道插件由连续碳化硅及陶瓷纤维混合增强的碳化硅基复合材料制备而成,所述连续碳化硅及陶瓷纤维混合增强的碳化硅基复合材料包括连续碳...
  • 本发明提供一种高性能硅碳棒及其制备方法,该硅碳棒采用热端胚体、过渡区胚体和冷端胚体通过冷等静压成型与烧结形成整体结构,表面设置Y22O33/SiO22复合涂层;热端胚体由不同粒度的碳化硅颗粒、炭黑及Y22O33粉末组成;过渡区胚体为五层Si...
  • 本发明涉及气凝胶材料技术领域,更具体而言,涉及一种富碳SiC@Si33N44双网络气凝胶及制备方法。所述双网络气凝胶包括内骨架和外骨架,内骨架为SiC网络,外骨架为Si33N44网络,双网络气凝胶由SiC网络和Si33N44网络交织形成,S...
  • 本发明公开了一种MBNS‑GC‑Ni22Si增强的双相SiC复合陶瓷及其制备方法,包括将六方氮化硼加入到酚醛树脂中,于三辊研磨机内剥离得到含多层氮化硼纳米片的第一混合物;将所述第一混合物溶解于糠醛溶液中,依次加入高纯硅粉、六水合硝酸镍、碳化...
  • 本发明涉及先进陶瓷材料领域,具体涉及一种陶瓷基复合材料(CMC)及其制备方法。旨在解决传统CMC制备工艺周期长、结构均匀性差、韧性不足的技术问题。本发明以表面修饰的氧化铝陶瓷微球为增强体,微球表面依次修饰有六方氮化硼纳米片和金属镍催化剂,并...
  • 本公开的实施例提供一种碳纳米管强韧化耐磨耐蚀WCoB制备方法,包括:提供碳纳米管粉、聚乙烯醇和WCoB粉;将所述碳纳米管粉和所述聚乙烯醇通过超声波分散处理进行混合,得到第一混合体;将所述第一混合体与所述WCoB粉进行球磨混合,得到第二混合体...
  • 本发明的实施例提供一种耐硫化腐蚀的纳米硫化铜包覆ZrN陶瓷制备方法,包括:提供纳米铜粉、ZrN粉和高纯碳粉;将氧化硫气体充入所述纳米铜粉;将所述ZrN粉和所述高纯碳粉分别加入所述纳米铜粉,进行充氩球磨混粉并抽真空,得到混合粉体;对所述混合粉...
  • 本发明公开了一种先驱体转化制备航天用抗烧蚀ZrB22基陶瓷的方法,涉及陶瓷技术领域。所述方法包括将ZrB22有机先驱体与聚硼硅氮烷先驱体进行搅拌混合,对充分混合的先驱体进行交联固化后得到先驱体块体,随后将得到的块体与增强相陶瓷粉体一起进行球...
  • 本发明公开了高散热轻量化的氮化铝基板及其制备方法,属于氮化铝基板制备技术领域。所述高散热轻量化的氮化铝基板的制备方法,包括以下步骤:步骤一:将氮化铝粉末与改性分散剂混合,得到改性氮化铝粉末,随后继续与复合烧结助剂混合,球磨,得到预处理混合粉...
  • 本发明提供了一种六方氮化硼/二硼化锆‑碳化硅层状陶瓷材料及其制备方法和应用,属于陶瓷材料技术领域。本发明首先分别制备得到软质层陶瓷浆料和硬质层陶瓷浆料,然后再分别流延得到六方氮化硼生坯层片和ZrB22‑SiC生坯层片,将两种生坯层片重叠后进...
  • 本发明涉及一种大尺寸氮化硅基板的脱脂方法,属于陶瓷制备技术领域,该方法针对边长210‑350mm的大尺寸Si₃N₄生坯,在氮气氛围脱脂炉中进行,通过将剧烈热分解温区(150‑450℃)的升温速率控制在0.15℃/min以下,并在整个脱脂过程...
  • 本发明涉及一种可加工氮化硅陶瓷及其制备方法。所述可加工氮化硅陶瓷包括氮化硅结晶相、h‑BN结晶相和Yb22SiO55/Yb22Si22O77晶界相,所述氮化硅结晶相占所述可加工氮化硅陶瓷的76‑91wt%,所述Yb22SiO55/Yb22S...
  • 本申请属于异质陶瓷材料制备领域,具体公开了一种异质陶瓷材料制备方法,其包括如下步骤:S1:制备具有成分梯度结构的素坯,该素坯为多层结构,其中各层至多由两种不同陶瓷材料的混合料成形而成,且各层混合料中的其中一种陶瓷材料的占比按梯度逐层递减,另...
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