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  • 本发明公开了一种提高交叉饱和吸收光谱稳频精度的装置,包括单频激光器、分光耦合器、光频梳制备系统、原子/分子气室、鉴频系统和伺服系统。该稳频系统主要以单频激光器作为稳频对象,激光经过分光耦合器后,一束光作为输出光,另一束光进入光频梳制备系统,...
  • 本发明公开了一种基于CPT效应的微腔双光梳稳频装置,采用两个自注入锁定微腔光梳获得微腔双光梳,并将微腔双光梳泵浦光源锁定;通过射频注入锁定的方式独立控制双光梳的重复频率;利用微腔双光梳游标效应,获得能够激发CPT效应的双光梳梳齿对,利用原子...
  • 本发明公开了一种基于自注入锁定的双光梳互锁系统,包括第一和第二DFB激光器、第一和第二微环、第一~第三波导、第一和第二电光调制器、可调光滤波器、光电探测器、微波源、锁相环、信号源、混频器和锁频电路;第二微环内的背散射光反馈到第二DFB激光器...
  • 本发明提供了一种大增益截面的化学激光器及其设计方法,能够有效抑制寄生振荡,并对增益能量进行高效提取,提高激光谐振腔的稳定性。本发明采用适用于化学激光大增益截面的激光谐振腔,能够有效抑制寄生振荡,并对增益能量进行高效提取,尤其是在长时间运行工...
  • 本申请属于激光器技术领域,具体涉及一种可调谐半导体激光器健康管理系统及方法,包括光源模块、监测模块和探测模块,利用衍射光栅衍射效率只能达到80%左右的特点,通过收集外腔+1级损耗谐振光功率的变化实现激光器运行状态实时监测,当运转状态出现异常...
  • 本发明公开了一种基于智能判决的DFB激光器芯片光电探针耦合方法及系统,本发明采用双路视觉方式来进行光电探针的驱动,即利用顶部图像,来控制光电探针与激光器芯片的接触,并在接触后,采集向激光器芯片施加驱动电流后所出射产生的红外光斑图像,以基于此...
  • 本发明涉及半导体激光器制造技术领域,且公开了一种提高半导体激光器波导光限制的光子晶体制备方法,包括以下步骤:S1:采用激光隐切技术,控制激光功率在激光器外延片材料损伤阈值以下,对所述外延片进行光子晶体微纳结构预制;其中,高频脉冲激光作用于所...
  • 本申请涉及一种使用超构透镜的一字线激光器装置,属于激光器领域,其包括VCSEL光源和超构透镜;所述超构透镜包括结构区域和设于所述结构区域周围的保护区域,所述结构区域由多个超构透镜单元构成,所述超构透镜单元由基底和设于所述基底上的微纳结构层构...
  • 本发明的量子级联激光装置具备QCL元件和封装件。在封装件的侧壁,设置有使从QCL元件出射的激光通过的光出射窗。光出射窗由小径孔、比小径孔大的大径孔、连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面、和配置在大径孔的内侧的窗构件构成。窗构件的入射面具有:设置...
  • 本发明公开了一种SMT激光二极管,其包括基板、上覆铜层、下覆铜层、铜柱、共晶焊料、管帽、反射镜和准直透镜,所述基板为陶瓷材料制成,所述上覆铜层包括上负极焊盘、上导热焊盘和上正极焊盘,所述下覆铜层包括下负极焊盘、下导热焊盘、下正极焊盘和回流焊...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括:在衬底层的一侧表面形成外延结构,包括缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层和欧姆接触层;对外延结构进行刻蚀形成至少包括欧姆接触层、第二...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种设有自旋轨道耦合层的半导体激光元件及制备方法,其元件包括:衬底层,由蓝宝石/SiO2/SiNx复合结构构成;下限制层,为n型AlGaN层;下波导层,为非掺杂GaN层;自旋轨道耦合层;有源层,为量子阱...
  • 本发明公开了一种电泵浦的复耦合分布反馈激光谐振腔及激光器,激光谐振腔包括增益物质层;第一掺杂包覆缓冲层设置于增益物质层的上方,第一掺杂包覆缓冲层通过刻蚀形成中间隆起的波导脊,波导脊两侧的刻蚀剩余区域的表层设有电介质隔离层,电介质隔离层的顶面...
  • 本发明提出了一种图案化光子晶体激光器及其制备方法,激光器包括衬底,以及依次沉积在衬底上的第一掩膜层、光子晶体层和第二掩膜层,第二掩膜层的中心区域刻蚀有光出射区,第二掩膜层表面以及光出射区均沉积透明导电层;位于第二掩膜层上的透明导电层表面设有...
  • 本发明涉及激光元件技术领域,公开了一种具有激发转移发射机制的激光元件,包括:自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层;在有源层与上波导层之间以及有源层与下波层之间设置的俄歇辅助光发射层;其中,俄歇辅助...
  • 本发明涉及一种改善量子阱铟组分均匀性的氮化镓基半导体激光器外延结构及制备方法,属于半导体激光器技术领域。由下到上依次包括衬底、第一限制层,第一波导层、有源区、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层和接触层。本发明的有源区在生长高铟组分量子阱时通...
  • 本发明提供了一种大尺寸InP基半导体激光器外延结构及其制备方法,所述外延结构包括InP衬底,以及依次设置于InP衬底上的复合缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和欧姆接触层;其中,所述复合缓冲层包括沿远离所述InP衬底的方向依次设置的第一无故...
  • 本发明涉及一种单片串联连接的激光二极管阵列及其形成方法,其中所述阵列形成在包含多个离散导电区的非传导衬底上。所述阵列中的每一激光二极管安置在不同传导区上使得每一激光二极管的激光腔与其相应传导区光学隔离,借此避免所述激光腔中由于与高度掺杂传导...
  • 本申请涉及一种垂直腔面发射激光器及激光雷达。垂直腔面发射激光器包括衬底及发光单元,多个发光单元沿X轴方向及Y轴方向呈阵列排布于衬底上而构成发光阵列;发光阵列包括多个发光行及多个发光列,发光行具有沿X轴方向排列的多个发光单元,多个发光行沿Y轴...
  • 本发明公开了一种小型化、便携式电晕放电针装置,包括:底板、支撑板以及放电针;其中,所述底板上固定有支撑板,两个放电针分别从支撑板的顶端穿入,从底板的底部穿出;所述放电针采用直径0.02mm‑0.03mm的金属丝。本发明提供的一种小型化、便携...
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