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最新专利技术
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510211176.X
    抑制金属凸块的裂纹。实施方式的半导体装置具备：安装基板；封装基板，其在与安装基板的主面相交的第一方向侧与主面相对设置；金属凸块，其设置在安装基板的主面与封装基板之间；第一底部填料，从金属凸块看，该第一底部填料设置在沿着主面的第二方向侧；以及...
    2026-04-03
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510158835.8
    本发明的实施方式提供能够使性能提高的半导体装置。一个实施方式的半导体装置具有：第1导电部件；第2导电部件；半导体芯片，设置于所述第1导电部件与所述第2导电部件之间；第1连接部件，设置于所述半导体芯片与所述第2导电部件之间；以及薄膜，设置于所...
    2026-04-03
  • 半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法
    半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511853729.8
    本申请实施例提供一种半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域。在半导体封装结构中，芯片被设置在玻璃基板的玻璃基板通孔内，在玻璃基板的第一侧，位于不同芯片经由混合键合层通过硅桥相互连接。如此设计，一方面，芯片和硅桥通过...
    2026-04-03
  • 一种超大功率扁平无引脚功率器件封装装置
    一种超大功率扁平无引脚功率器件封装装置_深圳市金誉半导体股份有限公司_202512011109.6
    本发明涉及半导体器件，更具体涉及芯片封装技术领域，且公开了一种超大功率扁平无引脚功率器件封装装置，包括焊盘基底，所述焊盘基底上设置有连接部，所述连接部上设置有抗震部，所述抗震部上设置有半导体部，所述半导体部上设置有散热部，所述散热部上安装有...
    2026-04-03
  • 具有内部夹具互连的晶体管芯片封装
    具有内部夹具互连的晶体管芯片封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511343089.6
    本公开内容提供了晶体管芯片封装。半导体封装包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的晶体管芯片，其中，晶体管芯片包括在第一侧上的第一负载电极和第二负载电极。该半导体封装包括面向晶体管芯片的第二侧的载体、横向布置在晶体管芯片旁边的第一端子柱和在相...
    2026-04-03
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202510163189.4
    提供能够使侧面电极的高度最大化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一框、第二框、第一半导体元件、线、以及封装部件。第二框在第一方向上与第一框对置地配置，并在上表面的第一框侧的端部具有台阶部。第一半导体元件配置于台...
    2026-04-03
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510153941.7
    提供具有抑制了缺损的形状的半导体装置。半导体芯片设于比第一引线框更靠第一方向的位置，并包含与第一引线框电连接的第一电极以及第二电极。第一导电体与第二电极电连接。第二引线框在比第一引线框更靠第二方向的位置和第一引线框排列，并包含第一端子以及与...
    2026-04-03
  • 压接型半导体装置
    压接型半导体装置_株式会社东芝_202411661486.3
    本发明的实施方式涉及压接型半导体装置。压接型半导体装置具备：第一电极；第二电极；一对金属板，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；半导体元件，位于所述一对金属板之间，具有半导体部和电极部，所述电极部配置在所述半导体部的上表面，且具有面积比所...
    2026-04-03
  • 一种功率芯片的芯片级封装结构及其封装工艺
    一种功率芯片的芯片级封装结构及其封装工艺_江苏帝奥微电子股份有限公司_202511965973.3
    本发明公开了一种功率芯片的芯片级封装结构及其封装工艺，包含金属基板和功率芯片，金属基板包含芯片载台区域和背面引出植球区域，芯片载台区域的高度低于背面引出植球区域并且芯片载台区域与背面引出植球区域的高度差与功率芯片厚度匹配，功率芯片设置在芯片...
    2026-04-03
  • 一种集成电路基板及其制备方法和应用
    一种集成电路基板及其制备方法和应用_上海晶准电子科技有限公司_202511757086.7
    本发明提供一种集成电路基板及其制备方法和应用。所述集成电路基板包括以下步骤：a、提供一临时载板；b、在临时载板的第一表面上形成第一光敏绝缘层；c、对第一光敏绝缘层进行曝光和显影，形成多个引脚图案开口；d、在引脚图案开口中电镀第一金属层，形成...
    2026-04-03
  • 一种高深径比玻璃通孔的无缺陷电镀填充方法及系统
    一种高深径比玻璃通孔的无缺陷电镀填充方法及系统_武汉大学_202511948947.X
    本发明涉及半导体封装及微加工技术领域，具体涉及一种高深径比玻璃通孔的无缺陷电镀填充方法及系统。所述方法包括：采用原子层沉积(ALD)技术在玻璃通孔内壁制备超薄、致密且结合力强的铜种子复合层；配置包含特定添加剂体系的电镀液；实施分段脉冲电镀策...
    2026-04-03
  • 一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法
    一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法_上海富乐华半导体科技有限公司_202511855363.8
    本发明公开一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法。一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法，双面覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及反面铜层；所述正面铜层上设置有正面图形结构；所述反面铜层上设置有反面图形结构；所述正面图形结构与所述...
    2026-04-03
  • 玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法
    玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法_极光先进雷射株式会社_202511084174.5
    本发明提供玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法。玻璃基板加工方法包括如下步骤：对玻璃基板照射紫外线波长脉冲激光而形成贯通孔；对包围贯通孔且从该贯通孔的内壁起规定范围的区域照射超短脉冲激光而形成变质部；以及使用对变质部的蚀刻速度比对变质部以...
    2026-04-03
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510705408.7
    本发明提供一种电子装置及其制造方法，制造方法包括提供一目标基板、以及在所述目标基板上设置一电路结构。提供所述目标基板的制程包括以下步骤：(a)提供一基底层；(b)对所述基底层进行一平坦步骤后，测量所述基底层的一第一厚度变异值；(c)在所述基...
    2026-04-03
  • 双面内埋线路的封装基板及其制备方法
    双面内埋线路的封装基板及其制备方法_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202411303031.4
    本申请提出一种双面内埋线路的封装基板及其制备方法。本申请的封装基板及其制备方法，通过将外层基板的第一线路层内埋至基材层内，并在内层基板的两表面均压合一外层基板，实现了双面内埋线路，内埋的第一线路层的线宽线距可以更小，因此可以提高布线密度。并...
    2026-04-03
  • 一种基于大尺寸塑封转接板的芯片封装结构及其制备方法
    一种基于大尺寸塑封转接板的芯片封装结构及其制备方法_武汉学院_202511989536.5
    本发明提供一种基于大尺寸塑封转接板的芯片封装结构及其制备方法，上述制备方法通过采用大尺寸塑封转接板作为中介层，结合通孔填充第一导电柱、上下表面金属层图案化形成对应焊盘、双填充层分别包覆芯片及转接板与印刷电路板间隙的制备工艺，以使多个芯片实现...
    2026-04-03
  • 封装载板的制造方法、封装载板及电子设备
    封装载板的制造方法、封装载板及电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511850980.9
    本申请提供一种封装载板的制造方法、封装载板及电子设备，所述方法包括：提供基板主体；基板主体包括相对设置的第一表面和第二表面；在基板主体中形成从第一表面贯穿至第二表面的通孔；形成填充通孔并覆盖第一表面和第二表面的第一导电层；通过刻蚀去除通孔以...
    2026-04-03
  • 玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺
    玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511662384.8
    本发明公开一种玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺，包括以下步骤：玻璃晶圆包括键合面及非键合面，对玻璃晶圆的键合面及玻璃基板进行表面清洗；在玻璃基板的表面沉积氧化铝薄膜层，氧化铝薄膜层的厚度为大于或等于1纳米且小于或等于5纳米；对玻璃晶圆的键合...
    2026-04-03
  • 半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆
    半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆_芯盟科技有限公司_202411289221.5
    本公开实施例提出了一种半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆，其中，所述半导体测试结构包括：至少一个电容器接触结构；位于所述至少一个电容器接触结构上的电容器阵列结构，包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个电容器；其中，所述电容器的数量...
    2026-04-03
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511814349.3
    公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；模塑层，覆盖半导体芯片；粘合层，在模塑层的上表面上；标记框架，在粘合层上，其中，标记框架暴露粘合层的一部分，粘合层的被暴露的部分形成标记图案；以及间隔件，在...
    2026-04-03
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