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最新专利技术
  • 基于单晶定向生长提纯金属铟的方法
    基于单晶定向生长提纯金属铟的方法_郑州大学_202511398197.3
    本发明实施例公开的基于单晶定向生长提纯金属铟的方法，包括：将纯度不小于5N的金属铟原料填充在石墨舟内的空腔中；其中，石墨舟内的空腔的端部设置为圆锥形，石墨舟的内壁覆盖有热解碳或热解氮化硼层；加热石墨舟内的圆锥形空腔端部，使金属铟原料熔融填充...
    2026-03-12
  • 一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法
    一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511326092.7
    本发明公开了一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法，通过设置移动组件、定位组件、检测重锤位置的水平激光定位仪和径向激光定位仪，成加料筒在加料前的自动化定位和挂取，无需人工手动挂取，提高定位精度和工作效率，减少因人员操作引起的粉尘等污染。
    2026-03-12
  • 一种可降低功耗的单晶炉
    一种可降低功耗的单晶炉_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511326108.4
    本发明公开了一种可降低功耗的单晶炉，包括底盘本体、设置在底盘本体中心且与坩埚托相连的托杆，以及设置在底盘本体上表面的保温部件，所述保温部件包括炉底软毡、炉底下固毡、保温软毡和炉底上固毡，所述炉底软毡设置在底盘本体的上表面，所述炉底下固毡设置...
    2026-03-12
  • 基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统
    基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统_苏州清煜半导体科技有限公司_202511714549.1
    本申请提供一种基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统，液相生长方法包括前置准备阶段、第一生长阶段和第二生长阶段。前置准备阶段包括将籽晶承载部通过斜面承载离轴籽晶，斜面的法线方向与籽晶承载部的轴线方向所形成的夹角匹配离轴籽晶的离轴...
    2026-03-12
  • 一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法
    一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511804613.5
    本发明公开了一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法，属于半导体薄膜生长技术领域，该石墨舟主要包括：外壳、底板、滑块、活动块。其特点是：滑块滑动至衬底上方的生长位置时，活动块可以密封住母液槽保证外延薄膜的生长；当生长结束后，滑块继续滑动，...
    2026-03-12
  • 一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置
    一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置_江苏天科合达半导体有限公司_202511482406.2
    本发明涉及碳化硅技术领域，尤其涉及一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置，所述装置包括：坩埚；所述坩埚的顶部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶；所述坩埚底部设置有导电料；所述导电料内部设置有圆柱形的石墨纸环。本发明在碳化硅(SiC)晶体生长过程中...
    2026-03-12
  • 一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置
    一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置_湖南顶立科技股份有限公司_202511393911.X
    一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置，包括混合室、独立管道、波导部件、反应机壳，所述混合室通过独立管道与反应机壳连通，所述混合室具有多个入口管道，多个所述入口管道分两组设置在混合室的底部和侧面并垂直混合室进气；所述独立管道上设置有特斯拉...
    2026-03-12
  • 用于气相沉积的公自转结构及包括其的气相沉积设备
    用于气相沉积的公自转结构及包括其的气相沉积设备_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511802645.1
    本发明公开了一种用于气相沉积的公自转结构及包括其的气相沉积设备。根据本发明实施例的用于气相沉积的公自转结构包括承载盘；太阳盘，所述太阳盘设置在所述承载盘上；至少一个行星盘，所述行星盘设置在所述承载盘上，且位于所述太阳盘的一侧；所述行星盘与所...
    2026-03-12
  • 一种喷淋组件及碳化硅外延设备
    一种喷淋组件及碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511766733.0
    本申请公开一种喷淋组件及碳化硅外延设备，该喷淋组件包括进气模块，其包括相对设置的第一匀气腔体及第二匀气腔体，多个第一进气道及多个第二进气道，且第一进气道与第二进气道交替设置，第一进气道连通至第一匀气腔体，第二进气道连通至第二匀气腔体，第一进...
    2026-03-12
  • 一种碳化硅外延片及其生长方法
    一种碳化硅外延片及其生长方法_中天晶科(宁波)半导体材料有限公司_202511328938.0
    本发明提供一种碳化硅外延片及其生长方法，该生长方法包括以下步骤：将碳化硅衬底载入外延炉的生长腔室；调节所述生长腔室内的外延生长温度，以及碳源与硅源的碳硅比，在所述碳化硅衬底上生长目标规格的外延层；其中，定义所述外延生长温度与所述碳硅比的比值...
    2026-03-12
  • 一种高温高压合成纯八面体形貌金刚石单晶的方法
    一种高温高压合成纯八面体形貌金刚石单晶的方法_修武县鑫锐超硬材料有限公司_202511757182.1
    本发明涉及八面体金刚石晶体的晶体生长领域，公开了一种高温高压合成纯八面体形貌金刚石单晶的方法，将金属合金粉在真空环境下通入氮气进行氮化处理，得到氮化后的金属合金粉；将氮化后的金属合金粉与石墨粉混合均匀成型后组装到金刚石合成腔内，在高温高压下...
    2026-03-12
  • 一种磷硅铟钡红外非线性光学晶体及其制备方法和应用
    一种磷硅铟钡红外非线性光学晶体及其制备方法和应用_中国科学院新疆理化技术研究所_202511529491.3
    本发明涉及一种磷硅铟钡红外非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，该晶体的化学式为BaIn2Si7P12，分子量为746.92，结晶于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为a=b=13.2045(6) Å，c=8.9694(7) Å；γ=120°...
    2026-03-12
  • 一种复合薄膜、制备方法及其应用
    一种复合薄膜、制备方法及其应用_济南晶正电子科技有限公司_202511373787.0
    本发明提供了一种复合薄膜、制备方法及其应用，涉及半导体材料领域；所述复合薄膜包括衬底层和VTE铌酸锂层；所述VTE铌酸锂层的锂铌原子比为≥0.96 : 1；所述复合薄膜能够使薄膜界面质量提升，消除了薄膜微裂纹与界面缺陷，并且具有稳定的化学计...
    2026-03-12
  • 一种用于晶体生长的坩埚、晶体生长设备和晶体生长方法
    一种用于晶体生长的坩埚、晶体生长设备和晶体生长方法_眉山博雅新材料股份有限公司_202410854456.8
    本说明书实施例提供一种用于晶体生长的坩埚、晶体生长设备和晶体生长方法。在垂直于坩埚的轴线的任一截面上，坩埚的壁厚包括第一壁厚值和第二壁厚值，第一壁厚值为坩埚的壁厚的最大值，第二壁厚值为坩埚的壁厚的最小值，第一壁厚值与第二壁厚值不同。晶体生长...
    2026-03-12
  • 一种高质量碳化硅单晶及其生长方法
    一种高质量碳化硅单晶及其生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511808595.8
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高质量碳化硅单晶及其生长方法。与现有技术相比，本发明提供的生长方法通过热场的设计，创造合适的生长界面(微凸或者平界面)，并通过籽晶充分回熔和旋转，将气泡排出生长界，从而消除气泡包裹，提高晶体质量。另外，...
    2026-03-12
  • 化合物硫镓铝和硫镓铝红外非线性光学晶体及制备方法和应用
    化合物硫镓铝和硫镓铝红外非线性光学晶体及制备方法和应用_中国科学院新疆理化技术研究所_202511530378.7
    本发明涉及一种化合物硫镓铝和硫镓铝红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为AlGaS3，分子量为192.88 g/mol，具有不对称中心，结晶于单斜晶系的Cc空间群，晶胞参数为：a=11.1401(5) Å，b=6.4092(...
    2026-03-12
  • 一种四氟硼酸三聚氰胺非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种四氟硼酸三聚氰胺非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511530821.0
    本发明涉及一种氟硼酸盐四氟硼酸三聚氰胺非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式为C3H8N6(BF4)2·H2O，分子量为319.79，采用降温结晶法制备，单斜晶系，空间群Cc(No.9)，晶胞参数为a=6.1064(2) Å，b=1...
    2026-03-12
  • 一种调控单晶光纤生长温度梯度的装置及方法
    一种调控单晶光纤生长温度梯度的装置及方法_山东大学_202511473156.6
    本发明公开了一种调控单晶光纤生长温度梯度的装置及方法，属于晶体生长装备技术领域，包括光束产生单元、加热光束单元、多级后热光束单元、多级抛物面镜、原料棒进给滚轮装置、光纤提拉滚轮装置、红外测温仪以及控制系统；所述多级抛物面镜包括最外侧抛物面镜...
    2026-03-12
  • 一种镓掺杂氧化锌单晶材料的制备方法
    一种镓掺杂氧化锌单晶材料的制备方法_厦门大学_202511476671.X
    一种镓掺杂氧化锌单晶材料的制备方法，属于半导体领域。包括以下步骤：1)将氧化锌单晶进行标准清洗，并用氮气吹干，作为衬底；2)采用磁控溅射法在氧化锌衬底表面沉积氧化镓薄膜；3)将沉积后的衬底放入激光辐照设备中，通过二维条状光斑激光进行连续辐照...
    2026-03-12
  • 一种辐照设备、辐照设备的应用和辐照设备的控制方法
    一种辐照设备、辐照设备的应用和辐照设备的控制方法_华中科技大学_202511584024.0
    本申请涉及辐照加工技术领域，提供了一种辐照设备、辐照设备的应用和辐照设备的控制方法，辐照设备用于加工金刚石，辐照设备包括辐照装置、装夹装置和冷却液循环装置。辐照装置用于产生高能粒子束流；装夹装置形成有辐照区域，所述装夹装置具有多个设置在所述...
    2026-03-12
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