Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种方形料板垂直电镀治具
    一种方形料板垂直电镀治具_苏州钧华半导体技术有限公司_202511295505.X
    本发明提供一种方形料板垂直电镀治具，涉及一种电镀治具结构，包括治具主体、治具盖板和夹紧组件，治具主体通过围设在四周的四组夹紧组件将治具盖板压设在治具主体上，治具盖板上的导电铜片一端连接在产品上，另外一端则与治具主体上预埋的铜条相接，夹紧组件...
    2026-02-22
  • 一种对电解槽双极板无挂具痕的电镀工装
    一种对电解槽双极板无挂具痕的电镀工装_河北合晟元科技有限公司_202511589109.8
    本发明公开了一种对电解槽双极板无挂具痕的电镀工装，涉及电镀技术领域。本发明包括支架，所述支架的内侧设置有调节机构。本发明通过三组聚四氟乙烯滚轮将双极板固定在支架的内部，在电镀时当双极板需要转动时，通过电动伸缩杆带动连接块一和调节架进行垂直向...
    2026-02-22
  • 单晶四氧化三锰的合成方法、正极材料、电池和涉电设备
    单晶四氧化三锰的合成方法、正极材料、电池和涉电设备_星恒电源股份有限公司_202511631067.X
    本发明提供一种单晶四氧化三锰的合成方法、正极材料、电池和涉电设备，涉及锂电池技术领域。所述合成方法为对四氧化三锰原料进行固相处理，包括：在多阶段梯度升温过程中对四氧化三锰原料进行加热；及在多阶段梯度升温的不同阶段，使用惰性气氛和含氧气氛从而...
    2026-02-22
  • 一种基于焦耳热实现含Ba质子导体晶粒尺寸调控的方法
    一种基于焦耳热实现含Ba质子导体晶粒尺寸调控的方法_清华大学_202511163208.X
    本发明涉及新能源材料技术领域，尤其涉及一种基于焦耳热实现含Ba质子导体晶粒尺寸调控的方法。所述方法包括以下步骤：制备包含Zr源、Ce源、Y源、Yb源中的至少一种以及Ba源的混料；对所述混料进行成型处理，得到混料样块；将所述混料样块置于碳加热...
    2026-02-22
  • 基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法
    基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法_韩国科学技术院_202510730494.7
    根据本发明，可提供基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法，可调节钙钛矿单晶的厚度及大面积生长的基板集成生长装置包括：上部壳体，包括储存钙钛矿前体溶液的储存空间；下部壳体，与上部壳体的下部相结合；以及温度控制装置，配置于下部壳体的下部，...
    2026-02-22
  • 晶体生长设备和利用该设备制备KBBF族非线性光学晶体的方法
    晶体生长设备和利用该设备制备KBBF族非线性光学晶体的方法_中国科学院理化技术研究所_202511244992.7
    本申请涉及一种晶体生长设备和利用该设备制备KBBF族非线性光学晶体的方法。晶体生长设备包括加热炉、气源、真空泵、一端开口的石英管、用于密封石英管端口的密封装置和三通，所述三通的第一接口通过所述密封装置进入所述石英管，第二接口用于连接所述气源...
    2026-02-22
  • 基于定向凝固法的磁性合金制备方法、磁性合金及应用
    基于定向凝固法的磁性合金制备方法、磁性合金及应用_天津工业大学_202511244693.3
    本发明公开了一种基于定向凝固法的磁性合金制备方法、磁性合金及应用，属于磁性材料领域。其技术要点在于：S100，配料；S200，熔融多晶；S300，制备母合金棒；S400，定向凝固，将母合金棒装入到底部为尖端的石英管，所述石英管置于坩埚中，将...
    2026-02-22
  • 一种俯视观察式热毛细对流液桥生成器
    一种俯视观察式热毛细对流液桥生成器_临沂大学_202511249248.6
    本发明涉及流体物理学技术领域，公开了一种俯视观察式热毛细对流液桥生成器，包括支架；液桥组件，包括上液桥件和下液桥件，上液桥件和下液桥件分别安装在支架上部和下部，且上液桥件和下液桥件位于同一轴线上，外界气流从下液桥件端进入从上液桥件段流出；防...
    2026-02-22
  • 单晶炉温度的调控方法、调控装置和电子设备
    单晶炉温度的调控方法、调控装置和电子设备_青海高景太阳能科技有限公司_202511163249.9
    本申请提供了一种单晶炉温度的调控方法、调控装置和电子设备。方法包括：在对单晶炉中的单晶硅进行熔融处理过程中，根据第一时刻单晶炉的功率，确定单晶硅的固液比；根据固液比和预设关系，确认单晶炉的加热功率，以调节单晶硅的液相温度达到基础目标温度，并...
    2026-02-22
  • 一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法
    一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法_江苏天科合达半导体有限公司_202511244799.3
    本发明涉及碳化硅材料技术领域，尤其涉及一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法。所述生长碳化硅晶体的装置包括：坩埚；所述坩埚的顶部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶；所述坩埚的底部设置有多孔材料；所述多孔材料的上表面设置有多孔石墨片；Si...
    2026-02-22
  • 一种形核剂及其制备方法和在制备多晶硅锭中的应用
    一种形核剂及其制备方法和在制备多晶硅锭中的应用_无锡松瓷机电有限公司_202511282086.6
    本申请提供了一种形核剂及其制备方法和在制备多晶硅锭中的应用，涉及多晶硅生产的技术领域，所述形核剂以质量百分比计包括以下组分：10％‑50％碳化硅、1％‑8％钽和余量的硅；所述碳化硅的粒径为150um‑550um；所述硅的粒径为1mm‑25m...
    2026-02-22
  • 铜箔、铜箔制备方法及电池
    铜箔、铜箔制备方法及电池_哲创(中山)新材料有限公司_202511315192.X
    本发明涉及一种铜箔、铜箔制备方法及电池。所述铜箔中包括孪晶，所述孪晶的体积分数为30%~60%，其中，片层厚度为5~20nm的孪晶为第一孪晶，所有所述第一孪晶的总体积占所有所述孪晶的体积占比大于40%。此比例的孪晶分布避免了单一强化方式导致...
    2026-02-22
  • 一种基于束流中和的低温团簇辅助金刚石外延生长的方法及复合衬底材料
    一种基于束流中和的低温团簇辅助金刚石外延生长的方法及复合衬底材料_哈尔滨工业大学_202511283782.9
    本发明公开一种基于束流中和的低温团簇辅助金刚石外延生长的方法及复合衬底材料，属于半导体基体材料制备领域；采用基底预处理、活化修饰、纳米织构化、界面过渡层构筑、束流中和，把高能量的离子中和或者去除，在基底GaN上，于低温<500°C下，实现高...
    2026-02-22
  • 一种碳纤维托杆预制体制备方法以及针刺机构
    一种碳纤维托杆预制体制备方法以及针刺机构_陕西美兰德新材料股份有限公司_202511193274.1
    本申请公开了一种碳纤维托杆预制体制备方法以及针刺机构，属于碳纤维托杆预制体制备技术领域。该碳纤维托杆预制体制备方法包括：在锥头芯模上缠绕碳布并对碳布进行针刺；当在锥头芯模上缠绕的碳布外径与杆身芯模一端的外径相同时，将锥头芯模连接于杆身芯模的...
    2026-02-22
  • 提高直拉单晶硅收尾成活率的控制方法、装置、电子设备及存储介质
    提高直拉单晶硅收尾成活率的控制方法、装置、电子设备及存储介质_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511538313.7
    本发明提供提高直拉单晶硅收尾成活率的控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体拉晶技术领域，在直拉单晶收尾时，根据坩埚内剩料比例匹配对应的收尾工艺，以最大限度地避免了因参数不匹配而导致的位错反延(如晶棒扭曲，直径、拉速等突然变化，设备异...
    2026-02-22
  • 单晶炉观察视窗的防污染装置、方法及单晶炉
    单晶炉观察视窗的防污染装置、方法及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511538981.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种单晶炉观察视窗的防污染装置、方法及单晶炉；通过在单晶炉观察视窗内表面的一侧供给惰性气体，形成覆盖所述单晶炉观察视窗的内表面的气流层，在所述单晶炉观察视窗的内表面另一侧，对炉内的气体进行抽吸，引导所述...
    2026-02-22
  • 单晶薄膜、其制备方法及应用
    单晶薄膜、其制备方法及应用_甬江实验室_202410733613.X
    本发明提供一种单晶薄膜、其制备方法及应用。该单晶薄膜包括依次层叠设置的功能层、过渡层以及衬底，所述功能层的材料包括铌酸锂单晶、钽酸锂单晶中的至少一种；所述过渡层的晶格常数与所述功能层的晶格常数的差值的绝对值小于等于5％；所述过渡层的晶格常数...
    2026-02-22
  • 碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法
    碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202511237596.1
    本发明涉及一种碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法，所述方法包括：第一气体与第二气体进入沉积腔室，在基材的表面沉积碳化硅层；沉积结束，停止通入第一气体与第二气体，分割得到若干复合锭子；所述复合锭子包括基材以及沉积在基材表面的碳化硅层...
    2026-02-22
  • 一种提高PVT法生长碳化硅单晶生长速率的装置及方法
    一种提高PVT法生长碳化硅单晶生长速率的装置及方法_宁夏创盛新材料科技有限公司_202511292211.1
    本申请涉及碳化硅生长技术领域，尤其是涉及提高PVT法生长碳化硅单晶生长速率的装置，装置包括：坩埚，坩埚包括容纳籽晶的坩埚上部、容纳原料的坩埚下部以及位于坩埚上部和坩埚下部之间的坩埚中部；喷气组件，喷气组件包括：喷嘴，喷嘴设置有多个，多个喷嘴...
    2026-02-22
  • 外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法
    外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511613921.X
    本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、HEMT器件的制备方法以及HEMT器件，其中方法包括：提供衬底；在衬底上外延生长BxAl1‑xN成核层，其中，0＜x≤1；在BxAl1‑xN成核层上外延生长ByAl1‑yN渐变缓冲层，其中，...
    2026-02-22
首页 上一页 2 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证