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最新专利技术
  • 铝合金转化膜涂层及其制备方法、铝合金及其制备方法和应用
    铝合金转化膜涂层及其制备方法、铝合金及其制备方法和应用_湖南海铝精密工业股份有限公司_202610110500.3
    本发明属于铝合金涂层技术领域，具体涉及一种铝合金转化膜涂层及其制备方法、铝合金及其制备方法和应用。其中，铝合金转化膜涂层包括如下重量份数的制备原料：100份植酸水溶液、5份~10份双‑[γ‑(三乙氧基硅)丙基]‑四硫化物、3份~7份3‑缩水...
    2026-05-01
  • 一种可用于除重锈的铁锈转化剂及其制备方法
    一种可用于除重锈的铁锈转化剂及其制备方法_海南宏翔金属处理材料有限公司_202511895644.6
    本发明公开了一种可用于除重锈的铁锈转化剂，包括以下重量百分比的原料：主转化剂6‑14%、辅助转化剂3‑6%、增强剂0.5‑1.5%、增稠剂2‑4%、分散剂1‑2%、缓蚀剂0.8‑1.5%、稀土钝化剂0.3‑0.7%、助剂1‑3%，余量为水；...
    2026-05-01
  • 一种锂离子电池正极钝化保护层的快速制备方法及其应用
    一种锂离子电池正极钝化保护层的快速制备方法及其应用_广州大学_202610117621.0
    本发明涉及电池领域，具体涉及一种锂离子电池正极钝化保护层的快速制备方法及其应用。锂离子电池正极钝化保护层的快速制备方法，包括以下步骤：S1、将酸性金属螯合剂和碱配制成混合溶液；S2、将新鲜铝箔浸泡在混合溶液中，腐蚀铝箔表面并形成致密保护层；...
    2026-05-01
  • 用于化学和/或电解表面处理的分配系统、装置和分配方法
    用于化学和/或电解表面处理的分配系统、装置和分配方法_泛林集团(萨尔斯堡)有限公司_202511953100.0
    本发明涉及一种用于基板在工艺流体中的化学和/或电解表面处理的分配系统、装置以及分配方法。该分配系统包括：分配体，至少一个工艺流体入口，以及通道，其中，该分配体被配置成将工艺流体的流和/或电流引导至基板，其中，通道至少部分地围绕分配体的周围，...
    2026-05-01
  • 一种基于气帘隔离的卷对卷常压复合工艺系统
    一种基于气帘隔离的卷对卷常压复合工艺系统_上海交通大学_202610069995.X
    本发明提供了一种基于气帘隔离的卷对卷常压复合工艺系统，包括：卷对卷传输主通道，用于输送待制备的基底，内部为常压惰性气体环境；至少一个气相工艺模块，用于对所述基底进行气相沉积，所述基底在进行气相沉积反应时，所述基底的两侧具有第一气帘；至少一个...
    2026-05-01
  • 一种具有高厚度、低表面粗糙度和低厚度非均匀性的氧化硅薄膜及其制备方法
    一种具有高厚度、低表面粗糙度和低厚度非均匀性的氧化硅薄膜及其制备方法_天府兴隆湖实验室_202511967161.2
    本发明公开了一种具有高厚度、低表面粗糙度和低厚度非均匀性的氧化硅薄膜的制备方法，预处理晶圆，并将晶圆放入工艺腔；逐步预加载氮气至工艺腔内部；将晶圆的温度升高至250‑300℃，同时调整腔压至3000‑3200mTorr；调整晶圆托盘的高度至...
    2026-05-01
  • 一种直立石墨烯异质结、制备方法、应用和日盲紫外光电探测器
    一种直立石墨烯异质结、制备方法、应用和日盲紫外光电探测器_宁波石墨烯创新中心有限公司_202511885047.5
    本发明提供了一种直立石墨烯异质结、制备方法、应用和日盲紫外光电探测器，包括β‑Ga2O3膜以及通过等离子体增强化学气相沉积法生长在所述β‑Ga2O3膜上的直立石墨烯。本发明以克服现有技术偏见的方式，通过增加β‑Ga2O3膜内部氧空位的方式进...
    2026-05-01
  • 支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备
    支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202610242832.7
    本申请涉及半导体层生长工艺技术领域，尤其涉及一种支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备，支撑结构包括：承载件，承载件上设有两个支臂，两个支臂在同一平面内延伸，且两个支臂相靠近的端部分别与承载件连接，以组合形成弧形状，两个支臂相背离的端部分...
    2026-05-01
  • 一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法
    一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法_杭州星原驰半导体有限公司_202610387521.X
    本发明涉及原子层沉积设备制造技术领域，具体为一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法，包括若干固定基架和一个升降基架，相邻两个基架之间可拆卸拼接，若干基架沿安装方向依次排布且升降基架位于靠近炉管式设备的一侧，升降基架顶部设有升降...
    2026-05-01
  • 一种喷淋装置及沉积镀膜设备
    一种喷淋装置及沉积镀膜设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202610131881.3
    本发明公开一种喷淋装置及沉积镀膜设备，其中，该喷淋装置包括喷淋部件和抽气部件，所述喷淋部件包括喷淋盘，所述喷淋盘设置有喷淋孔，所述抽气部件安装于所述喷淋盘的中部区域，所述抽气部件被配置为能够用于抽气。上述喷淋装置可改善反应气体中部聚集的情况...
    2026-05-01
  • 一种改善ALD膜厚均匀性的工艺
    一种改善ALD膜厚均匀性的工艺_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202511921326.2
    本发明是一种改善ALD膜厚均匀性的工艺，包括以下步骤：1)先打开载气与源瓶之间进气管上的载气控制阀，向源瓶通入载气，时间控制在1‑5s，并保持源瓶与反应腔之间供气管上的TMA出气控制阀关闭，反应腔内硅片装载量＞6排；2)保持载气控制阀打开，...
    2026-05-01
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511344529.X
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。提供一种能够提高成膜速率的技术。包括：a)向衬底供给包含构成膜的主元素和卤元素的第1气体的工序；b)向衬底供给包含氢的第1还原气体的工序；c)向衬底供给第2还原气体的工序...
    2026-05-01
  • 一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉
    一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉_湖南天际智慧材料科技有限公司_202411475097.1
    本发明涉及微纳米粉末表面沉积包覆设备领域，提供了一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉，包括炉体及炉体回转管和多孔分散板及挡板组成的隔仓、工作气体系统和加料装置，工作气体系统包括若干流化包覆材料或气态包覆前驱体材料进气管、比例阀组，比例阀组通过...
    2026-05-01
  • 一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件
    一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件_湖南大学_202512023615.7
    本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件，其中，所述的CVD合成方法为：将VCl3挥发，并在挥发的锗源催化下和CVD管式炉中的痕量氧进行化学气相沉积反应，在硅基底上生长所述的原子...
    2026-05-01
  • 一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法
    一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法_广东精瓷新材料有限公司_202610221040.1
    本发明公开了一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法，设备包括：反应腔；设置于反应腔内部的、具有进气口和排气口的密闭或准密闭内反应室，内反应室用于提供碳化硅沉积的独立反应空间，并与反应腔壁之间形成夹层；设置于夹层内、用于加热内反应室的独立发热...
    2026-05-01
  • 一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法
    一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法_苏州赛翡斯新材料科技有限公司_202512005430.3
    本发明涉及复合绝缘散热材料领域，具体涉及一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法，具体包括如下步骤：铜线以稳定速度连续通过液相沉积区，在交变电磁场的辅助作用下，功能化石墨烯逐步沉积并自组装形成致密绝缘底层；持续沉积5‑30分钟，使...
    2026-05-01
  • 锡金属薄膜及其制备方法
    锡金属薄膜及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511969776.9
    本申请属于半导体加工工艺中的薄膜制备领域，实施例提供一种锡金属薄膜及其制备方法。所述方法包括以下步骤：提供衬底，并令所述衬底位于沉积腔内；利用载气将有机锡前驱体输送至衬底上；利用还原性气体还原所述有机锡前驱，以在所述衬底上形成锡金属薄膜。本...
    2026-05-01
  • 基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质
    基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511837944.9
    本发明涉及一种基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质，涉及卷绕镀膜设备领域，所述方法包括获取卷膜镀膜机中多个张力段的状态指纹；基于状态指纹查询机器专家数据库，获得对应的控制参数，规则库存储基于现场经验的控制策略条目，数据驱动...
    2026-05-01
  • 一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法
    一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法_灵宝金源朝辉铜业有限公司_202512026439.2
    本发明公开了一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法。该方法通过离子注入从原子尺度重构铜表面化学态，实现硅烷偶联剂高密度接枝。该方法突破传统工艺对物理粗糙度的依赖，在保持铜箔宏观形貌与尺寸精度的前提下，使接枝密度达到理论单分子层覆盖率90%以上，...
    2026-05-01
  • 一种往复高温镀膜工艺槽
    一种往复高温镀膜工艺槽_珠海普伊特自动化系统有限公司_202610215839.X
    本发明公开了一种往复高温镀膜工艺槽。该工艺槽包括：槽体、溅射镀膜部、第一加热部、第二加热部、滚筒输送部及载具；槽体内腔分隔为溅射镀膜腔以及位于溅射镀膜腔两端的左加热腔、右加热腔，溅射镀膜腔通过两个隔板的连通端口连通左加热腔、右加热腔；溅射镀...
    2026-05-01
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