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最新专利技术
  • 一种采用并行数字微镜阵列的扫描式曝光方法及系统
    一种采用并行数字微镜阵列的扫描式曝光方法及系统_东莞市和川机械设备科技有限公司_202610245740.4
    本发明公开了一种采用并行数字微镜阵列的扫描式曝光方法及系统，涉及光刻曝光与掩模无掩模直写技术领域，包括通过基准靶标曝光的检测配准方法建立并行数字微镜初始映射；根据并行数字微镜初始映射生成分块畸变场参数表，基于分块畸变场参数表确定微标记插入位...
    2026-04-10
  • 通过调控光刻掺杂窗口以改善功率器件击穿一致性的方法
    通过调控光刻掺杂窗口以改善功率器件击穿一致性的方法_上海鼎泰匠芯科技有限公司_202610222819.5
    本发明提供一种通过调控光刻掺杂窗口以改善功率器件击穿一致性的方法，包括获取光刻曝光参数与掺杂区图形开口尺寸的对应关系；提供一半导体衬底；提供一掩膜版，掩膜版上定义有在终端区形成掺杂区的目标图形；基于对应关系，设定目标光刻曝光参数；利用掩膜版...
    2026-04-10
  • 原位检测与照明系统及微纳加工方法
    原位检测与照明系统及微纳加工方法_中国科学院光电技术研究所_202610190217.6
    本公开提供了一种原位检测与照明系统及微纳加工方法，可应用于曝光照明技术领域。该系统包括物镜、紫外照明组件、可见光照明组件、成像观测组件和原位检测组件，通过第一分光镜、第二分光镜和第三分光镜将多路光耦合至同一物镜。紫外照明组件用于曝光，可见光...
    2026-04-10
  • 曝光装置及曝光方法
    曝光装置及曝光方法_上海芯上微装科技股份有限公司_202610140843.4
    本发明提供一种曝光装置及曝光方法，所述曝光装置包括沿光路依次设置的照明模块、掩模台和物镜模块，还包括遮光机构；所述遮光机构沿光路设置于所述掩模台与所述照明模块之间，或设置在所述掩模台与所述物镜模块之间；所述遮光机构具有开口，所述开口的尺寸可...
    2026-04-10
  • 一种改善PCB油墨色差的多次曝光偏移方法及介质
    一种改善PCB油墨色差的多次曝光偏移方法及介质_合肥芯碁微电子装备股份有限公司_202610107704.1
    本发明公开了一种改善PCB油墨色差的多次曝光偏移方法及介质，包括准备涂覆有油墨的PCB基板；确定激光直接成像设备中多个激光器的功率配比；建立对应于多次曝光模式的曝光参数集，其中，所述曝光参数集至少包含曝光剂量参数与曝光起始点偏移量参数，且所...
    2026-04-10
  • 直写式光刻机及其曝光同步诊断方法和信号同步处理单元
    直写式光刻机及其曝光同步诊断方法和信号同步处理单元_合肥芯碁微电子装备股份有限公司_202610093213.6
    本发明公开了一种直写式光刻机及其曝光同步诊断方法和信号同步处理单元，其中，直写式光刻机曝光同步诊断方法包括：在曝光过程中，获取每次运动平台移动位移达到理论触发间距时的第一位置同步信号，以及，获取运动平台的物理位置；根据第一位置同步信号计算运...
    2026-04-10
  • 光学装置、曝光装置及器件制造方法
    光学装置、曝光装置及器件制造方法_株式会社尼康_202512039153.8
    本发明提供一种光学装置、曝光装置、平板显示器的制造方法及器件制造方法，所述光学装置包括：多个激光光源(20)；具有光调变器的输出模块(30)；以及配置于所述多个激光光源与所述输出模块之间，在时间上分割自所述多个激光光源射出的激光的时间分割器...
    2026-04-10
  • 面向多视点自动化测量的曝光序列自适应优化方法
    面向多视点自动化测量的曝光序列自适应优化方法_武汉惟景三维科技有限公司_202512004422.7
    本申请涉及一种面向多视点自动化测量的曝光序列自适应优化方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括：获取多个视点的原始曝光时间序列；原始曝光时间序列中包括多个曝光片段，每个曝光片段对应于一个视点；计算各曝光片段之间的...
    2026-04-10
  • 一种掩膜板图形蚀刻设备
    一种掩膜板图形蚀刻设备_南通卓力达金属科技有限公司_202511998195.8
    本发明涉及半导体及微电子制造设备技术领域，更具体的说，它涉及一种掩膜板图形蚀刻设备，包括设备外壳，所述设备外壳上设有盖板，所述设备外壳的内部设有腔室，所述腔室中设有上下料结构和掩膜板支撑结构，所述上下料结构包括齿轮一、两组螺纹杆和两组齿轮二...
    2026-04-10
  • 一种用于电子束曝光机的快速通断束闸装置
    一种用于电子束曝光机的快速通断束闸装置_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511968765.9
    本发明公开了一种用于电子束曝光机的快速通断束闸装置，包括由外至内依次设置的壳体组件、屏蔽组件、主体组件和偏转组件；所述壳体组件侧部设有泵接口和接线固定板，所述主体组件侧部设有真空电极和真空管道，所述真空管道嵌套在泵接口内侧，并连接至外部抽真...
    2026-04-10
  • 激发激光系统及操作激发激光系统的方法
    激发激光系统及操作激发激光系统的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511825596.3
    一种激发激光系统及操作激发激光系统的方法，操作激发激光系统的方法包括测量激光光束的工作功率、判断工作功率是否低于阈值功率值、光学测量从激光光束的增益介质发射的光谱以确定增益介质的成分，及根据光学测量调整增益介质的成分。一种装置包括：光学发射...
    2026-04-10
  • 晶圆曝光的方法、装置、存储介质、设备及程序产品
    晶圆曝光的方法、装置、存储介质、设备及程序产品_成都新紫光半导体科技有限公司_202411388582.5
    本公开涉及一种晶圆曝光的方法、装置、存储介质、设备及程序产品。针对晶圆上的每个待曝光区域，获取光刻机采集到的所述待曝光区域的第一曝光参数和所述待曝光区域对应的初始曝光参数，所述初始曝光参数为预先设置的曝光参数；根据所述第一曝光参数对所述初始...
    2026-04-10
  • 一种光源的光刻空间像的获取方法、装置、设备及介质
    一种光源的光刻空间像的获取方法、装置、设备及介质_中国科学院微电子研究所_202411385750.5
    本申请提供一种光源的光刻空间像的获取方法、装置、设备及介质。方法包括：对目标光源进行栅格化，每个栅格代表一个光源点，得到光源点矩阵；根据所述光源点矩阵中任意两个光源点之间的相干度，得到所述光源点矩阵对应的相干度矩阵；根据所述相干度矩阵从所述...
    2026-04-10
  • 位置测量装置、方法以及曝光设备
    位置测量装置、方法以及曝光设备_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202411383675.9
    本发明提供了一种位置测量装置、测量方法、工件台位置补偿方法、曝光方法以及曝光设备，该测量装置包括第一反射镜、第二反射镜、第一干涉仪参考轴、第二干涉仪参考轴和数据处理模块，第一反射镜和第二反射镜均配置为安装于物镜的底部；第一干涉仪参考轴配置为...
    2026-04-10
  • 晶圆缺陷的处理方法
    晶圆缺陷的处理方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411330505.4
    本公开涉及一种晶圆缺陷的处理方法，该方法包括：将待处理晶圆进行无图案曝光，得到曝光后的晶圆；其中，所述待处理晶圆具有缺陷；将所述曝光后的晶圆与显影液接触进行显影，得到显影后的晶圆；使用清洗介质对所述显影后的晶圆进行清洗，得到清洗后的晶圆。本...
    2026-04-10
  • 一种感光材料板涂覆装置和感光材料板生产方法
    一种感光材料板涂覆装置和感光材料板生产方法_河南汇达印通科技股份有限公司_202610232204.0
    本发明涉及感光材料板生产设备技术领域，名称是感光材料板涂覆装置，包括装置架，在装置架上具有输送电机带动的输送辊轮，在装置架上还安装有连接电机的辊轮带动的覆盖带，所述的覆盖带是橡胶制成的，所述的覆盖带包括基层和基层上面的凸起，所述的凸起包括基...
    2026-04-10
  • 多元金属中心-有机化合物光刻胶薄膜及其制备方法、器件
    多元金属中心-有机化合物光刻胶薄膜及其制备方法、器件_沈阳芯达科技有限公司_202512001008.0
    本申请实施例提供一种多元金属中心‑有机化合物光刻胶薄膜及其制备方法、器件。所述方法包括以下步骤：利用载气引入第一金属前驱体，使其吸附在衬底一侧表面，并通入惰性吹扫气体，移除未吸附的所述第一金属前驱体；利用所述载气引入有机前驱体，使其与所述第...
    2026-04-10
  • 光刻方法
    光刻方法_中国科学院半导体研究所_202511718434.X
    本发明提供一种光刻方法，该方法包括：通过第一光刻胶将待光刻的目标样片和衬底进行粘接；目标样片的尺寸小于阈值；通过第二光刻胶对粘接在衬底上的目标样片进行光刻胶匀胶，形成覆盖目标样片的光刻胶膜层；基于光刻胶膜层对目标样品进行光刻。本申请实施的方...
    2026-04-10
  • 光阻结构、包含该光阻结构的半导体元件及其制造方法
    光阻结构、包含该光阻结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510332958.9
    本公开提供一种光阻结构、包括该光阻结构的半导体元件、以及包括该光阻结构的该半导体元件的制备方法。该光阻结构包括一下光阻层；以及位在该下光阻层上的一上光阻层。该上光阻层的一热膨胀系数大于该下光阻层的一热膨胀系数。
    2026-04-10
  • 化学放大负性光刻胶组合物及应用
    化学放大负性光刻胶组合物及应用_苏州凯芯半导体材料有限公司_202512060749.6
    本发明提供了一种化学放大负性光刻胶组合物及应用。以重量份数计，该化学放大负性光刻胶组合物包括：5~25份的第一酚醛树脂、5~25份的第二酚醛树脂、3~8份的交联剂、0.5~1.5份的光致产酸剂、0.1~1.0份的碱性添加剂、0.5~1.5份...
    2026-04-10
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