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最新专利技术
  • 正性化学放大型光刻胶及其制备方法、使用方法和应用
    正性化学放大型光刻胶及其制备方法、使用方法和应用_江苏艾森半导体材料股份有限公司_202511696754.X
    本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及正性化学放大型光刻胶及其制备方法、使用方法和应用，旨在解决显影后光刻胶在金属基材上易出现底部残留，并且在后续制程中金属电镀后刻蚀良率不佳的问题。其技术方案要点是：混合树脂，混合树脂包括第一树脂和第二树脂；引...
    2026-04-21
  • 一种用于有机绝缘膜的酸酐基支化结构负性光刻胶组合物
    一种用于有机绝缘膜的酸酐基支化结构负性光刻胶组合物_烟台希尔德材料科技有限公司_202511645143.2
    本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种用于有机绝缘膜的酸酐基支化结构负性光刻胶组合物，以质量份计，包括以下组分：含有酸酐基支化结构衍生物的聚合物20～100份；含烯键的不饱和化合物2～60份；自由基聚合引发剂0.006～20份；表面活性剂0...
    2026-04-21
  • 化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
    化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510867116.3
    本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供具有优良的蚀刻耐性、及有机溶剂溶解性，且含有能产生具有适当的酸强度且扩散小的酸的聚合物键结型酸产生剂的化学增幅负型抗蚀剂组成物、以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的抗蚀剂...
    2026-04-21
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511253144.2
    根据本公开实施例的晶圆处理装置包括：内部杯罩，包括第一杯罩壁和第一底面；中间杯罩，包围内部杯罩，中间杯罩包括第二杯罩壁以及第一杯罩壁和第二杯罩壁之间的第二底面；外部杯罩，包围中间杯罩，外部杯罩包括第三杯罩壁以及第二杯罩壁和第三杯罩壁之间的第...
    2026-04-21
  • 一种干湿膜复合工艺
    一种干湿膜复合工艺_东莞市楚钢精密蚀刻技术有限公司_202511451176.3
    本发明公开了一种干湿膜复合工艺，涉及图案化蚀刻工艺的技术领域，其工艺步骤包括：对基材表面进行化学微蚀刻处理以形成纳米级孔隙结构；采用激光辅助分切干膜材料形成窄干膜段，并对分切边缘进行等离子体钝化处理；以获得一具有预定宽度的窄干膜段，随后或并...
    2026-04-21
  • 基底交接方法及曝光设备
    基底交接方法及曝光设备_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202410865752.8
    本发明提供一种基底交接方法及曝光设备，其中，基底交接方法包括预判机械手的片叉是否能够安全进入交接区域，包括：获取片叉进入工件台处交接区域之前至少两个检测位置的位置数据；根据位置数据，得到机械手的交接参数，机械手的交接参数包括片叉的高度、水平...
    2026-04-21
  • 曝光照明中继镜组、曝光装置及其远心度调节方法
    曝光照明中继镜组、曝光装置及其远心度调节方法_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202410867531.4
    本发明提供一种曝光照明中继镜组、曝光装置及其远心度调节方法，用于曝光装置中连接照明系统及物镜系统，所述曝光照明中继镜组包括沿光路依次设置的中继前组、光阑、中继后组及与所述光阑连接的光阑调节机构，所述中继前组与所述照明系统光路连接，所述中继后...
    2026-04-21
  • 套刻精度量测方法
    套刻精度量测方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410867563.4
    一种套刻精度量测方法，包括：通过第一光刻工艺，将第一图案转移至衬底上的材料层内，在材料层内形成若干第一开口和若干第二开口；通过第二光刻工艺，将第二图案转移至材料层内，在材料层内形成若干第三开口和若干第四开口；以第一开口和第三开口形成第五开口...
    2026-04-21
  • 直帧式无掩膜光刻的畸变补偿方法及存储介质
    直帧式无掩膜光刻的畸变补偿方法及存储介质_合肥睿翼创智技术开发有限公司_202411086858.4
    本发明的一种直帧式无掩膜光刻的畸变补偿方法及存储介质，本发明在求交直帧法的基础上，对帧化矩阵进行反畸变预处理得到反畸变帧化矩阵，再利用反畸变帧化矩阵直接帧化。基本思路是：构建一个与投影镜头畸变相一致的反畸变帧化矩阵，使用求交直帧法进行帧化处...
    2026-04-21
  • 显示装置
    显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511358025.3
    本申请提供了一种显示装置，包括显示面板和设置在显示面板上的触控器件层，触控器件层包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，显示装置还包括至少一个测试器件，设置在触控器件层的外围区，测试器件包括位于第一金属层的多段...
    2026-04-21
  • 一种小尺寸图形制备方法
    一种小尺寸图形制备方法_中国科学院微电子研究所_202511608847.2
    本发明提供了一种小尺寸图形制备方法。本发明的小尺寸图形制备方法，包括如下步骤：S1：在衬底上依次形成第一硬掩膜和第二硬掩膜；S2：进行第一次光刻、刻蚀，在第二硬掩膜上形成竖向线条图形；S3：在第二硬掩膜上形成第三硬掩膜；S4：进行第二次光刻...
    2026-04-21
  • 光刻效应项的贡献度确定方法和计算机程序产品
    光刻效应项的贡献度确定方法和计算机程序产品_深圳晶源信息技术有限公司_202511648055.8
    本申请公开了一种光刻效应项的贡献度确定方法和计算机程序产品，涉及半导体集成电路技术领域。该方法包括：获取测试图形、测试图形的多个预设量测位置、以及每个预设量测位置的量测数据；采用已校正光刻仿真模型对测试图形进行光刻仿真，生成测试图形的空间像...
    2026-04-21
  • 一种光刻模型建模方法及计算机程序产品
    一种光刻模型建模方法及计算机程序产品_深圳晶源信息技术有限公司_202511687484.6
    本申请公开了一种光刻模型建模方法及计算机程序产品，涉及半导体技术领域。该光刻模型建模方法包括：通过将光学参数组和网格参数组的模型参数搜索、修正参数搜索以及模型标定等环节整合为可自动化执行的标准化建模流程，无需人工重复进行参数设置，降低了人工...
    2026-04-21
  • 掩模版布局方法
    掩模版布局方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511714263.3
    本发明公开了一种掩模版布局方法，提供至少三层包含对准标识的光掩模版，光掩模版版图包括芯片区和切割道区，对准标识放置在切割道区，对准标识应包含透光和不透光部分，第1层掩模版的对准标识形成在第1层掩模版的位置一，第2层掩模版的对准标识形成在第2...
    2026-04-21
  • 一种光学邻近校正方法及装置
    一种光学邻近校正方法及装置_华芯程(杭州)科技有限公司_202511769302.X
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种光学邻近校正方法及装置，通过接收目标晶片图案；依据预设的网格尺寸根据所述目标晶片图案确定目标晶片网格图像；将所述目标晶片图案作为当前掩膜图案；将所述当前掩膜图案，输入预训练的三维光学邻近校正模型，并...
    2026-04-21
  • 投影视场遮挡装置及其遮挡方法
    投影视场遮挡装置及其遮挡方法_季华实验室_202511785598.4
    本发明涉及曝光机技术领域，尤其涉及一种投影视场遮挡装置及其遮挡方法，包括机壳、主遮光板、旋转机构、副遮光板和平移机构，机壳上设有投影视场区域，主遮光板呈扇形设置，旋转机构包括旋转环、第一线圈、第一磁铁和滚珠座，平移机构包括导轨、滑块、第二线...
    2026-04-21
  • 一种光束指向测量系统的装调校准装置及方法
    一种光束指向测量系统的装调校准装置及方法_新毅东(北京)科技有限公司_202511794632.4
    本申请提供一种光束指向测量系统的装调校准装置及方法，涉及光刻机技术领域，包括平台和光源，以及沿光路传播方向依次设置的第一光阑组、反射镜、光束指向测量系统和第二光阑组，光源包括可在光路上切换出光的第一光源和第二光源，反射镜和光束指向测量系统分...
    2026-04-21
  • 一种光刻收缩缺陷校验方法及装置
    一种光刻收缩缺陷校验方法及装置_华芯程(杭州)科技有限公司_202511804300.X
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光刻收缩缺陷校验方法及装置，通过接收目标曲线图形及所述目标曲线图形经过OPC处理得到的待查模拟曲线图形；确定所述目标曲线图形上的采样点，并获取各个所述采样点沿对应的切线的法线方向到所述待查模拟曲线图形...
    2026-04-21
  • 一种增溶剂及其制备方法及含有其的显影液及显影液的应用
    一种增溶剂及其制备方法及含有其的显影液及显影液的应用_乐凯华光印刷科技有限公司_202511490168.X
    本发明提供一种增溶剂及其制备方法及含有其的显影液及显影液的应用，本发明中的增溶剂对减少显影沉渣和结晶，增强涂层保护和增大显影容量有明显效果，本发明的增溶剂配置的显影液在保证版材显影后网点还原较好的同时，其涂层密度损失和显影沉渣量明显减少，显...
    2026-04-21
  • 一种光刻胶的形貌加工方法
    一种光刻胶的形貌加工方法_苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司_202410802269.5
    本发明提供了一种光刻胶的形貌加工方法，涉及金属刻蚀技术领域。光刻胶涂覆在晶圆的顶部，用于将掩模版上的精细图案转移到晶圆上，包括如下步骤：在晶圆的顶部涂覆光刻胶，光刻胶的厚度为第一预设厚度；对光刻胶进行前烘、曝光、显影，以得到具有精细图案的光...
    2026-04-21
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