Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 用于呈现尺寸缩小的照明效果例程的控制设备
    用于呈现尺寸缩小的照明效果例程的控制设备_昕诺飞控股有限公司_202480020931.X
    本发明涉及一种用于控制目标照明设备(TD1，TD2)以呈现旨在由较大数量的设备呈现的尺寸缩小的照明效果例程(102)的控制设备(100)。数据查明单元(106)被配置成查明指示包括光效果的一组预期光设置的光脚本数据(108)。处理单元(11...
    2025-11-18
  • 具有机械可控致动器的负载控制装置
    具有机械可控致动器的负载控制装置_路创技术有限责任公司_202480024394.6
    一种控制装置可以包括模拟强度调整致动器，该模拟强度调整致动器被配置为经手动操作以调整照明负载的强度水平。该控制装置可以包括通信电路，该通信电路被配置为从远程装置接收消息。该消息可以包括所命令的强度水平。控制装置可以包括：致动器调整系统，该致...
    2025-11-18
  • 电路板
    电路板_太阳诱电株式会社_202480016321.2
    本发明的电路板包括第一层叠陶瓷电子部件和第二层叠陶瓷电子部件。各个层叠陶瓷电子部件具有为宽度尺寸的1.3倍以上的高度尺寸，第一层叠陶瓷电子部件和第二层叠陶瓷电子部件以各自的长度方向正交，并且使第一层叠陶瓷电子部件的在宽度方向所占的区域在上述...
    2025-11-18
  • 具有集成冷却系统的电子组件以及包括这种组件的电子单元
    具有集成冷却系统的电子组件以及包括这种组件的电子单元_舍弗勒技术股份两合公司_202480023852.4
    本发明涉及一种具有集成冷却系统(15)的电子组件(10)，该电子组件包括：‑印刷电路板(20)；‑由金属隔板(70)和印刷电路板(20)形成的电子部件室(90)；‑至少两个电子部件(30，40)，每个安装在所述电子部件室(90)中，在印刷电...
    2025-11-18
  • 包括壳体和具有用于实现受控泄漏的非焊接部分的盖的电子组件及基于这种装置的方法
    包括壳体和具有用于实现受控泄漏的非焊接部分的盖的电子组件及基于这种装置的方法_舍弗勒技术股份两合公司_202480023853.9
    本发明涉及一种用于机动车辆的电子组件，该组件包括具有至少一个冷却剂管道(C)的壳体(B)和封闭壳体(B)的盖(F)，盖相对于内壁(PI)限定受控泄漏空间(E)，从而允许由内壁(PI)分开的管道(C)的两个部分彼此连通。该组件允许通过在所述管...
    2025-11-18
  • 具有优异电镀附着力的直接电镀型焊接用接地垫片及其制造方法
    具有优异电镀附着力的直接电镀型焊接用接地垫片及其制造方法_株式会社利送EMC_202480009957.4
    本发明涉及一种直接电镀型接地垫片，其可表面贴装于多种通信设备及电子设备的电路板，实现回流焊接(Reflow Soldering)，且提高电镀附着力。本发明的提高电镀附着力的直接电镀型接地垫片的特征在于，包括：内部弹性体；钯分散二氧化硅涂层，...
    2025-11-18
  • 电波屏蔽体和粘合性组合物
    电波屏蔽体和粘合性组合物_日本瑞翁株式会社_202480020042.3
    本发明提供一种电波屏蔽体，其包含在聚合物链中具有阳离子基团的含阳离子基团聚合物。此外，本发明提供一种粘合性组合物，其含有在聚合物链中具有阳离子基团的含阳离子基团聚合物和水，在上述粘合性组合物中，上述含阳离子基团聚合物的含有比例为55重量％以...
    2025-11-18
  • 安装辅助装置
    安装辅助装置_株式会社富士_202380096528.0
    安装辅助装置具备：识别部，执行图像处理来识别供给区域中的元件，该图像处理包含如下的步骤：生成步骤，对于拍摄供给区域而取得的图像数据生成多个团块，上述供给区域被以散装状态供给多个元件；提取步骤，提取多个团块中的与元件的至少一部分的封闭区域对应...
    2025-11-18
  • 搬运装置
    搬运装置_TDK株式会社_202480020362.9
    本发明提供能够以高精度安装搬运对象物的搬运装置。搬运装置具有框架(2)、和固定于框架(2)且搬运搬运对象物的头部(3)，框架(2)具有固定有头部(3)且朝向与重力方向相反的方向弯曲成拱状的上主体部(20)。
    2025-11-18
  • 生产管理装置
    生产管理装置_株式会社富士_202380096993.4
    生产管理装置具备：存储部，将把元件收容部件分类为多个组的分类信息及错误信息与多个元件收容部件各自的识别信息相对应地进行存储，所述元件收容部件收容元件且可更换地设置于构成元件安装机的元件供给装置，所述错误信息表示在元件安装机中从元件收容部件拾...
    2025-11-18
  • 存储器器件及其制造方法
    存储器器件及其制造方法_首尔大学校产学协力团_202380095818.3
    公开一种存储器器件及其制造方法。所公开的存储器器件的制造方法可以包括如下步骤：形成结构体，所述结构体包括在基板上沿垂直方向延伸的外延材料栓塞、从所述外延材料栓塞的侧面沿水平方向延伸的外延沟道材料层以及至少形成在所述外延沟道材料层的表面部的栅...
    2025-11-18
  • 存储器器件及其制造方法
    存储器器件及其制造方法_首尔大学校产学协力团_202380096187.7
    公开一种存储器器件及其制造方法。所公开的存储器器件的制造方法可包括如下步骤：形成结构体，所述结构体包括在基板上沿垂直方向延伸的外延材料栓塞、从所述外延材料栓塞的侧面沿水平方向延伸的外延材料层以及至少形成在所述外延材料层的表面部的栅极绝缘材料...
    2025-11-18
  • 安全反熔丝一次性可编程比特单元设计
    安全反熔丝一次性可编程比特单元设计_高通股份有限公司_202480018983.3
    公开了安全反熔丝一次性可编程(OTP)比特单元。在一方面，OTP比特单元包括：P阱，P阱包括N+区和P+区；电耦合至P阱的N+区的第一接触；电耦合至P阱的P+区的第二接触；设置在N+区的一部分、P阱的一部分、以及P+区的一部分上方的绝缘层；...
    2025-11-18
  • 用于NAND设备的字线触点形成
    用于NAND设备的字线触点形成_应用材料公司_202480021551.8
    所公开的是用于形成3D NAND设备的字线触点的方法。方法可以包括：提供交替的第一层和第二层的薄膜叠层；在所述薄膜叠层上形成第一平板印刷掩模；以及执行交替的平板印刷和蚀刻过程的第一系列，以在所述薄膜叠层中形成触点开口对阵列，其中在每个蚀刻过...
    2025-11-18
  • 具有三维堆叠字线开关的非易失性存储器
    具有三维堆叠字线开关的非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202480020637.9
    一种非易失性存储器包括：多个字线，该多个字线连接到非易失性存储器单元；多个驱动器线，该多个驱动器线被配置为承载一个或多个字线电压；和多个字线开关，该多个字线开关将这些驱动器线选择性地连接到这些字线。为了更高效地利用裸片上的空间，这些字线开关...
    2025-11-18
  • 包括虚设过孔腔的三维存储器器件及其制造方法
    包括虚设过孔腔的三维存储器器件及其制造方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480020667.X
    一种半导体结构包括：第一层绝缘层和第一层导电层的第一层交替堆叠；第二层绝缘层和第二层导电层的第二层交替堆叠，该第二层交替堆叠上覆于该第一层交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该第一层交替堆叠和该第二层交替堆叠；存储器开口填充结构，...
    2025-11-18
  • 磁存储器元件、以及磁存储器元件的信息的写入及读取方法
    磁存储器元件、以及磁存储器元件的信息的写入及读取方法_国立大学法人东京科学大学_202480017063.X
    磁存储器元件，包括：由以下述式(1)表示的化合物构成的薄膜；被配置于薄膜的第一电极；以及被配置于薄膜的第二电极。BiFe1－xAxO3···(1)。式(1)中，A是Co或Mn，x满足0.05≦x＜0.25。第一电极及第二电极被配置成通过向第...
    2025-11-18
  • 自旋轨道扭矩存储器设备
    自旋轨道扭矩存储器设备_国际商业机器公司_202480020416.1
    提供了自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器(SOT MRAM)设备。每个SOT MRAM设备使用拓扑导体(即，拓扑金属或拓扑半金属)作为互连层和SOT层两者，在相同的金属层处集成SOT层和互连层。SOT MRAM设备还包括接触SOT层的磁隧道结(...
    2025-11-18
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480018623.3
    一种半导体装置，具备：第一导电型漂移层；第二导电型的主体层，其形成于所述漂移层的一主面侧的表面层；第一导电型的第一扩散层，其部分地形成于所述主体层的一主面侧的表面层；以及第一导电型的第二扩散层，其杂质浓度比分配形成于所述漂移层的另一主面侧的...
    2025-11-18
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480019855.0
    制造容易，抑制MOSFET的导通电阻的增加并且降低恢复电流。半导体装置(1)具有：第一导电型的漏极区域(11)；第一导电型的漂移区域(10)，其配置在比漏极区域(11)靠上方的位置，杂质浓度比漏极区域(11)低；第二导电型的主体区域(9)，...
    2025-11-18
首页 上一页 2 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证