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最新专利技术
  • 一种类天然固氮酶FeMo纳米酶及其制备方法与应用
    一种类天然固氮酶FeMo纳米酶及其制备方法与应用_中原纳米酶实验室_202510282324.7
    本发明公开了一种类天然固氮酶FeMo纳米酶及其制备方法与应用，涉及纳米酶与农业技术领域，该方法包括以下步骤：分别将1,3,4‑噻二唑‑2,5‑二胺、五氯化钼、氯化铁和2,5‑噻吩二羧酸溶解于无水乙醇中；将五氯化钼溶液和氯化铁溶液加入1,3,...
    2025-09-24
  • 一种MOF衍生的催化剂、制备方法及其在催化储氢体系储氢和释放氢气的应用
    一种MOF衍生的催化剂、制备方法及其在催化储氢体系储氢和释放氢气的应用_中国科学院大连化学物理研究所_202510284290.5
    本发明公开一种MOF衍生的催化剂、制备方法及其在催化储氢体系储氢和释放氢气的应用，属于储氢技术领域。本发明的催化剂是铜基金属有机框架化合物(Cu‑MOF)的衍生物，通过将铜盐、配体、溶剂在加热条件下制备得到Cu‑MOF，或者通过将铜盐、配体...
    2025-09-24
  • 一种人参淫羊藿保健酒加工用浓缩装置
    一种人参淫羊藿保健酒加工用浓缩装置_天马(安徽)国药科技股份有限公司_202510285666.4
    本发明涉及保健酒浓缩技术领域，且公开了一种人参淫羊藿保健酒加工用浓缩装置，包括支架，所述支架的顶部安装有用于溶液加热浓缩的浓缩罐，所述浓缩罐的外部安装有回流泵和真空泵，浓缩罐的顶端中部具有进料管，通过进料管向浓缩罐内注入中药材混合溶液，且进...
    2025-09-24
  • 一种基于穿戴振动设备控制专注力提升方法及系统
    一种基于穿戴振动设备控制专注力提升方法及系统_杭州竞优专注科技有限公司_202510283498.5
    本发明公开了一种基于穿戴振动设备控制专注力提升方法及系统。本发明中，通过温和的交替振动来显著减少压力的负面影响，从而改善心理健康，提高注意力。受试者在静止或锻炼时，通过振动设备对身体应用机械振动。可以改善肌肉力量、平衡性、骨密度和本体感觉。...
    2025-09-24
  • 一种锁阳提取药物组合物及其制备方法、保健食品
    一种锁阳提取药物组合物及其制备方法、保健食品_香港中文大学(深圳)_202510285161.8
    本发明公开了一种锁阳提取药物组合物及其制备方法、保健食品。本发明将锁阳植物材料用乙醇溶液提取，得到提取液，提取液包括多种锁阳三萜类化合物，多种锁阳三萜类化合物联合作用在降低空腹血糖、改善葡萄糖耐量、提高胰岛素敏感性、减少白色脂肪堆积方面具有...
    2025-09-24
  • L-乳酸在制备促进肌肉损伤修复和/或再生的药物中的应用
    L-乳酸在制备促进肌肉损伤修复和/或再生的药物中的应用_天津农学院_202510283171.8
    本发明属于生物医药技术领域，公开了L‑乳酸在制备促进肌肉损伤修复和/或再生的药物中的应用。本发明中L‑乳酸能够显著促进肌卫星细胞的增殖与分化，帮助改善某些外部刺激因素，如衰老、损伤、废用或某些退行性疾病引起的肌无力、肌萎缩、肌肉协调性差等骨...
    2025-09-24
  • 一种神经外科躁动患者调节约束手套
    一种神经外科躁动患者调节约束手套_中国人民解放军总医院第一医学中心_202510285068.7
    本发明提供一种神经外科躁动患者调节约束手套，包括手臂固定装置，手臂固定装置的后侧设置有手套装置；手臂固定装置包括弧状框，弧状框的两侧均设置有导轨，导轨的内部滑动连接有滑块，滑块的外侧固定连接有侧臂，侧臂的顶部安装有定位机构，定位机构的一侧设...
    2025-09-24
  • 一种原位打印轨迹规划方法
    一种原位打印轨迹规划方法_天津大学_202510282932.8
    本发明提供了一种原位打印轨迹规划方法，在3D扫描后设计了一体化的点云数据处理流程，减少人工干预；分别利用LSCM和ARAP算法对三维三角网格进行平面参数化，降维以降低实现难度，提升路径规划效率，以该两种方法相互验证，保证参数化效果；利用顶点...
    2025-09-24
  • 一种钢板螺钉取出用补偿装置
    一种钢板螺钉取出用补偿装置_上海中医药大学附属岳阳中西医结合医院_202510281960.8
    本发明涉及医疗器械技术领域，公开了一种钢板螺钉取出用补偿装置，包括夹持组件，包括夹持件，包括滑动块、移动块以及固定板，移动块设置于滑动块内壁滑动，固定板套设于滑动块外侧，滑动块数量为两个，均设置于固定板内壁滑动；驱动组件，设置于固定板一端，...
    2025-09-24
  • 一种钻枪前端快速连接装置
    一种钻枪前端快速连接装置_重庆格鑫医疗科技有限公司_202510285612.8
    本发明公开了一种钻枪前端快速连接装置，包括连接套、连接块、采样仓和导套，所述连接套为空心结构，连接套的一端连接有连接块，连接块远离连接套的一端连接有采样仓，采样仓的远离连接块的一端连接有导套，连接套导套内能够插入钻头；所述连接套的另一端能够...
    2025-09-24
  • 基于温湿度双控与风道优化的蒸汽烤箱防凝结控制系统
    基于温湿度双控与风道优化的蒸汽烤箱防凝结控制系统_广东奥特龙电器制造有限公司_202510284751.9
    本发明涉及厨房设备技术领域，具体公开了一种基于温湿度双控与风道优化的蒸汽烤箱防凝结控制系统，其包括蒸汽烤箱和控制电路。烘烤部设加热腔，电控部位于其上方，设电控腔并内置控制电路及下侧冷却风道。风道一端接风机出口，另一端水平贯穿电控部与外部连通...
    2025-09-24
  • 一种具有调节化疗后人群的食欲和体重并改善味觉感知能力的营养组合物及其应用
    一种具有调节化疗后人群的食欲和体重并改善味觉感知能力的营养组合物及其应用_深圳市宝安区中医院_202510284731.1
    本发明公开了一种具有调节化疗后人群的食欲和体重并改善味觉感知能力的营养组合物及其应用。本发明提供的营养组合含奶粉、大豆蛋白、浓缩乳清蛋白、牛初乳粉、水解蛋黄、红豆提取物、大枣提取物、百合冻干粉、西兰花冻干粉、莱菔子提取物、桃仁提取物、黄原胶...
    2025-09-24
  • 一种集成柱状微结构阵列的MSM光电探测器的制备方法
    一种集成柱状微结构阵列的MSM光电探测器的制备方法_电子科技大学_202510289525.X
    本发明提供一种集成柱状微结构阵列的MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域。该制备方法通过在半导体薄膜表面集成柱状微结构阵列，并在沟道内制备网格状叉指电极，既能够可以降低器件表面反射，增加散射，从而减少反射光的强度，增强光吸收，又...
    2025-09-24
  • 一种微结构硅/硅化镁异质结光电探测器的制备方法
    一种微结构硅/硅化镁异质结光电探测器的制备方法_电子科技大学_202510289522.6
    本发明的目的在于提供一种微结构硅/硅化镁异质结光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域。该方法先在硅基片表面制备镁薄膜，通过热反应生成硅化镁薄膜，然后刻蚀带有硅化镁薄膜的硅基片形成柱状微结构阵列，刻蚀贯穿硅化镁薄膜层并到达硅基底中一定深...
    2025-09-24
  • 金属格栅的制作方法
    金属格栅的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510296710.1
    本申请公开了一种金属格栅的制作方法，包括：通过光刻工艺进行第一次刻蚀，在硬掩模层中形成第一凹槽，硬掩模层形成于金属层上，硬掩模层包括氧化物层，金属层形成于绝缘层上方，绝缘层形成于晶片的背面，晶片用于形成CIS，金属层用于形成CIS的金属格栅...
    2025-09-24
  • 应用于金属栅格制作工艺中的刻蚀方法
    应用于金属栅格制作工艺中的刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510296280.3
    本申请公开了一种应用于金属栅格制作工艺中的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域，衬底背面的第一区域中形成有第一凹槽，衬底背面的第二区域中形成有第二凹槽，衬底背面的表面从下而上依次形成有第一金属层、...
    2025-09-24
  • 金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法
    金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294119.2
    本申请公开了一种金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法，包括：进行第一次刻蚀，在第二氧化物层和氮化物层中形成第一凹槽，第一凹槽底部的氮化物层暴露，第二氧化物层形成于氮化物层上，氮化物层形成于第一氧化物层上，第一氧化物层形成于金属层上，第一氧化物层、氮...
    2025-09-24
  • 金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法
    金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510293679.6
    本申请公开了一种金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法，包括：在金属层上形成硬掩模层，硬掩模层从下而上依次包括第一绝缘层、第二绝缘层、氮化钛层和第三绝缘层，金属层形成于晶片的背面，晶片用于形成CIS，金属层用于形成CIS的金属格栅；在硬掩模层上形成B...
    2025-09-24
  • 改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性的方法
    改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294230.1
    本申请公开了一种改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性的方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有阱区；进行第一离子注入工艺，以在所述阱区中形成间距设置的两个轻掺杂漏区，两个所述轻掺杂漏区之间的区域定义为有效沟道区域；进行第二离子注入工艺，以在...
    2025-09-24
  • 屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构
    屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构_华虹半导体(无锡)有限公司_202510294510.2
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构，在外围终端区设置依次相连的多段终端沟槽，各段终端沟槽均呈圆弧状，两两相邻的终端沟槽的连接位置分别与源/漏引出沟槽的端部相连通，进一步的，该终端沟槽中淀积第一隔离层和第一多晶硅材料层，从而得...
    2025-09-24
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