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最新专利技术
  • 一种掺杂氧化镁耐氟腐蚀涂层的制备方法
    一种掺杂氧化镁耐氟腐蚀涂层的制备方法_华南理工大学_202511328051.1
    一种掺杂氧化镁耐氟腐蚀涂层的制备方法，包括以下步骤：将铝合金基体进行超声清洗后并干燥；制备氧化镁悬浮电解液；将干燥后的铝合金基体放入氧化镁悬浮电解液中进行微弧氧化处理，以在铝合金基体的表面依序形成氧化铝层和MgAl2O4尖晶石相层；将微弧氧...
    2026-03-02
  • 一种塑料件电镀铝阳极氧化的方法
    一种塑料件电镀铝阳极氧化的方法_交叉离子(杭州)新材料科技有限公司_202511320672.5
    本发明涉及材料表面处理技术领域，公开了一种塑料件电镀铝阳极氧化的方法，包括如下步骤：步骤一、所述塑料件经过真空蒸镀处理使其表面金属化；步骤二、在镀液中电镀铝；步骤三、在硫酸溶液中进行阳极氧化，在所述塑料件表面形成电镀铝阳极氧化层。本发明提出...
    2026-03-02
  • 一种多层阳极氧化工艺
    一种多层阳极氧化工艺_绍兴芯链半导体科技有限公司_202511545086.0
    本发明涉及一种多层阳极氧化工艺，包括以下步骤 : 对待氧化工件进行一次阳极氧化处理，以在所述待氧化工件表面生成第一氧化膜；对经一次阳极氧化处理的待氧化工件进行二次阳极氧化处理，以在所述第一氧化层表面生成第二氧化膜，形成多层氧化膜；以及对经二...
    2026-03-02
  • 一种氮气调控微弧氧化制备高致密耐蚀氧化锆涂层的方法
    一种氮气调控微弧氧化制备高致密耐蚀氧化锆涂层的方法_哈尔滨工程大学_202511545268.8
    一种氮气调控微弧氧化制备高致密耐蚀氧化锆涂层的方法，本发明属于功能涂层技术领域。本发明要解决传统微弧氧化涂层因孔隙率高、结构疏松导致的耐蚀性不足的问题。方法：一、电解液配制；二、氮气气氛构建与涂层制备。本发明用于氮气调控微弧氧化制备高致密耐...
    2026-03-02
  • 一种浸渍式电泳线
    一种浸渍式电泳线_江苏安捷伦自动化科技有限公司_202511541954.8
    本发明提供了一种浸渍式电泳线，包括多层支撑框架、设置于底层支撑框架上的若干处理池、设置于上层支撑框架上的烘干装置、用于输送工件依次经过处理池以及烘干装置的连续式输送装置、固定设置于连续式输送装置上若干工件挂载组件；连续式输送装置包括对称设置...
    2026-03-02
  • 一种具有结构色的胶体晶体涂层及其制备方法和应用
    一种具有结构色的胶体晶体涂层及其制备方法和应用_武汉理工大学_202511283202.6
    本发明属于功能高分子材料技术领域，公开了一种具有结构色的胶体晶体涂层及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：1)将水、丙烯酸、引发剂、苯乙烯和第一交联剂混合后进行聚合，得到胶体粒子乳液；2)向胶体粒子乳液中继续加入引发剂、丙烯酸丁酯、甲...
    2026-03-02
  • 一种汽车零部件加工用电泳装置
    一种汽车零部件加工用电泳装置_开封明辉汽车零部件有限公司_202511400104.6
    本发明涉及电泳技术领域，具体为一种汽车零部件加工用电泳装置，包括内部为圆柱形腔体的电泳箱，所述电泳箱的顶部螺丝连接有顶盖，且电泳箱的底部对称固定有支撑座，两个所述支撑座之间设置有伺服电机，且伺服电机与电泳箱固定，所述电泳箱的内部设置有电泳机...
    2026-03-02
  • 一种太阳能电池片电镀装置
    一种太阳能电池片电镀装置_苏州皓申智能科技有限公司_202511321953.2
    本申请涉及太阳能电池片制造技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池片电镀装置，包括电镀槽、多个阳极组件、多个支撑框架、喷射组件和电流分配模块。每个支撑框架上单次能够装载更多的电池片，进而单次能够电镀更多的电池片，实现了产能的倍增，满足了大规模生产...
    2026-03-02
  • 一种填孔镀铜方法
    一种填孔镀铜方法_广州博泉新材料有限公司_202511387010.X
    本发明公开了一种填孔镀铜方法，包括电解槽体，并设有供电模块、分区控流模块及温控模块，所述电解槽体划分预处理区、填孔区、后处理区，所述供电模块含3组独立可调电极分别设置在填孔区内，所述分区控流模块设在填孔区内，将待镀PCB在预处理区依次进行除...
    2026-03-02
  • 用于电镀镍工艺的摇摆槽装置
    用于电镀镍工艺的摇摆槽装置_陕西宝成航空仪表有限责任公司_202511537183.5
    提供一种用于电镀镍工艺的摇摆槽装置，镀镍槽上端四周外壁上均设有滚动导向支撑装置，滚动导向支撑装置上端与摇摆框对应侧底沿固定连接，摇摆框两个宽边侧上端面中部均固定有支撑座，且用于电镀工件悬挂的吊杆端部与对应端的支撑座适配；镀镍槽其中一个宽边侧...
    2026-03-02
  • 一种用于塑料件的循环电镀设备
    一种用于塑料件的循环电镀设备_湖南省恩瑞汽车零配件有限公司_202511361957.3
    本发明适用于电镀领域，提供了一种用于塑料件的循环电镀设备，包括第一电镀箱、涮洗槽、第二电镀箱和固定壳，所述第一电镀箱、涮洗槽和第二电镀箱围绕固定壳设置并相互偏差九十度，所述固定壳外侧第四个九十度间隙位置为工作人员操作工位，所述第一电镀箱和第...
    2026-03-02
  • 一种在线电镀液净化方法及系统
    一种在线电镀液净化方法及系统_国电投新能源科技有限公司_202511456893.5
    本申请提供了一种在线电镀液净化方法及系统，属于电镀技术领域。包括：S1. 确认需要对电镀液进行在线净化以更换电镀添加剂，并确认铜槽电镀液中的有机物杂质水平；确认铜槽中的加热装置、打气装置及过滤装置工作正常，并确保活性炭纤维滤芯和双氧水物料充...
    2026-03-02
  • 用于消除单晶叶片内腔再结晶的可视化柔性装置及方法
    用于消除单晶叶片内腔再结晶的可视化柔性装置及方法_中国航发北京航空材料研究院_202511338766.5
    本发明公开了一种用于消除单晶叶片内腔再结晶的可视化柔性装置及方法，可视化柔性装置包括光纤内窥镜、电极和热塑性膜，光纤内窥镜与电极平行放置，并通过热塑性膜将二者集束为一体。再结晶消除方法包括以下步骤：将单晶叶片固定在水平面上；将可视化柔性装置...
    2026-03-02
  • 铝集流体及其制备方法和二次电池及用电设备
    铝集流体及其制备方法和二次电池及用电设备_东莞东阳光科研发有限公司_202511185884.7
    本申请提出了铝集流体及其制备方法、二次电池和用电设备，所述方法包括：将铝箔进行预处理，以去除所述铝箔表面氧化层和污染物；将所述预处理后的铝箔置于电解液中进行交流腐蚀处理，得到腐蚀铝箔；将所述腐蚀铝箔进行后处理，得到所述铝集流体；其中，所述交...
    2026-03-02
  • 一种有价金属的环保剥除系统及剥除方法
    一种有价金属的环保剥除系统及剥除方法_明志科技大学_202411399951.0
    本发明提供一种有价金属的环保剥除系统，其包含阳极、阴极、电镀液及电镀槽体，阳极是覆有有价金属的导线架或印刷电路板，电镀槽体中设有连接电源供应器的阳极及阴极，电镀液是置于电镀槽体中的过滤后的特殊菌种组成的微生物菌液。本发明还提供一种有价金属的...
    2026-03-02
  • 一种TEA2PbI4钙钛矿单晶、制备方法及其应用
    一种TEA2PbI4钙钛矿单晶、制备方法及其应用_西北大学_202511412744.9
    本发明涉及钙钛矿单晶材料技术领域，具体为一种TEA2PbI4钙钛矿单晶、制备方法及其应用，其制备方法包括采用缓慢降温溶液生长法，通过控制结晶条件，获得高结晶质量和高载流子迁移率的TEA2PbI4钙钛矿单晶。在此基础上，对单晶表面进行钨(W)...
    2026-03-02
  • 一种UiO-66-2F单晶及其制备方法和应用
    一种UiO-66-2F单晶及其制备方法和应用_岭南师范学院_202511319353.2
    本发明涉及金属有机框架材料技术领域，尤其涉及一种UiO‑66‑2F单晶及其制备方法和应用。本发明在惰性气氛下，将2, 5‑二(R)对苯二甲酸、甲基碲化物和溶剂混合，进行反应，得到2, 5‑二(R)‑3, 6‑二甲基碲对苯二酸；将2, 5‑二...
    2026-03-02
  • 一种适用于助熔剂法生长GaN的反应釜
    一种适用于助熔剂法生长GaN的反应釜_北京大学东莞光电研究院_202511380548.8
    本发明公开了一种适用于助熔剂法生长GaN的反应釜，涉及氮化镓单晶生长设备技术领域。该高温反应釜包括釜体、密封盖、紧固件和冷凝管，釜体开口端内设带有环形凸起的凹槽，密封盖下部设有对应凸起，二者之间通过挤压软质密封圈形成主密封界面，有效阻止钠蒸...
    2026-03-02
  • 一种碳化硅晶体生长熔体外热场温度梯度测量装置及方法
    一种碳化硅晶体生长熔体外热场温度梯度测量装置及方法_成都天一晶能半导体有限公司_202511245848.5
    本申请提供了一种碳化硅晶体生长熔体外热场温度梯度测量装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该装置包括杆体和温度测量装置，杆体的一端连接长晶炉的旋转轴，杆体上设有多个翅片，多个翅片沿杆体的轴向相间隔设置，且多个翅片围绕杆体的周面依次布置，每...
    2026-03-02
  • 用于β-Ga2O3晶体生长的助溶剂、其应用及晶体生长方法
    用于β-Ga2O3晶体生长的助溶剂、其应用及晶体生长方法_广东省科学院半导体研究所_202511313992.8
    本发明公开一种用于β‑Ga2O3晶体生长的助溶剂、其应用及晶体生长方法，用于β‑Ga2O3晶体生长的助溶剂包括氧化铋和氧化硼组成的混合物，氧化铋与氧化硼的摩尔比范围为(0.5～2)：(2～5)。该助溶剂用于β‑Ga2O3的晶体生长时，不仅能...
    2026-03-02
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