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一种电解堆阳极多孔传输层的涂层工艺和多孔传输层
本发明提供一种电解堆阳极多孔传输层的涂层工艺和多孔传输层,包括表面预处理、第一镀膜处理以及第二镀膜处理。其中,表面预处理对多孔传输层基材依次进行等离子体清洗和酸洗以分别去除所述多孔传输层基材表面有机官能团及氧化钝化层,第一镀膜处理采用物理气...
一种铂金复合线及其覆镀方法
本发明涉及金属材料加工技术领域,公开了一种铂金复合线及其覆镀方法的铂金复合线及其覆镀方法,旨在解决现有覆镀技术中因材料晶格失配、应力集中导致结合强度不足、镀层缺陷及稳定性差的问题。该复合线自内向外包括导线基材、第一过渡层、镍铂合金第二过渡层...
一种因瓦箔材的表面处理方法
本发明公开了一种因瓦箔材的表面处理方法,属于掩模版制造领域,包括以下步骤:S1, 对因瓦箔材进行内应力的测试;S2, 根据S1测试结果确定因瓦箔材的正面减薄量以及反面减薄量;S4, 根据S2的正面减薄量以及反面减薄量,将因瓦箔材制成掩模版,...
金属掩膜版
本申请提供了一种金属掩膜版。该金属掩膜版包括:有效区、夹持区和过渡区。夹持区间距设置于有效区沿第一方向的至少一端;夹持区包括:位于沿第二方向的至少一端的夹爪区;第二方向与第一方向相交,且均平行于金属掩膜版;过渡区设置于有效区和夹持区之间;过...
一种掩膜版
本发明涉及显示技术领域,提供了一种掩膜版,包括:像素区、净空区及标识区,像素区包括多个像素通孔,净空区包围标识区,净空区的外部被多个像素通孔包围;掩膜版包括沿厚度方向相对的第一面及第二面,净空区的第一面一侧设置多个第一凹槽,净空区的第二面一...
一种掩膜版
本发明涉及显示技术领域,提供了一种掩膜版,包括:像素区、净空区及标识区,净空区包围标识区,净空区的外部被多个像素通孔包围;包括沿厚度方向相对的玻璃面和蒸镀面,净空区的蒸镀面设置多个凹槽,净空区的平均单位体积剩余占比的取值区间随着像素区的平均...
一种AlTiMoVN多元自润滑涂层及制备方法和应用
本申请公开了一种AlTiMoVN多元自润滑涂层及制备方法和应用,制备方法包括如下工艺步骤:S1,超声波清洗基体;S2,基体装载至样品架并放入镀膜腔室内,镀膜腔室设置温度为25至500℃,真空度设置为1.0*10‑3至1.0*10‑4Pa;S...
一种AlTiSiMoVN多元纳米复合涂层及制备方法和应用
本申请公开了一种AlTiSiMoVN多元纳米复合涂层及制备方法和应用,制备方法包括如下工艺步骤:S1,超声波清洗基体;S2,基体装载至样品架并放入镀膜腔室,镀膜腔室的温度设置为25至500℃,真空度设置为1.0*10‑3至1.0*10‑4P...
一种微观DIC用的非晶纳米碳颗粒人工散斑制备方法和装置
本申请公开了一种微观DIC用的非晶纳米碳颗粒人工散斑制备方法和装置,该方法使用高纯度碳材料作为碳靶,通过合理调控等离子物理气相沉积设备的运行参数,能够制备出粘附力强、均匀且弥散分布、分辨率高并且可与电子背散射衍射(EBSD)技术联用的人工散...
激光雷达窗口片的制备方法、激光雷达
本申请涉及激光雷达技术领域,特别是涉及激光雷达窗口片的制备方法、激光雷达。制备方法包括以下步骤:提供基板;采用一体化镀膜工艺在基板的背面连续沉积第一黑膜层、透明导电膜以及AR镀层,制备中间件;其中,第一黑膜层用于调控透过的光波波段;对中间件...
一种具有非晶金属-纳米晶陶瓷层状结构的PVD涂层及其制备方法
本发明提供了一种具有非晶金属‑纳米晶陶瓷层状结构的PVD涂层及其制备方法,属于金属材料表面处理技术领域。该涂层包括至少一层非晶金属层和至少一层纳米晶陶瓷层,非晶金属层和纳米晶陶瓷层交替设置;非晶金属层的材质为掺杂了Ta和Si的钛铝合金,非晶...
一种VMoSiN强韧耐磨涂层及其制备方法和应用
本发明提供一种VMoSiN强韧耐磨涂层及其制备方法和应用,具体涉及功能涂层材料技术领域。本发明VMoSiN强韧耐磨涂层呈均匀的纳米晶结构,且所述VMoSiN强韧耐磨涂层包括VMoSiN相、VN相、V2N相和MoN相。与现有技术相比,本发明通...
一种用于刀具的复合自润滑涂层及其制备方法
本发明属于涂层刀具技术领域,具体涉及一种用于刀具的复合自润滑涂层及其制备方法,一种用于刀具的复合自润滑涂层包括:WS2界面适配层、WS2/MoS2缓冲过渡层、TiAlMoN主承载耐磨层、TiAlMoN/Ni润滑相复合层、W‑C‑N表界面功能...
无机电子传输层及其制备方法和钙钛矿电池
本发明涉及钙钛矿电池技术领域,具体涉及一种无机电子传输层及其制备方法和钙钛矿电池。无机电子传输层的制备方法,包括以下步骤:将基片置于热蒸发设备的镀膜区域;加热所述热蒸发设备中的无机电子传输原料,同时,根据所述无机电子传输原料中含有的非金属元...
一种用于超高密度磁记录介质的氧化物薄膜材料及其制备方法和应用
本发明属于薄膜材料技术领域,公开了一种用于超高密度磁记录介质的氧化物薄膜材料及其制备方法和应用。该制备方法,包括以下步骤:(1)取原材料钙钛矿氧化物材料、反铁磁氧化物材料和亚铁或铁磁氧化物材料,混合,研磨,得到颗粒混合物;(2)将步骤(1)...
基于相变材料的火电机组动态热缓冲涂层及其制备方法
本发明属于火电机组受热面治理技术领域,针对火电机组热障涂层使用单一相变材料时,存在导热率低,循环稳定性差,以及与基体结合力弱的技术问题,提供一种基于相变材料的火电机组动态热缓冲涂层及其制备方法。包括由内至外覆盖于火电机组金属基体上的中间缓冲...
一种高温下抗氧化耐磨损多元碳化物涂层及其制备方法
本发明公开了一种高温下抗氧化耐磨损多元碳化物涂层及其制备方法。所述涂层由CrY/CrYTiAl复合过渡层和(TiCrNbAlY)C功能层组成,其中功能层中C元素的原子百分比为40%~60%,Ti、Cr、Nb、Al、Y五种金属元素的原子百分比...
一种Ga2O3/GaN异质结及其制备方法和应用
本发明公开了一种Ga2O3/GaN异质结及其制备方法和应用,属于半导体材料制备技术领域。一种Ga2O3/GaN异质结的制备方法包括以下步骤:将Sn金属蒸镀在部分GaN薄膜上,得到镀Sn的GaN;在空气气氛下,将镀Sn的GaN与Ga单质在85...
沉积源和电子装置
公开沉积源和电子装置。该沉积源可包括:外壳;喷嘴部件,设置在外壳上,并且包括第一喷嘴和与第一喷嘴相邻的第二喷嘴;第一储存器,设置在外壳中并且被配置以容纳第一沉积材料;第二储存器,设置在外壳中并且被配置以容纳第二沉积材料;以及盖,设置在外壳与...
一种蒸镀设备
本发明属于薄膜制备技术领域,公开了一种蒸镀设备。该蒸镀设备包括本体、盖体、驱动件、限位件和检测件。本体设有腔室;盖体具有打开腔室的第一状态和关闭腔室的第二状态,盖体设有安装位;驱动件与盖体传动连接,用于带动盖体在第一状态和第二状态之间切换;...
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