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最新专利技术
  • 一种MicroLED微显示器件及其制备方法
    一种MicroLED微显示器件及其制备方法_北京中微赛尔科技有限公司_202511929562.9
    本发明公开的MicroLED微显示器件及其制备方法，包括以下步骤：提供驱动衬底和多个发射第一颜色光的第一外延片；图形化第一外延片，形成多个间隔分布且具有外延结构的第一外延分区；切割第一外延片，形成具有预定形状的多个第一外延子片，每个第一外延...
    2026-04-12
  • 一种半导体封装用紫外LED阵列的主动散热与定位一体装置
    一种半导体封装用紫外LED阵列的主动散热与定位一体装置_惜贤科技有限公司_202511883406.3
    本发明公开了一种半导体封装用紫外LED阵列的主动散热与定位一体装置，涉及半导体封装装备技术领域，包括底架，所述底架上固定安装有安装架，所述安装架上固定安装有外壳，所述外壳内活动安装有紫外LED阵列组件，所述紫外LED阵列组件的下方设有LED...
    2026-04-12
  • 一种发光装置的制备方法及发光装置
    一种发光装置的制备方法及发光装置_浙江瑞丰光电有限公司_202511865163.0
    本发明涉及发光装置技术领域，其特别涉及一种发光装置的制备方法及发光装置。其中，该发光装置的制备方法，通过在第一载体上形成光调整层；在光调整层背离第一载体的一面上注射匀光胶体形成匀光层；将第一载体进行翻膜操作，使匀光层背离所述光调整层的一面朝...
    2026-04-12
  • 一种仿生结构的LED芯片及其制造方法
    一种仿生结构的LED芯片及其制造方法_江西耀驰科技有限公司_202512009873.X
    一种仿生结构的LED芯片及其制造方法，该仿生结构的LED芯片包括由下至上依次层叠设置的基底、P电极、P‑GaN层、MQW层、N‑GaN层和N电极；P电极中设置第一竖孔、P‑GaN层中设置第二竖孔、MQW层中设置第三竖孔、N‑GaN层中设置第...
    2026-04-12
  • 一种可折叠多引脚LED封装支架结构
    一种可折叠多引脚LED封装支架结构_山西高科华兴电子科技有限公司_202511904706.5
    本发明公开了一种可折叠多引脚LED封装支架结构，涉及封装支架技术领域，包括基板，所述基板的一侧设置有用于容纳LED芯片的杯体，所述基板上集成了一个功能切换开关；引脚结构设置在所述基板背向所述杯体的一侧，所述引脚结构包括一个公共脚、三个控制脚...
    2026-04-12
  • 发光装置
    发光装置_深圳市天诺通光电科技有限公司_202512017926.2
    本申请提供一种发光装置，其中，按质量份计，第一胶体包括30‑45份的双酚A型环氧树脂、55‑70份的苯基含氢硅树脂和1‑6份的脂环胺，KSF红色荧光粉：β‑sialon绿色荧光粉的质量比为20‑27：3‑5，KSF红色荧光粉和β‑sialo...
    2026-04-12
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装发光二极管芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202511986226.8
    本发明涉及LED技术领域，本发明公开一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。倒装发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延层，外延层上设置有电流扩展层、电流阻挡层、布拉格反射层、反射层、第一绝缘层、连接层和第二绝缘层，第一绝缘层覆盖反射层且与布...
    2026-04-12
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装发光二极管芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202511986225.3
    本发明涉及LED技术领域，本发明公开一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。倒装发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延层，外延层上设置有电流扩展层、电流阻挡层、反射层、第一绝缘层、连接层和第二绝缘层，第二绝缘层上形成有第四通孔和第五通孔，第...
    2026-04-12
  • 一种可智能调色的LED的发光芯片、封装结构及其制备方法
    一种可智能调色的LED的发光芯片、封装结构及其制备方法_江西省兆驰光电有限公司_202511813968.0
    本发明涉及LED的技术领域，公开了一种可智能调色的LED的发光芯片、封装结构及其制备方法。可智能调色的LED的发光芯片包括衬底和外延结构层，所述外延结构层上设有正电极和负电极，所述外延结构层上设有复合光学功能层和第一钝化层，所述第一钝化层上...
    2026-04-12
  • Mini-LED芯片及其制备方法、封装基板
    Mini-LED芯片及其制备方法、封装基板_江西兆驰半导体有限公司_202511641521.X
    本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法、封装基板，涉及半导体光电器件领域。其中，Mini‑LED芯片包括：衬底、外延层、N电极、P电极、第一钝化层、磁性层、第二钝化层、N焊盘和P焊盘。外延层包括N型半导体层、有源层和P型半导体层；...
    2026-04-12
  • 一种发光装置、灯珠模组及制备方法
    一种发光装置、灯珠模组及制备方法_广东晶科电子股份有限公司_202512003409.X
    本发明公开了一种发光装置、灯珠模组及制备方法，发光装置包括：凹型电极结构、内凹单元、发光二极管、封装结构及透镜结构，内凹单元与凹型电极结构连接，发光二极管设于内凹单元内部，封装结构填充于内凹单元内部，将发光二极管封装于内凹单元内部，透镜结构...
    2026-04-12
  • 倒装发光二极管芯片及其制备方法
    倒装发光二极管芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202511856753.7
    本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，倒装发光二极管芯片包括衬底及设于所述衬底上的外延层、电流扩展层、电流阻挡层、布拉格反射层、反射金属层、第一绝缘层、连接金属层、第二绝缘层和焊盘金属层；其中，所述第一绝缘层设于所述布拉格反射层上...
    2026-04-12
  • 一种多波段LED外延结构及其制备方法
    一种多波段LED外延结构及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511839092.7
    本发明实施例公开了一种多波段LED外延结构，其多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的第一蓝光InGaN层、第一绿光InGaN层、第一量子垒层、第一能带调控层、第二蓝光InGaN层、第二能带调控层、第二量子垒层；第一能带调控层包括依...
    2026-04-12
  • 一种红光氮化物外延片及其制备方法和Micro-LED
    一种红光氮化物外延片及其制备方法和Micro-LED_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324479.4
    本发明提供一种红光氮化物外延片及其制备方法和Micro‑LED，包括蓝宝石衬底、插入结构、n型氮化物图形结构层、发光层和p型金属氮化物层；插入结构贯穿n型氮化物图形结构层、发光层和部分p型金属氮化物层，其包括复合Si纳米柱和复合调控层，复合...
    2026-04-12
  • 一种外延片、外延片的制备方法和Micro-LED
    一种外延片、外延片的制备方法和Micro-LED_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324473.7
    本发明提供一种外延片、外延片的制备方法和Micro‑LED。该外延片包括：层叠的基板、修饰结构层、氮化物发光层以及p型氮化物层；修饰结构层设置在基板的一侧表面，修饰结构层包括多个复合纳米柱结构和复合改性结构；复合纳米柱结构包括Si纳米柱以及...
    2026-04-12
  • 一种红光Micro-LED外延片及其制备方法和应用
    一种红光Micro-LED外延片及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324470.3
    本发明提供一种红光Micro‑LED外延片及其制备方法和应用。包括：蓝宝石衬底；多个间隔设置的发光结构，发光结构包括复合Si纳米柱、金属氮化物结构、发光层和p型半导体层；复合Si纳米柱间隔生长在蓝宝石衬底的一侧表面，复合Si纳米柱包括Si纳...
    2026-04-12
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_江西兆驰集成科技有限公司_202511848315.6
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、末阱层、末垒层、空穴输运层、电子阻挡层和P型GaN层；其中...
    2026-04-12
  • 一种复合式图形化衬底及其制备方法
    一种复合式图形化衬底及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512026624.1
    本发明涉及半导体发光二极管的技术领域，公开一种复合式图形化衬底及其制备方法。制备方法包括：在衬底上制备SiO2膜层；在SiO2膜层上制备压印胶；利用纳米压印技术将所述软模版的图形转移到SiO2膜层上；对SiO2膜层进行刻蚀处理，形成预设形貌...
    2026-04-12
  • 一种复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片
    一种复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片_江西兆驰集成科技有限公司_202512026426.5
    本发明提供了复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片，该方法包括：在蓝宝石衬底表面形成多个孔洞，进行涂胶、曝光、显影处理，得到预设图形；在衬底上沉积SiOF层；通过热处理去除SiOF层的下方的预设图形，形成空腔；通过纳米压印技术在衬...
    2026-04-12
  • 载具工装
    载具工装_歌尔股份有限公司_202512014886.6
    本发明公开了一种载具工装，涉及加工工装技术领域，其中，所述载具工装包括底板、压盖及多个下压机构，所述底板设有多个放置位，每一所述放置位用于放置一工件；所述压盖可拆卸连接于所述底板设置所述放置位的一侧，所述压盖具有多个第一安装位，每一所述第一...
    2026-04-12
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