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最新专利技术
  • 具有防垢功能的合金薄膜防垢器及制作方法
    具有防垢功能的合金薄膜防垢器及制作方法_浙江工业大学_202511167419.0
    本发明公开了一种具有防垢功能的合金薄膜防垢器及制作方法，包括至少两个串联的管道结，与前端的管道结连接的前接头，与后端的管道结连接的后接头；所述管道结包括圆管和设于圆管两端的第一环形连接板；前接头和后接头均包括第二环形连接板和与第二环形连接板...
    2026-03-08
  • 一种立式单舱通过转移工位完成细长管内壁镀膜的镀膜设备
    一种立式单舱通过转移工位完成细长管内壁镀膜的镀膜设备_广东汇成真空科技股份有限公司_202511180358.1
    本发明公开了一种立式单舱通过转移工位完成细长管内壁镀膜的镀膜设备，其包括上下料装置和炉体，上下料装置包括料架、翻转动力机构、夹具和推拉机构，翻转动力机构为料架的状态切换提供动力，夹具滑动连接在料架的外导向组件上，炉体内设有内导向组件、平移动...
    2026-03-08
  • 一种可炼靶的圆柱靶防污挡板
    一种可炼靶的圆柱靶防污挡板_广东振华科技股份有限公司_202511210317.2
    本发明公开了一种可炼靶的圆柱靶防污挡板，包括活动外挡板、固定内挡板、圆柱靶、挡板动力输入端和上限位组件，所述活动外挡板设在所述固定内挡板的外侧，所述圆柱靶设在所述固定内挡板的内侧，所述固定内挡板的上端与所述上限位组件相连，所述活动外挡板的上...
    2026-03-08
  • 一种控制医用镁合金表面镀膜渗层深度的方法
    一种控制医用镁合金表面镀膜渗层深度的方法_湖南航天医院_202511274258.5
    本发明公开了一种控制医用镁合金表面镀膜渗层深度的方法，属于材料科学技术领域，通过改变镁合金的残余应力调控镁合金表面沉积镀膜的渗层深度。本发明利用残余应力主动调控渗层深度，精确优化镁合金材料表层的性能与寿命，实现材料性能与结构设计的精准匹配。...
    2026-03-08
  • 超平坦多波形高V掺杂LiNbO3薄膜传感器及其制备方法
    超平坦多波形高V掺杂LiNbO3薄膜传感器及其制备方法_武汉大学_202511279815.2
    本发明公开了一种超平坦多波形高V掺杂LiNbO3薄膜传感器及其制备方法，所述制备方法包括，采用V掺杂原子数占比4%‑14%的LiNbO3靶材，通过磁控溅射法在基材表面制备高V掺杂LiNbO3薄膜传感器；其中，所述LiNbO3靶材的制备方法包...
    2026-03-08
  • 一种新型磁控溅射仪
    一种新型磁控溅射仪_安徽信息工程学院_202511295909.9
    本发明涉及磁控溅射仪技术领域，具体是涉及一种新型磁控溅射仪，包括磁控溅射仪外壳，所述磁控溅射仪外壳内置高效靶材利用技术，所述磁控溅射仪外壳内置磁场增强技术，所述磁控溅射仪外壳内置多靶共沉积技术，所述精确温控组件设置在磁控溅射仪外壳的表面。本...
    2026-03-08
  • 一种防氧化复合铜的制备方法
    一种防氧化复合铜的制备方法_江阴纳力新材料科技有限公司_202511325494.5
    本发明公开了一种防氧化复合铜的制备方法，涉及金属材料加工技术领域。防氧化复合铜的制备方法：包括以下步骤：将基膜经过磁控溅射铜靶材，形成过渡层；再水电镀沉积铜，形成表面金属层；得到复合铜箔；将复合铜箔置于抗氧化液中，浸泡5~10s，得到防氧化...
    2026-03-08
  • 一种铜靶材的表面处理方法
    一种铜靶材的表面处理方法_武汉江丰电子材料有限公司_202511347153.8
    本发明涉及一种铜靶材的表面处理方法，具体涉及靶材领域，所述表面处理方法包括：对铜靶材溅射面的环形区域和环形区域内的闭合区域分别进行第一等离子表面处理和第二等离子表面处理；所述环形区域的面积＜闭合区域的面积；所述第一等离子表面处理所用气体包括...
    2026-03-08
  • 一种基于中频异质双靶成分调控薄膜实现可见光与微波透过率协同优化的方法
    一种基于中频异质双靶成分调控薄膜实现可见光与微波透过率协同优化的方法_哈尔滨工业大学_202511347905.0
    一种基于中频异质双靶成分调控薄膜实现可见光与微波透过率协同优化的方法，它涉及一种通过中频异质双靶调控薄膜的方法。本发明要解决现有技术难以实现可见光高反射与微波高透过的理想兼容问题。方法：将基体置于真空镀膜设备的样品台上，调节溅射靶与基体的距...
    2026-03-08
  • 一种多层干涉膜制品及其连续制备方法
    一种多层干涉膜制品及其连续制备方法_森科五金(深圳)有限公司_202511507812.X
    本发明公开了一种多层干涉膜制品及其连续制备方法，该多层干涉膜制品的连续制备方法包括步骤：提供连续线镀膜设备，连续线镀膜设备包括依序排列的N个独立的腔体，将基材装载于连续线镀膜设备的转架；在第1个腔体内对基材进行清洗；在第2个腔体至第(N‑1...
    2026-03-08
  • 一种基于定向热辐射调控的街区能源利用材料及制备方法
    一种基于定向热辐射调控的街区能源利用材料及制备方法_河北工业大学_202511696313.X
    本发明涉及能源利用技术领域，尤其涉及一种基于定向热辐射调控的街区能源利用材料及制备方法，材料包括基底建筑材料以及设置在基底建筑材料上表面预设微结构，方法包括：基于热流转向区的棱边轮廓曲线的平滑表征参数确定热流转向区的清洗是否合格，以调节氩气...
    2026-03-08
  • 真空镀膜夹具及装置
    真空镀膜夹具及装置_中国科学院半导体研究所_202410757631.1
    提供一种真空镀膜夹具，可应用于光电、光伏及电子等多个领域。该夹具包括：驱动组件，包括主动盘和行星齿轮结构；传动组件，包括第一连接杆、第二连接杆、第三连接杆和连接结构，连接结构通过第一连接杆与行星齿轮结构连接；以及安装结构，包括第一平板结构，...
    2026-03-08
  • 一种可兼容多尺寸晶圆的镀膜托盘
    一种可兼容多尺寸晶圆的镀膜托盘_成都航天博目电子科技有限公司_202511301775.7
    本发明公开了一种可兼容多尺寸晶圆的镀膜托盘，包括托盘主体，托盘主体上设置有多个台阶式承载环、尺寸标识、中心定位标识、中心环形开槽、多个环形边缘槽、限位钉安装孔及取片豁口；多个台阶式承载环同轴设置，分别用于对不同尺寸的晶圆进行承载并限位；中心...
    2026-03-08
  • 一种工件旋转固定架及含有该固定架的磁控溅射镀膜设备
    一种工件旋转固定架及含有该固定架的磁控溅射镀膜设备_无锡嘉森光学科技有限公司_202511390134.3
    本发明涉及磁控溅射镀膜机技术领域，具体涉及一种工件旋转固定架及含有该固定架的磁控溅射镀膜设备，包括镀膜室，工件处于镀膜室内进行镀膜，还包括：转动盘、支柱和固定架；转动盘转动安装在镀膜室内，由电机驱动旋转，所述支柱竖直固定安装在转动盘上，固定...
    2026-03-08
  • 选择性沉积的表面处理
    选择性沉积的表面处理_应用材料公司_202511184199.2
    公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻隔层...
    2026-03-08
  • 氮气置换装置及化学气相沉积设备
    氮气置换装置及化学气相沉积设备_甬江实验室_202511337036.3
    本申请公开了一种氮气置换装置及化学气相沉积设备，属于半导体制造技术领域。所述氮气置换装置包括置换装置本体、抽气机构、氮气机构、气体浓度传感模块和控制模块，所述置换装置本体形成缓冲腔和反应腔；所述抽气机构与所述缓冲腔相连，用于调节所述缓冲腔内...
    2026-03-08
  • 一种石墨舟饱和方法
    一种石墨舟饱和方法_石家庄晶澳太阳能科技有限公司_202511097214.X
    本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种石墨舟饱和方法，该石墨舟饱和方法包括：对石墨舟预处理；其中，所述预处理包括干法清洗；在石墨舟上沉积掺杂多晶硅层和非晶硅层，形成沉积层。该方法用以解决干法清洗所得的石墨舟的表面杂质仍然残留，进而导致制备出...
    2026-03-08
  • 利用毛发制备CVD培育钻石用高纯含碳气体装置及方法
    利用毛发制备CVD培育钻石用高纯含碳气体装置及方法_桂林星钻超硬材料有限公司_202510126759.2
    本发明公开一种利用毛发制备CVD培育钻石用高纯含碳气体装置及方法，由毛发碳化及气化单元和气体提纯单元组成。毛发碳化及气化单元包括管式真空炉、真空泵、进料管和粗料管。气体提纯单元包括精密过滤器、气体液化器、气体纯化器、存储罐、循环泵、初提纯管...
    2026-03-08
  • 一种高纯碳化硅喷淋头及其制备方法
    一种高纯碳化硅喷淋头及其制备方法_湖北芯火半导体科技有限公司_202511177370.7
    本发明公开了一种高纯碳化硅喷淋头及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：制备牺牲层，牺牲层包括一圆形薄片状的基底，以及多个形成于该基底上的圆柱形的凸台；在牺牲层上沉积第一碳化硅层，沉积厚度要能完全包覆凸台，形成第一沉积体；除去第一沉积体中的...
    2026-03-08
  • 一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法
    一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511238648.7
    本发明公开的属于碳化硅涂层技术领域，具体为一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法，包括以下步骤：对石墨基底进行预处理；对设备进行调试；将预处理后的基体置于反应炉内，关闭炉门，启动真空系统，将反应炉内压力抽至‑Pa，减少炉内空气对反应的干扰；向反...
    2026-03-08
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