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用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构
本申请涉及用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构。该用于形成沟槽的方法包括:形成依次层叠于衬底结构的硬掩膜及抗反射层,其中,衬底结构包括依次层叠的衬底及保护结构;形成贯穿抗反射层、硬掩膜、保护结构并延伸入衬底的第一沟槽;去除抗反射层及硬掩...
用于将蚀刻层蚀刻的方法
提供了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法,所述堆叠件包括在衬底上的介电材料。在步骤(a)中,由蚀刻气体产生蚀刻等离子体,将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体,并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征。在步骤(b)中,在步骤(a)之后提供原子层沉积工艺以在侧...
形成半导体封装的方法
本发明公开一种形成半导体封装的方法,其包括以下步骤。在第一支撑台上形成第一导电层,其中第一导电层包括第一框架以及与第一框架连接且位于由第一框架所界定的第一空间内的第一配线图案。在第二支撑台上形成支撑层,其中支撑层包括支撑框架。在第三支撑台上...
封装基板的制法
一种封装基板的制法,将核心板体设于支撑件的开槽中,再将包覆层填入该开槽中,使该包覆层包覆该核心板体,之后于该支撑件上形成布线结构,故借由该支撑件的设计,以确保高良率的需求。
封装基板的制法
一种封装基板的制法,包括使用一预制基板作为核心板体及另一预制基板作为弯翘抵消件,以整平因增层引起的翘曲,且该预制基板的使用有利于缩短封装基板的工艺。
一种凸块封装结构及封装方法
本发明公开了一种凸块封装结构及封装方法,该封装方法包括以下步骤:步骤一:在晶圆表面溅射种子层;步骤二:在晶圆表面制作光刻胶开口;步骤三:在光刻胶开口内制作至少两层金属层,使Pad连接出来;步骤四:去除晶圆表面的种子层,使凸点直接各自独立,避...
一种塑封QFN封装侧面铜框架引线切口裸露部位保护方法
本发明属于电子元器件封装技术领域,具体涉及一种塑封QFN封装侧面铜框架引线切口裸露部位保护方法。方法包括除油、活化、水洗的前处理步骤,以及化学镀锡步骤和清洗、风干步骤。本申请通过采用化学镀锡的方法,在塑封QFN封装周围侧边引线切口处均匀的镀...
一种碳化硅陶瓷覆铜基板制备方法及结构
本发明属于功率电子器件封装技术领域,公开了一种碳化硅陶瓷覆铜基板制备方法及结构,方法包括:S1,在碳化硅陶瓷基板正面和背面分别沉积第一金属层和第二金属层;S2,在第一金属层和第二金属层上分别形成第一合金层和第二合金层;S3,去除金属层上未进...
一种集成电路叠层封装方法
本发明提供了一种集成电路叠层封装方法,包括如下步骤:步骤1:叠层;步骤2:单颗进行切割;步骤3:电镀;步骤4:刻蚀;步骤5:BGA植球;该集成电路叠层封装方法,将多个同型号集成电路叠层封装的方式,在并行使用多个相同集成电路时,仅需焊接一次,...
功率器件嵌埋结构及其制作方法
本公开提供一种功率器件嵌埋结构及其制作方法。功率器件嵌埋结构包括金属框架、纳米导电浆料层和功率单元;纳米导电浆料层设置于金属框架上,功率单元贴装烧结在纳米导电浆料层上;功率单元包括功率器件和在功率器件上方的重新布线层;重新布线层位于功率器件...
一种基板及其封装方法、芯片封装结构及其封装方法
本公开实施例提供一种基板及其封装方法、芯片封装结构及其封装方法,基板封装方法包括:提供基板,基板的背面设置有多个焊点;在基板的背面粘贴第一保护膜,以保护多个所述焊点;在基板的各侧面粘贴第二保护膜。通过在基板的背面和各侧面分别粘贴第一保护膜和...
MIS基板的ECP封装方法及其封装结构
本发明提供了MIS基板的ECP封装方法,其优化空间布局重新利用基板内部空间,从而使得单位空间内封装的元器件数量增加,扩展了产品设计的功能性。其特征在于:将原本需要封装的芯片或者元器件预埋在基板内部,使用塑封料充当基板的芯材,并把芯片或者元器...
半导体结构的制造方法及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。半导体结构的制造方法包括:形成塑封结构,塑封结构包括芯片与第一塑封层;芯片包括芯片正面、芯片背面及芯片侧面,芯片正面设有多个焊垫;第一塑封层至少包封芯片侧面;在塑封结构位于芯片正面的一侧形成与...
一种多头同步键合系统及方法
本发明公开了一种多头同步键合系统及方法,涉及晶圆级系统级封装领域。该系统包括设置于同一X‑Y轴运动平台上的多个可调式键合头;共Z轴模块内置高精度直线电机,用于同步驱动多个键合头升降,并通过光栅尺实现Z轴位置实时反馈;键合头采用模块化快拆结构...
一种脉冲电流辅助铜焊膏快速键合方法
本发明公开了一种脉冲电流辅助铜焊膏快速键合方法。包括以下步骤:在下基板的待键合表面上涂覆微纳混合铜焊膏,经预干燥,形成焊膏层;将上基板置于焊膏层上方,在大气环境下,向上基板或下基板施加0~5MPa的轴向压力,同步施加峰值电流为0.5~1.8...
单片式热处理炉的金属污染评价方法以及半导体晶片的制造方法
本发明提供一种评价单片式热处理炉的金属污染的新的方法。单片式热处理炉的金属污染评价方法包括:在评价对象的单片式热处理炉中,对多片半导体晶片实施在该热处理炉所具备的载置部件上载置半导体晶片并进行热处理的工序;对上述热处理后的多片半导体晶片的每...
高翘曲晶片专用腔室中的混合真空静电吸盘
一种在包括主要区域和可与主要区域环境隔离的辅助区域的处理腔室中处理基板的方法,方法包括:在主要区域处于真空压力时,将基板转移到处理腔室的主要区域并放置在基板保持器的上表面上,其中基板保持器包括一或多个设置在上表面的真空通道以及一或多个靠近上...
用于高翘曲晶片的混合真空静电夹盘载体
本发明涉及用于高翘曲晶片的混合真空静电夹盘载体。根据本发明的处理基板的方法包括:将基板定位在第一腔室的基板固持件的上表面,基板固持件包含一或多个设置在上表面的真空通道及一或多个接近上表面的设置于基板固持件内的电极;在基板固持件位于第一腔室内...
真空腔室中用于高翘曲晶片的混合真空静电吸盘
公开了一种处理基板的方法,包括:将基板转移到处理腔室中,并将基板定位在处理腔室中基板固持件的上表面上,其中基板固持件包括一或多个位于上表面的真空通道以及一或多个位于基板固持件内接近上表面的电极;当基板固持件位于处理腔室内时,通过对一或多个真...
芯片测试方法、装置及计算机设备
本申请涉及一种芯片测试方法、装置及计算机设备。所述方法包括:基于测试线程进行芯片测试,得到测试数据;基于测试线程将所述测试数据存储至临时文件中,并在所述测试数据写入完成后,继续执行下一次芯片测试;基于数据写入线程,将所述临时文件中的测试数据...
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