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最新专利技术
  • 一种基于智慧云和AI技术的智慧校园管理系统及方法
    一种基于智慧云和AI技术的智慧校园管理系统及方法_安徽达尔智能控制系统股份有限公司_202510369782.4
    本发明公开了一种基于智慧云和AI技术的智慧校园管理系统，包括：车辆通行定位模块、车辆信息监控模块、语音警示模块、云端数据储存模块、网络数据传输模块和监控处理中心；车辆通行定位模块，用于实时追踪外来车辆在校园内的位置；车辆信息监控模块包括：雷...
    2025-09-21
  • 存储器电路及其操作方法
    存储器电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510375598.0
    一种存储器电路包括存储器阵列，存储器阵列包括存储器单元，其中，每个存储器单元可通过多个访问线访问。存储器电路包括延迟电路，该延迟电路配置为接收第一时钟脉冲并将第一时钟脉冲延迟为第二时钟脉冲，其中，第二时钟脉冲紧随第一时钟脉冲。存储器电路包括...
    2025-09-21
  • 一种对称式三辊卷弯板材的半径计算方法
    一种对称式三辊卷弯板材的半径计算方法_安徽工业大学_202510368468.4
    本发明公开一种对称式三辊卷弯板材的半径计算方法，通过四阶段建模实现精确预测：首先建立板材弹塑性本构模型，解析真实应力‑应变关系；其次推导弹塑性弯曲理论，分别建立加载/卸载阶段的应力、弯矩表达式，通过积分计算获得卸载后目标曲率半径；接着构建三...
    2025-09-21
  • 基于视觉识别的腹膜透析液检测数据智能分析方法
    基于视觉识别的腹膜透析液检测数据智能分析方法_中山大学附属第一医院_202510370296.4
    本发明提出基于视觉识别的腹膜透析液检测数据智能分析方法，方法包括：获取待识别的试纸图像，并对试纸图像进行试纸区域分割与颜色校正以及试纸检测区域亮度均衡化处理，得到处理后的试纸检测区域；从所述试纸检测区域获取试纸显色区域的标准化颜色特征向量；...
    2025-09-21
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510375589.1
    方法包括：在载体上方形成再分布结构；使用第一导电连接件将半导体管芯附接至再分布结构；将第一底部填充物分配至半导体管芯和再分布结构之间的第一间隙中；使用第二导电连接件将衬底接合至再分布结构，衬底接合至再分布结构的与半导体管芯相对的侧；以及将环...
    2025-09-21
  • 一种基于锂离子电池隔膜的界面强化涂层的制备方法
    一种基于锂离子电池隔膜的界面强化涂层的制备方法_苏州曌万潜新材料科技有限公司_202510369820.6
    本发明公开了一种基于锂离子电池隔膜的界面强化涂层的制备方法，包括：S1、将硬质合金颗粒与聚合物基体材料混合，加入溶剂溶解并分散均匀，形成浆料；S2、将浆料均匀涂覆于聚烯烃基膜表面；S3、将涂覆后的聚烯烃基膜干燥，随后热处理，形成界面强化涂层...
    2025-09-21
  • 一种渔光互补水域光伏电缆铺设装置
    一种渔光互补水域光伏电缆铺设装置_中冶武勘工程技术有限公司_202510368311.1
    本发明提供了一种渔光互补水域光伏电缆铺设装置。所述光伏电缆铺设装置包括浮台、电缆收放机构和电缆铺设机构，所述电缆铺设机构包括安装在电缆收放机构一侧的电动转盘、安装在电动转盘上的升降组件、安装在升降组件顶部的第一支架和平行位于第一支架上方的第...
    2025-09-21
  • 一种计及光伏相关性的多能源微电网-配电网协同优化方法
    一种计及光伏相关性的多能源微电网-配电网协同优化方法_河海大学_202510371265.0
    本发明公开了一种计及光伏相关性的多能源微电网‑配电网协同优化方法，该方法基于改进后分布式优化理论，构建了多能源微电网配电网协同优化模型，并考虑分布式光伏出力的不确定性及相关性影响。为精准表征分布式光伏的相关性特性，引入了相关性多面体集合并对...
    2025-09-21
  • 一种扁线定子及电机
    一种扁线定子及电机_山东双林新能源科技有限公司_202510371490.4
    本申请公开了一种扁线定子及电机，扁线定子包括：定子铁芯与定子绕组，定子铁芯设有沿周向等距排布，且沿定子铁芯轴向延伸的多个定子槽；定子绕组包括三相绕组，三相绕组包括多个线圈，多个线圈绕设在定子槽中，每个定子槽设有偶数层，且线圈中引入线、引出线...
    2025-09-21
  • 消除不同极对数反转磁势的薄片电机单相短路容错电流重构方法
    消除不同极对数反转磁势的薄片电机单相短路容错电流重构方法_南京航空航天大学_202510373561.4
    本发明公开了一种消除不同极对数反转磁势的薄片电机单相短路容错电流重构方法，适用于六齿一对极的薄片电机结构。该方法通过构建第一组补偿电流和第二组补偿电流来实现容错控制。其中，第一组补偿电流用于缺相的容错控制，第二组补偿电流用于消除短路电流引起...
    2025-09-21
  • 一种光伏组件故障诊断系统及方法
    一种光伏组件故障诊断系统及方法_华能国际电力股份有限公司日照电厂_202510375038.5
    本申请公开了一种光伏组件故障诊断系统及方法，该系统包括：获取模块，用于根据光伏组件的历史故障参数设定监测参数，按照监测参数获取监测数据，所述监测参数包括监测点的数量以及监测点的监测时间节点；对比模块，用于将每个监测点的监测数据分别与对应的正...
    2025-09-21
  • 集成电路器件及其操作方法
    集成电路器件及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510375600.4
    一种集成电路(IC)器件包括第一和第二管芯。第一管芯包括第一发送电路、第一接收电路和第一电路。第一发送电路发送对应于第一时钟信号的输出时钟信号。第一接收电路接收输入时钟信号和输入信号，并基于输入时钟信号输出对应于输入信号的第一信号。第一电路...
    2025-09-21
  • 一种基于SAR-SDM混合结构的缩放式模数转换器
    一种基于SAR-SDM混合结构的缩放式模数转换器_中山大学_202510375292.5
    本发明公开了一种基于SAR‑SDM混合结构的缩放式模数转换器，包括SAR ADC模块、SDM调制器模块、缩放因子生成模块、五位加法器、五位减法器、数据选择器；SAR ADC模块用于对模拟输入信号进行量化转换处理，输出第一数字输出信号；缩放因...
    2025-09-21
  • 超宽带的射频前端模组、电子设备及射频信号处理方法
    超宽带的射频前端模组、电子设备及射频信号处理方法_上海畅联智融通讯科技有限公司_202510374687.3
    本申请提供一种超宽带的射频前端模组、电子设备及射频信号处理方法。在指示信号表征超宽带通信芯片与WiFi通信芯片同时工作时，由于射频前端模组的工作频率不包括特定频率范围，使射频前端模组能够正常工作。同时，因射频前端模组可以对第一初始射频信号中...
    2025-09-21
  • 一种基于电平信号的数据上传方法、装置、设备及介质
    一种基于电平信号的数据上传方法、装置、设备及介质_上海汉枫电子科技有限公司_202510372490.6
    本发明公开了一种基于电平信号的数据上传方法、装置、设备及介质。应用于总线系统，包括：主机模块和从机模块，方法包括：通过主机模块和各从机模块监听电平信号，当监测到电平信号为指定状态时，启动计时功能以获取计时器值；根据计时器值确定各从机模块的竞...
    2025-09-21
  • 智能计算中心的算力资源网络拓扑生成方法及装置
    智能计算中心的算力资源网络拓扑生成方法及装置_北京九章云极科技有限公司_202510376734.8
    本发明提供一种智能计算中心的算力资源网络拓扑生成方法及装置，涉及智能计算中心、智算中心及算力基础设施技术领域。所述方法应用于算力资源网络，所述算力资源网络包括第一节点和多个第二节点，方法包括：步骤S1、在目标监测时段内，基于所述第一节点，接...
    2025-09-21
  • 一种基于差异化传输模式的时间敏感流调度方法
    一种基于差异化传输模式的时间敏感流调度方法_中国科学院计算技术研究所_202510370916.4
    本发明提供一种基于差异化传输模式的时间敏感流调度方法，用于控制网络中各转发节点对流的数据包的传输过程，方法包括：获取时间敏感型应用在流量传输前向网络提交的传输请求，包括流特征和预设服务质量需求；获取为流预设的整形速率，并在整形速率的约束下，...
    2025-09-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510375591.9
    方法包括：沉积包括交替定位的多个牺牲层和多个半导体层的多层堆叠件。多个牺牲层包括具有第一厚度的底部牺牲层以及位于底部牺牲层上方的上部牺牲层。上部牺牲层具有小于第一厚度的第二厚度。方法还包括：图案化多层堆叠件以形成突出鳍；在突出鳍上形成伪栅极...
    2025-09-21
  • 半导体器件结构及其制造方法
    半导体器件结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510375593.8
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其制造方法。该结构包括设置在衬底上方的栅电极层、设置在衬底上方的第一源极/漏极区域、设置在第一源极/漏极区域上方的导电接触件、设置在栅电极层和导电接触件上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一导电部件、...
    2025-09-21
  • 形成半导体器件的方法和集成电路
    形成半导体器件的方法和集成电路_台湾积体电路制造股份有限公司_202510375587.2
    形成晶体管的方法包括：形成晶体管的多个堆叠沟道；形成与沟道交错的多个半导体结构；以及在沟道的端部和半导体结构上的源极/漏极沟槽中形成半导体晶种层。然后从源极/漏极沟槽中的晶种层外延生长晶体管的源极/漏极区域。然后，用介电内部间隔件替换半导体...
    2025-09-21
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