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最新专利技术
  • 镀膜监控机构
    镀膜监控机构_光驰科技(上海)有限公司_202511266315.5
    本发明涉及真空镀膜技术领域，公开一种镀膜监控机构，监测端头用于获取监控片上与薄膜厚度关联的信息，与外壳上开设的监测孔对应设置；监控片装载板上设有多个用于放置监控片的监控位，至少部分的监控位呈直线式且延第一方向排列；监控片切换模块用于使监控片...
    2026-02-21
  • 工艺炉的尾气防倒吸系统及其控制方法
    工艺炉的尾气防倒吸系统及其控制方法_湖南德智新材料股份有限公司_202511182235.1
    本申请提供了一种工艺炉的尾气防倒吸系统及其控制方法，涉及了半导体和光伏技术领域。工艺炉的尾气防倒吸系统包括调节阀组件、供气组件、液位传感器、压力传感器以及控制组件，调节阀组件设置于真空泵和过滤罐之间位置，以及设置于过滤罐和环保罐之间的位置，...
    2026-02-21
  • 薄膜电容器生产用真空镀膜机
    薄膜电容器生产用真空镀膜机_铜陵市科峰电子有限责任公司_202511280103.2
    本发明涉及真空镀膜机技术领域，尤其涉及薄膜电容器生产用真空镀膜机，包括镀膜箱，所述镀膜箱的内部设置有真空镀膜机构和薄膜清洁机构，镀膜箱上设置有密封隔离机构和辅助温控机构，辅助温控机构用于维持密封隔离机构低温，密封隔离机构包括固定安装在镀膜箱...
    2026-02-21
  • 金刚石薄膜修饰的高性能微通道板及其制备方法
    金刚石薄膜修饰的高性能微通道板及其制备方法_北方夜视科技(南京)研究院有限公司_202511197635.X
    本发明提供一种金刚石薄膜修饰的高性能微通道板的制备方法，包括以下步骤：对微通道板基板进行氧化处理，使基板表面及通道内壁均形成SiO2绝缘层；对生长表面进行负偏压脉冲处理，清洁并活化生长表面；对活化后的生长表面进行氢等离子体刻蚀处理，在生长表...
    2026-02-21
  • 一种多晶金刚石膜的制备方法及应用
    一种多晶金刚石膜的制备方法及应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511657689.X
    本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法及应用，所述制备方法，包括：S1、将泡沫铜压铸在铜衬底上形成铜基底；S2、对铜基底进行酸洗去除氧化层；S3、对铜基底表面涂覆金刚石粉悬浮液种子层；S4、将涂覆有金刚石粉悬浮液种子层的铜基底置于CVD反应...
    2026-02-21
  • 一种石墨烯基半导体二维异质结薄膜的制备方法
    一种石墨烯基半导体二维异质结薄膜的制备方法_华中科技大学_202511228651.0
    本发明公开了一种石墨烯基半导体二维异质结薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)取三温区管式炉，所述三温区管式炉从左至右依次为第一温区、第二温区、第三温区；向第一温区加入Mo源，第二温区通入碳源，第三温区通入S源；(2)将衬底放入所述第二温区，...
    2026-02-21
  • 一种高真空密闭空间制备MoS2薄膜的方法
    一种高真空密闭空间制备MoS2薄膜的方法_兰州大学_202511153821.3
    本发明涉及二维半导体材料合成技术领域，具体涉及一种高真空密闭空间制备MoS2薄膜的方法。首先将作为MoS2薄膜前驱体的固态硫源、钼前驱体和卤素盐的混合物以及生长衬底置于密封真空容器的两端；其次，在双温区管式炉内，将真空容器中的混合物和生长衬...
    2026-02-21
  • 一种MOCVD设备维护后反应腔内生长环境恢复及验证方法
    一种MOCVD设备维护后反应腔内生长环境恢复及验证方法_山东华光光电子股份有限公司_202511162808.4
    本发明涉及一种MOCVD设备维护后反应腔内生长环境恢复及验证方法。该发明包括：通入氢气至MOCVD设备反应腔，分别进行低温、中温和高温烘烤，然后将三甲基铝和特种气体通入设备反应腔中，使得水氧分子和三甲基铝发生反应。再通入三甲基铝、三甲基镓和...
    2026-02-21
  • 一种用于微纳米颗粒连续原子层沉积的方法及装置
    一种用于微纳米颗粒连续原子层沉积的方法及装置_智覆纳米科技(泉州)有限公司_202511245772.6
    本发明涉及原子层沉积技术领域，尤其涉及一种用于微纳米颗粒连续原子层沉积装置，包括按特定模式布置的原子层沉积粉体腔，依次为第一粉体腔、吹扫区粉体腔、第二粉体腔，实现清洗和反应的空间隔离；所述原子层沉积粉体腔包括连通吹扫区粉体腔的加料斗、进气孔...
    2026-02-21
  • 半导体工艺腔室、器件加工方法及计算机可读存储介质
    半导体工艺腔室、器件加工方法及计算机可读存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511452524.9
    本发明提供了一种工艺腔室及一种半导体器件的加工方法。该工艺腔室包括，第一RPS入口、第二RPS入口、加热盘和升降机构。该第一RPS入口位于工艺腔室的顶部，至少用于提供第一清洁气体。该第二RPS入口位于工艺腔室的侧壁，至少用于提供第二清洁气体...
    2026-02-21
  • 应用于化学气相沉积的工装结构及其原位自清洁方法
    应用于化学气相沉积的工装结构及其原位自清洁方法_中国航发北京航空材料研究院_202511620911.9
    本发明涉及一种应用于化学气相沉积的工装结构及其原位自清洁方法，属于高温沉积装备技术领域，解决了现有清除工装表面有害涂层的方法效率低、易损伤工装、引入污染物、成本高的问题。所述方法包括：采用表面具有微结构的工装对基底进行固定，进行化学气相沉积...
    2026-02-21
  • 一种硫化锂制备用的气相沉积炉及生产系统
    一种硫化锂制备用的气相沉积炉及生产系统_四川省达科特能源科技股份有限公司_202511624642.3
    本发明公开一种硫化锂制备用的气相沉积炉及生产系统，涉及到气相沉积炉领域，其包括气相沉积炉，所述气相沉积炉上转动安装有炉盖，并且所述气相沉积炉内活动安装有基座，所述基座上安装有放置台，所述气相沉积炉的一侧连接有吸尘器；还包括转移封闭装置和随动...
    2026-02-21
  • 气体供应装置、薄膜生长设备及薄膜生长方法
    气体供应装置、薄膜生长设备及薄膜生长方法_中微半导体设备(广州)有限公司_202410705806.4
    本发明公开了一种气体供应装置、薄膜生长设备及薄膜生长方法。气体供应装置包括：远程等离子体源，用于将反应气体至少部分地解离为等离子体；磁偏转筛选器，其与所述远程等离子体源的出口连通，用于对所述等离子体进行筛选，输出选定元素的带电粒子。通过气体...
    2026-02-21
  • 一种甲基碘化胺薄膜的制备方法和MAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法
    一种甲基碘化胺薄膜的制备方法和MAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202410735174.6
    本发明公开了一种甲基碘化胺薄膜的制备方法和MAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，属于电池技术领域。所述甲基碘化胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：依次将甲胺和氢碘酸进行原子层沉积并重复得到甲基碘化胺薄膜。所述制备方法首次通过原子层沉积(ALD)方法...
    2026-02-21
  • 一种喷淋盘冷却结构及半导体设备
    一种喷淋盘冷却结构及半导体设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511233248.7
    本发明公开了一种喷淋盘冷却结构及半导体设备，喷淋盘冷却结构包括喷淋盘主体、连接件和接触面积调节组件，接触面积调节组件与连接件连接，用于通过调节与连接件的接触面积来动态调节喷淋盘主体的冷却效率。本发明通过引入接触面积调节组件，提供了一种动态调...
    2026-02-21
  • 一种喷淋板及薄膜沉积设备
    一种喷淋板及薄膜沉积设备_拓荆科技股份有限公司_202511250517.0
    本发明提供了一种喷淋板及一种薄膜沉积设备。所述喷淋板包括：喷淋板本体，由透明的耐高温材料制成，并包括中空的第一混气腔，其中，所述第一混气腔的下表面设有多个喷淋孔；以及热辐射光源，环绕所述喷淋板本体，并透过所述喷淋板本体向所述第一混气腔提供热...
    2026-02-21
  • 镀膜设备
    镀膜设备_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511431128.8
    本申请涉及光伏和半导体技术领域，尤其涉及一种镀膜设备，包括：反应腔体，具有反应腔室，反应腔室内设置有多个气氛区，多个气氛区绕所反应腔室的中心间隔布置；盖体，设置于反应腔体上方，用于闭合反应腔体以形成反应腔室，盖体设有多个进气孔；硅片载板，可...
    2026-02-21
  • 制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构
    制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构_研微(江苏)半导体科技有限公司_202511643047.4
    本申请提供了一种制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构。该方法包括：在等离子体环境下向基板表面提供混合物，混合物包括烷基硅氧烷前驱体和致孔剂，混合物用于在基板表面生成薄膜，混合物具有第一供应参数；向基板表面提供含氧气体，含氧气体具有第二供应参...
    2026-02-21
  • 一种薄膜沉积设备及和一种调机方法
    一种薄膜沉积设备及和一种调机方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511288079.7
    本发明公开了一种薄膜沉积设备和调机方法。该薄膜沉积设备包括设于反应腔内的上电极和下电极，用于生成等离子体。所述薄膜沉积设备还包括：侧电极，设于所述反应腔内的晶圆的侧上方，且与所述上电极绝缘隔离，用于向所述晶圆上表面的边缘位置提供第一射频电压...
    2026-02-21
  • 用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统
    用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统_厦门宇电自动化科技有限公司_202511642922.7
    本发明提供用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统，涉及温度控制技术领域，该方法在完成薄膜沉积后，采集并分析基底与薄膜的热动力学特征，确定并优化初始降温约束条件；其次，生成自适应的降温过渡曲线，指导CVD设备实现精准温度控制，并实时监...
    2026-02-21
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