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  • 本发明涉及变压器线圈状态分布式测量方法, 属于变压器线圈监测技术领域。该变压器线圈状态分布式测量方法包括制造嵌入有光纤的铜条、将嵌入有光纤的铜条作为变压器线圈的一部分;其中一端与变压器绕组线圈中的铜条固定, 另一端与变压器套管连接处或变压器...
  • 本发明涉及电气设备性能评估技术领域, 公开了一种局放多参量耦合传感器的性能测试方法和系统, 本发明通对局放多参量耦合传感器进行性能测试, 并获取不同类型的测试数据, 采用各测试数据进行置信度评估, 得到置信度权重, 采用各测试数据进行传感指...
  • 本发明公开了一种大温差介电测试试验装置及测试方法, 涉及介电测试技术领域, 解决了介电测试设备温度场空间均匀性不足、动态温变模拟能力弱和多物理场耦合测试缺失的问题。本发明密封测试炉炉体内部通过隔热板分为高温区低温区;炉体顶部设置有三个硅碳棒...
  • 本发明涉及一种电缆绝缘老化评估方法、设备及介质, 属于电气绝缘技术领域, 包括以下步骤:获取电缆的运行数据, 同时分别根据电缆的环境温度、电场强度、机械应力、相对湿度获取热老化因子、电老化因子、机械应力因子和湿度影响因子。基于这些因子计算电...
  • 本发明公开了一种瓷绝缘子绝缘性能检测装置及其检测方法, 涉及绝缘子性能检测领域, 包括底板, 底板的顶部设置有位于导电柱下方的测距活动件, 第一支撑架的内侧设置有间断推位件。本发明通过设置间断推位件, 单个瓷绝缘子的高度越高则连接销距第一传...
  • 本发明公开了一种变频器测试装置, 属于变频器测试技术领域, 本发明包括定位筒、旋帽筒、接电滑块;定位筒开口端内部设有定位块, 定位块中心位置开设有定位螺帽的圆台孔;旋帽筒安装在定位筒内, 旋帽筒内壁沿周向环形均布若干条形槽, 条形槽自内至外...
  • 本发明公开了基于多传感器阵列融合的电力变压器局部放电定位方法, 包括如下步骤:S1、选取传感器安装点, 布设多传感器阵列结构;S2、采集三类传感器的局部放电信号, 进行初级信号处理;S3、采用广义互相关加权算法计算参考通道与其余各通道之间的...
  • 本申请涉及电力设备状态监测技术领域, 具体涉及一种高压开关柜局部放电在线监测方法, 旨在于解决现有技术中寿命预测方法大多基于单一物理量, 未能充分考虑多模态信号的协同效应, 导致预警准确率不足的问题。本发明通过时空融合信号处理与迁移学习模型...
  • 本发明涉及机车状态异常监测技术领域, 尤其涉及一种机车车顶高压部件运行状态智能监测装置, 包括若干高速摄像头, 用以对机车车顶高压部件进行视频采集;交换机, 与若干所述高速摄像头相连;图像处理模块, 与所述交换机相连;调节模块, 与若干所述...
  • 本申请涉及电力设备监测的技术领域, 具体公开了一种变压器局部放电定位方法、系统、电子设备及存储介质, 方法包括获取初始超声信号, 并对初始超声信号进行降噪处理得到目标超声信号;对目标超声信号分别进行一阶求导及二阶求导得到能量算子值, 并根据...
  • 本发明公开了一种半导体激光器的老化筛选测试系统及测试方法, 测试系统包括单片机、恒流源驱动单元、TEC温度控制单元、高低温环境箱、数据采集单元、工控机和显示单元;待测激光器安装于所述高低温环境箱内;所述单片机通过恒流源驱动单元和TEC温度控...
  • 本发明公开了一种氮化镓功率器件阈值电压监测电路, 包括恒流源输出模块和电压采样模块, 恒流源输出模块的输入端与供电电源连接, 其输出端分别与氮化镓功率器件的栅极和漏极连接, 电压采样模块分别与氮化镓功率器件的栅极和源极连接, 氮化镓功率器件...
  • 本发明涉及半导体器件可靠性测试技术领域, 具体为一种表面安装功率MOSFET老炼装置及方法, 包括:安装基板, 安装基板前板面上设有用以放置表面安装功率MOSFET的容槽, 容槽槽底的上部设有贯穿安装基板的穿槽;安装基板后端固定设有散热铜板...
  • 本发明提供了一种基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法及装置, 涉及电气工程技术领域, 该方法包括:在待测压接型IGBT器件的外侧套设滑轨, 其中, 滑轨包括滑道和嵌装在滑道上的至少两个滑动装置;将双极型线圈组固定设置在至少两个滑...
  • 本发明提供了一种压接型IGBT器件的电流分布状态测量方法及装置, 涉及电气工程技术领域, 该方法包括:在待测压接型IGBT器件的外侧套设旋转环;将双极型线圈组固定设置在旋转环上, 双极型线圈组的两个双极型线圈相对设置;将旋转环与传送带的一侧...
  • 本发明涉及一种倒装型LED芯片电致发光性能无损伤检测装置及方法, 属于LED检测技术领域。所述包括外部控制电源、带有电极阵列和沟道结构的测试板、软性导电介质材料、采集待测LED芯片光电参数的探测系统;LED芯片的电极通过软性导电介质材料与测...
  • 本发明公开了一种半导体实验室样品测试管控系统及方法, 涉及半导体技术领域, 本发明包括:设备管理模块、样品管理模块、测试管理模块和测试分析模块。分析半导体在实验室样品测试过程中的各样品的运行符合指数, 判断样品是否存在异常状态, 若五异常状...
  • 本申请涉及一种晶圆测试设备, 包括:电测试组件, 其设置在安装架上, 包括伸缩件, 所述伸缩件的固定端设有探针盘, 所述探针盘上设有多个与待测晶圆芯片的电极焊盘一一对应的探针, 所述探针盘上且位于探针之间设有多个通孔, 所述伸缩件的伸缩端设...
  • 本发明公开了一种基于组合观测器的并网逆变器IGBT故障诊断方法及系统, 旨在提高逆变器系统对开关器件故障的诊断鲁棒性和精度, 首先建立光伏并网逆变器的状态空间模型, 考虑逆变器电感电流、滤波电容电压、电网电感电流以及包括IGBT故障效应的总...
  • 本发明公开一种PCS功率器件健康状态无创监测方法, 包括:建立包含功率器件导通损耗与开关损耗的动态损耗模型;建立按功率器件数量与位置分布的多维老化分类框架;采用双路径验证机制分析老化对损耗特性的影响:通过实测数据校准将动态损耗模型的计算结果...
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