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最新专利技术
  • 改善衬底背封缺陷的方法
    改善衬底背封缺陷的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510293373.0
    本申请提供一种改善衬底背封缺陷的方法，包括：步骤一，提供一衬底，形成包覆衬底的第一高温氧化物膜层；步骤二，形成多晶硅层，包覆第一高温氧化物膜层；步骤三，形成第二高温氧化物膜层，包覆多晶硅层；步骤四，去除位于衬底正面及边缘区域的第二高温氧化物...
    2025-09-24
  • 改善衬底背封缺陷的方法
    改善衬底背封缺陷的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510295150.8
    本申请提供一种改善衬底背封缺陷的方法，包括：步骤一，提供衬底，在背面沉积第一低温氧化物膜层；步骤二，去除位于衬底边缘区域的第一低温氧化物膜层；步骤三，形成包覆衬底和第一低温氧化物膜层的多晶硅层；步骤四，通过边抛工艺去除位于衬底正面和边缘区域...
    2025-09-24
  • 富陷阱层的形成方法及富陷阱层的离子注入版图结构
    富陷阱层的形成方法及富陷阱层的离子注入版图结构_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294516.X
    本申请提供一种富陷阱层的形成方法及富陷阱层的离子注入版图结构，其中在富陷阱层的形成方法中，通过用于形成富陷阱层的离子注入版图结构，在光刻胶层上定义离子注入窗口图形，其中，离子注入窗口图形为岛状图形、沟槽图形中的一种或多种组合，然后以图案化的...
    2025-09-24
  • 后段工艺中铜金属层的形成方法
    后段工艺中铜金属层的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510293694.0
    本申请公开了一种后段工艺中铜金属层的形成方法，包括：通过光刻工艺在硬掩模层和缓冲层中形成第一凹槽，硬掩模层形成于缓冲层上，缓冲层形成于第二介质层上，第二介质层形成于第一介质层上，第一介质层形成于晶片上，晶片用于形成半导体器件产品；对第一凹槽...
    2025-09-24
  • 一种插板式超宽带低损耗吸透一体化结构及天线
    一种插板式超宽带低损耗吸透一体化结构及天线_华南理工大学_202510290520.9
    本发明公开了一种插板式超宽带低损耗吸透一体化结构及天线，其中吸透一体化结构为插板结构，包括多个矩形孔格单元，每个矩形孔格单元包括四个由电路板构成的侧壁，相邻的矩形孔格单元共用侧壁；在每个矩形孔格单元中，相邻的两个侧壁的内表面中自上而下设有低...
    2025-09-24
  • 一种可调电气电缆高空安装自动化架升装置
    一种可调电气电缆高空安装自动化架升装置_河北优格电气设备有限公司_202510288709.4
    本发明涉及电缆安装技术领域，尤其涉及一种可调电气电缆高空安装自动化架升装置。本发明提供一种能够自动将电缆输送至电杆高处，同时方便工作人员取用电缆，提高电缆安装效率的可调电气电缆高空安装自动化架升装置。一种可调电气电缆高空安装自动化架升装置，...
    2025-09-24
  • 一种微电网防逆流光储协同调度方法及系统
    一种微电网防逆流光储协同调度方法及系统_华翔翔能科技股份有限公司_202510289390.7
    本发明涉及能源管理技术领域，公开了一种微电网防逆流光储协同调度方法及系统，本方法能够通过防逆流光储协同调度模型调控逆变器的运行状态，从而防止微电网发生逆流；通过仿真平台，利用强跟踪无迹卡尔曼滤波建立防逆流光储协同调度模型，并设定母线的基准功...
    2025-09-24
  • 户外储能系统信息展示方法及相关装置
    户外储能系统信息展示方法及相关装置_深圳市奋达科技股份有限公司_202510291984.1
    本申请适用于数据展示技术领域，提供了一种户外储能系统信息展示方法及相关装置，实现让用户可以通过移动端设备了解储能设备的各种状态信息，本申请户外储能系统信息展示方法主要包括：储能设备与移动端设备通过无线网络连接；储能设备将获取到预设接口的状态...
    2025-09-24
  • 基于低压配电网的透明化全景管控系统
    基于低压配电网的透明化全景管控系统_安徽继远软件有限公司_202510289241.0
    本发明公开了基于低压配电网的透明化全景管控系统，涉及配电网技术领域。本发明与之前的配电网管控系统相比，解决了现有配电网透明化系统的准确性和可靠性无法得到保障；数据采集和处理难度大；智能化和自动化水平有待提高的问题；结合拓扑优化算法和透明化管...
    2025-09-24
  • 制氢电源低压穿越控制方法、计算机装置及制氢电源电路
    制氢电源低压穿越控制方法、计算机装置及制氢电源电路_许继电气股份有限公司_202510291730.X
    本发明涉及一种制氢电源低压穿越控制方法、计算机装置及制氢电源电路，属于电解水制氢领域。其中，该方法包括如下步骤：对上偏差控制器的参考电压与直流母线电压作差之后的差值经过上偏差控制器后进行上偏差限幅处理；对下偏差控制器的参考电压与直流母线电压...
    2025-09-24
  • 一种具有亚阈值区非线性补偿的压控振荡器及芯片
    一种具有亚阈值区非线性补偿的压控振荡器及芯片_兆讯恒达科技股份有限公司_202510290726.1
    本发明公开了一种具有亚阈值区非线性补偿的压控振荡器及芯片。该压控振荡器包括环形振荡器、第一源极负反馈结构和第一源极负反馈结构、第一电流镜结构和第二电流镜结构。当输入控制电压较小使晶体管处于亚阈值工作区时，通过第二源极负反馈结构产生的补充电流...
    2025-09-24
  • 一种工作模式可切换的功率放大器及射频模组、电子设备
    一种工作模式可切换的功率放大器及射频模组、电子设备_唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司_202510295127.9
    本发明公开了一种工作模式可切换的功率放大器及射频模组、电子设备。该功率放大器包括输入信号通路、功率放大电路、输出匹配网络和多个单刀多掷开关；其中，输入信号通路包括第一信号通路接口和第二信号通路接口，分别用于接收第一信号和第二信号；输入信号通...
    2025-09-24
  • 高压驱动电路
    高压驱动电路_深圳数马电子技术有限公司_202510297201.0
    本申请涉及一种高压驱动电路，通过输入模块将模拟输入信号转换为数字输入信号，然后由电平转换模块根据数字输入信号同时生成高侧输入信号和低侧输入信号，以分别驱动高侧驱动模块和低侧驱动模块输出相应的驱动信号，并在相同的封装管脚下，根据需要将高侧驱动...
    2025-09-24
  • 一种高能效的扩展哈夫曼编码方法及系统
    一种高能效的扩展哈夫曼编码方法及系统_华中科技大学_202510288948.X
    本发明属于信号编码技术领域，公开了一种高能效的扩展哈夫曼编码方法及系统，包括：统计输入字符串中每个字符出现的概率；将每个字符及其概率作为叶子结点，创建按概率从小到大排序的优先队列；从优先队列中取出m个最小概率的叶子结点；创建新的内部结点，新...
    2025-09-24
  • 一种高能效的哈夫曼编码方法及系统
    一种高能效的哈夫曼编码方法及系统_华中科技大学_202510289056.1
    本发明属于信号编码技术领域，公开了一种高能效的哈夫曼编码方法及系统，方法包括：统计输入字符串中各字符出现的概率；将每个字符及其概率作为叶子结点，创建优先队列并按概率从小到大排序；将优先队列中的叶子结点构建为哈夫曼树；传统哈夫曼树构建时，概率...
    2025-09-24
  • 一种复合型水冷板及水冷板加工工艺及焊接夹具
    一种复合型水冷板及水冷板加工工艺及焊接夹具_苏州万智新能源科技有限公司_202510289751.8
    本发明涉及水冷板加工技术领域，具体是一种复合型水冷板及水冷板加工工艺及焊接夹具。本发明包括板体和板体内的水流道，板体的板面开设有连通水流道的沉孔，沉孔处密封安装有复合换热板，复合换热板包括从内向外依次分布的铝板和铜板，且铝板通过在铜板板面F...
    2025-09-24
  • 一种FPC剥离设备
    一种FPC剥离设备_昆山铎丰机械设备有限公司_202510288463.0
    本发明涉及FPC加工设备领域，具体涉及一种FPC剥离设备，本发明通过设置通过驱动模组一和驱动模组二分别驱动第一压料模组和第二压料模组分别移动至和料带的两端相对应的位置，再通过吸附头一将料带放置于剥离板上。再通过第一压料模组和第二压料模组先夹...
    2025-09-24
  • 超结-沟槽栅MOSFET结构及其制造方法
    超结-沟槽栅MOSFET结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294102.7
    本发明提供一种超结‑沟槽栅MOSFET结构，包括在第一导电类型的衬底上外延形成的第一导电类型的外延层；在外延层表面形成有第二导电类型的体区；在体区顶部形成有栅沟槽，在栅沟槽下方的外延层中形成有第二导电类型的柱体区，柱体区的顶端与栅沟槽的底端...
    2025-09-24
  • 超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法
    超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294497.0
    本发明提供一种超结沟槽栅MOSFET器件，包括N型衬底，在衬底上形成有N型外延层，在N型外延层表面形成有P型体区；在体区顶部形成有沟槽，沟槽从N型外延层的上表面向下延伸穿过体区，在沟槽底部的N型外延层上形成有第一P柱；位于沟槽中的介质层，其...
    2025-09-24
  • 改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法
    改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294503.2
    本发明提供一种改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法，将衬底转移至反应室中，深沟槽的表面因自然氧化形成有氧化层，深沟槽与氧化层的界面形成有N型杂质浓度大于外延层的硅层，将反应室内的温度升高至第一设定温度，将反应室内的压力提高至第一设定压力，...
    2025-09-24
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