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最新专利技术
  • 一种可实现高效传动的电动操作机构
    一种可实现高效传动的电动操作机构_无锡凯绎科技有限公司_202511345287.6
    本申请属于断路器技术领域，公开了一种可实现高效传动的电动操作机构，包括底板、设置在底板上的壳体、设置在壳体内的驱动组件和拨动组件，驱动组件包括电动机、齿轮组、摆动臂，电动机依次通过齿轮组、摆动臂向拨动组件传递动能，底板上开设有开口，拨动组件...
    2026-01-14
  • 锁扣机构及开关电器
    锁扣机构及开关电器_上海电器科学研究所(集团)有限公司_202511563917.7
    本申请公开了一种锁扣机构及开关电器，锁扣机构包括锁扣杆，包括锁扣杆体及连接于锁扣杆体两端的锁扣部和联动结构，锁扣部折弯连接于锁扣杆体的端部，且锁扣部与锁扣杆体之间围合形成用于进行锁扣配合的配合空间，联动结构用于与锁扣杆的固定基础转动配合；驱...
    2026-01-14
  • 一种双侧插脚式高耐压光伏熔断器
    一种双侧插脚式高耐压光伏熔断器_深圳市深汕特别合作区威可特熔断器有限公司_202511529199.1
    本申请涉及电气保护领域，尤其是涉及一种双侧插脚式高耐压光伏熔断器。该熔断器，包括：插头和插座，插头用于插接至插座中进行电导通；插头包括：第一壳体、熔体组件、插件和盖体，第一壳体一端设置有端口，熔体组件容置在第一壳体内，插件设置为两个，分别连...
    2026-01-14
  • 一种10KV配电网跌落式熔断器绝缘遮蔽罩
    一种10KV配电网跌落式熔断器绝缘遮蔽罩_国网天津市电力公司_202511137970.0
    本发明提供了一种10KV配电网跌落式熔断器绝缘遮蔽罩，包括相连接的罩体和遮蔽板，所述罩体的底部和侧壁开口，其中侧壁的开口与遮蔽板围合的内部空间连通，所述遮蔽板的顶部设置有顶板，中部开设有水平的卡槽，所述遮蔽罩上设置有用于将静触头锁紧至遮蔽板...
    2026-01-14
  • 电子发射器件及其制作方法
    电子发射器件及其制作方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202410801837.X
    本发明提供一种电子发射器件及其制作方法，制作方法包括：提供硅基板，包括相对的第一面和第二面；通过同质外延在硅基板的第一面上形成单晶硅外延层，单晶硅外延层的电阻率大于硅基板的电阻率；在单晶硅外延层中形成的多孔结构，多孔结构的每个孔隙内包含多个...
    2026-01-14
  • 一种固态真空二极管及其制备方法
    一种固态真空二极管及其制备方法_西安电子科技大学_202511354931.6
    一种固态真空二极管，包括衬底，衬底的顶部两侧分别设置有阳极和阴极，阳极的顶部设置有与其相欧姆接触的阳极接触层，阴极的顶部设置有与其相欧姆接触的阴极接触层，阳极接触层和阴极接触层之间设置有介质层，衬底、阳极、阴极和介质层之间围合有真空区域，或...
    2026-01-14
  • 带电粒子光谱中的像差校正
    带电粒子光谱中的像差校正_FEI公司_202510815326.8
    校正带电粒子谱仪中像差的方法包括由带电粒子谱仪沿轴接收带电粒子束，并通过带电粒子谱仪的第一光学校正元件向带电粒子束施加第一个十极场。第一光学校正元件的至少一部分位于轴上色散平面中带电粒子束的线焦点和轴上交叉位置之前，从而第一个十极场部分地衰...
    2026-01-14
  • 一种晶圆承载组件、半导体处理装置及控制方法
    一种晶圆承载组件、半导体处理装置及控制方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410806805.9
    本发明提供了一种晶圆承载组件、半导体处理装置及控制方法，其中所述晶圆承载组件包括：载台，所述载台用于承载吸附晶圆；第一出气口，设置于所述晶圆下方的载台上，可向所述晶圆底面吹第一气体，以使所述晶圆悬浮；第二出气口，周向设置于所述晶圆外边缘，可...
    2026-01-14
  • 一种电子束偏转扫描驱动器系统
    一种电子束偏转扫描驱动器系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511193317.6
    本发明公开了一种电子束偏转扫描驱动器系统，包括主控系统、FPGA、精密参考源、多级DAC电路、功率放大模块、上偏转线圈和下偏转线圈；所述主控系统连接至FPGA的输入端口，传输扫描控制指令和坐标数据；FPGA连接至多级DAC电路的数字输入端口...
    2026-01-14
  • 一种特征尺寸扫描电镜的成像系统
    一种特征尺寸扫描电镜的成像系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511210068.7
    本发明公开了一种特征尺寸扫描电镜的成像系统，包括电子枪、图像发生器，以及与图像发生器相连的电子束偏转组件和二次电子探测组件；电子枪用于产生和发射电子束；二次电子探测组件用于采集电子束扫描待测样本表面时所激发的二次电子，并转换为电子信号输出给...
    2026-01-14
  • 一种提高等离子体均匀性的方法
    一种提高等离子体均匀性的方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202410809218.5
    本发明属于等离子体技术领域，提供了一种提高等离子体均匀性的方法。本发明提供的提高等离子体均匀性的方法，是通过在等离子体装置腔体内的上部电极的中心和等离子体之间设置绝缘层，并通过调节绝缘层的厚度，使得各个位置的等离子体的电容、阻抗也随之发生改...
    2026-01-14
  • 用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法、系统及设备
    用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法、系统及设备_清华大学_202511345373.7
    本申请公开了一种用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法、系统及设备。用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法，包括：通过质谱仪的检测器获得待检测样本离子化后的模拟信号与计数信号；根据检测器输出的质谱信号得到初级电压信号；根据初级电压信号，生成计数图谱...
    2026-01-14
  • 脉冲型阿尔法粒子时间飞行谱仪
    脉冲型阿尔法粒子时间飞行谱仪_西安交通大学_202511344055.9
    一种脉冲型阿尔法粒子时间飞行谱仪，将固定环、铝箔、闪烁体、光导、光导光纤连接器集成在一起后与转接法兰连接，光导光纤连接器另一端固定有光纤，光纤、高压电源、示波器、信号发生器连接到MCP‑PMT8的PMT对应端口；本发明采用闪烁体探测器和门控...
    2026-01-14
  • 在衬底上形成结构的方法和填充凹陷特征的相关方法
    在衬底上形成结构的方法和填充凹陷特征的相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202510804359.2
    公开了使用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在凹陷特征内形成有机层并将金属物质引入有机层中以允许形成金属晶种层。随后可由金属晶种层形成主体金属层以填充凹陷特征。
    2026-01-14
  • 衬底处理设备和方法
    衬底处理设备和方法_细美事有限公司_202510824730.1
    公开了一种处理衬底的方法，该方法包括：将具有第一流动路径和第二流动路径的喷嘴单元移动到衬底的顶部的喷嘴移动操作；在喷嘴移动操作之后通过第一流动路径将第一处理液排放到衬底的第一排放操作；以及第二排放操作，其在第一排放操作之后停止通过第一流动路...
    2026-01-14
  • 一种可控硅芯片的一次成型镓扩散工艺
    一种可控硅芯片的一次成型镓扩散工艺_扬州杰利半导体有限公司_202511422366.2
    本发明公开了一种可控硅芯片的一次成型镓扩散工艺，步骤一，石英管表面增加耐高温的氧化铝涂层；步骤二，将石英管置于炉体内；步骤三，硅片氧化；步骤四，扩散炉管内通入氮气，并将扩散炉管内温度升至790℃‑810℃；步骤五，将载有氧化镓粉的小舟预先推...
    2026-01-14
  • 一种晶圆的加工方法及晶圆
    一种晶圆的加工方法及晶圆_苏州纳维科技有限公司_202511385221.X
    本发明提供了一种晶圆的加工方法及晶圆，该加工方法包括：S1、对待加工的第一晶圆的边缘进行粗加工，第一倒角部与第二倒角部为非对称倒角形状；S2、按照预设抛光参数对第一倒角部的表面、第二倒角部的表面以及过渡倒角部的表面进行抛光；S3、实时检测定...
    2026-01-14
  • 一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法
    一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511146724.1
    本申请公开了一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法，涉及半导体材料加工技术，包括：预先在抛光垫开导流槽，以基于导流槽提高抛光液在晶片上下表面的流动性，并将抛光垫粘接至抛光盘；按照设定的配比，配制包括磨料、水、增润剂、氧化剂的抛光液；选取合适材质...
    2026-01-14
  • 使用发光二极管灯蚀刻基底的方法和系统
    使用发光二极管灯蚀刻基底的方法和系统_波音公司_202510446133.X
    本申请涉及使用发光二极管灯蚀刻基底的方法和系统。一种使用发光二极管(LED)灯蚀刻基底的方法，所述方法包括：将基底放置在配备有配置成发射具有选定波长的紫外线(UV)的LED灯的蚀刻腔室中。该方法包括：将基底浸没在蚀刻腔室内的电解质溶液中，并...
    2026-01-14
  • 用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构
    用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511173366.3
    本申请涉及用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构。该用于形成沟槽的方法包括：形成依次层叠于衬底结构的硬掩膜及抗反射层，其中，衬底结构包括依次层叠的衬底及保护结构；形成贯穿抗反射层、硬掩膜、保护结构并延伸入衬底的第一沟槽；去除抗反射层及硬掩...
    2026-01-14
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