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最新专利技术
  • 采用阵列交联式散热方式的传感器芯片封装结构
    采用阵列交联式散热方式的传感器芯片封装结构_无锡芯感智科技股份有限公司_202511941186.5
    本发明公开了采用阵列交联式散热方式的传感器芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，本发明针对芯片封装过程中如何确保恰好形成对应压紧力度达到有效封装的问题；包括封装台，封装台中转动安装有旋转台，旋转台的上侧水平安装有封装基座；一方面利用精确的限位...
    2026-04-04
  • 基于气动缓冲和动态压力控制的车载传感器芯片封装结构
    基于气动缓冲和动态压力控制的车载传感器芯片封装结构_无锡芯感智科技股份有限公司_202511941179.5
    本发明公开有基于气动缓冲和动态压力控制的车载传感器芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，是以常规封装过程中的动作过程进行改进，环顶块与受压气囊形成压力闭环反馈结构，电磁动作组件实现辅助冲程控制，底座工装设有夹爪组件和动作缸体，配合完成基板固定...
    2026-04-04
  • 一种晶圆清洗装置及清洗方法
    一种晶圆清洗装置及清洗方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202512008687.4
    本申请提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，晶圆清洗装置包括多层清洗腔，每层清洗腔包括多个独立且并排设置的清洗通道，每个清洗通道内设置有第一平移装置和清洗装置，第一平移装置包括第一驱动机构和第一承载台，第一驱动机构驱动第一承载台带动晶圆在清洗通道...
    2026-04-04
  • 一种用于硅片清洗的梯度磁化水洗方法及系统
    一种用于硅片清洗的梯度磁化水洗方法及系统_重庆芯联微电子有限公司_202511910910.8
    本发明提供一种用于硅片清洗的梯度磁化水洗方法及系统，包括以下步骤：提供经过药液清洗后的硅片；将硅片浸没于水洗槽的清洗液中；在线磁化具有预设磁感应强度的磁化去离子水，并供给至水洗槽中，用以对硅片进行溢流水洗；溢流水洗至少包括第一阶段水洗、第二...
    2026-04-04
  • 基板加工方法
    基板加工方法_细美事有限公司_202511346297.1
    提供了一种基板加工方法，所述方法包括：基板抛光操作，对基板进行抛光；处理溶液供应操作，在所述基板抛光操作之后，将含有聚合物和挥发性溶剂的处理溶液供应到旋转的基板上；液膜形成操作，在所述处理溶液供应操作之后，使所述处理溶液中的所述挥发性溶剂挥...
    2026-04-04
  • 基板处理方法、制造方法以及基板处理装置
    基板处理方法、制造方法以及基板处理装置_细美事有限公司_202511338624.9
    本发明涉及基板处理方法、制造方法以及基板处理装置。提供了一种用于处理基板的方法。该方法包括：将包含氧原子的处理液供应到旋转的基板；以及在由供应的处理液形成的液膜与光源模块接触的状态下，通过该光源模块将光发射到该基板以去除该基板上的有机材料。
    2026-04-04
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511294278.9
    基板处理方法使处于基板相对于铅垂面倾斜的倾斜姿势的基板、和浸渍槽内的处理液的表面即液面在上下方向上相对移动，由此使基板从基板的整体配置于浸渍槽内的处理液中的浸渍状态向基板的整体配置于液面的上方的非浸渍状态变化。
    2026-04-04
  • 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
    晶圆清洗装置及晶圆清洗方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411321721.2
    本申请提出一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗方法应用于晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括对晶圆表面进行刷洗的清洗刷和用于承载晶圆并带动晶圆旋转的卡盘，所述晶圆清洗方法包括：旋转晶圆，移动所述清洗刷对晶圆表面进行刷洗；在所述清洗刷移...
    2026-04-04
  • 一种基于多孔金属电化学产气的晶圆解键合方法及结构
    一种基于多孔金属电化学产气的晶圆解键合方法及结构_苏州研材微纳科技有限公司_202511967257.9
    本发明提供一种基于多孔金属电化学产气的晶圆解键合方法及结构，属于半导体制造技术领域，该方法包括在支撑载板键合面上依次制备SiO2绝缘层和多孔金属层，并在多孔金属层边缘压触精密探针；随后涂覆临时键合胶形成键合中间层，将器件晶圆与支撑载板键合；...
    2026-04-04
  • 一种表面贴装型封装结构的加工方法、装置及切割设备
    一种表面贴装型封装结构的加工方法、装置及切割设备_沈阳和研科技股份有限公司_202610232219.7
    本发明提供了一种表面贴装型封装结构的加工方法、装置及切割设备，其中，该方法包括：待表面贴装型封装结构被真空吸附在工作盘上后，控制切割刀对表面贴装型封装结构上的边框和支撑筋进行切割，以使边框和支撑筋与多个封装列结构均切割分离；控制喷水组件向边...
    2026-04-04
  • 半导体产品切割方法、系统及切割控制装置
    半导体产品切割方法、系统及切割控制装置_江苏京创先进电子科技有限公司_202511909563.7
    本发明揭示了一种半导体产品切割方法、系统及切割控制装置，其中切割方法包括如下步骤：根据获取的半导体产品切割时所需的目标真空吸附力，控制水环真空泵的吸气端和/或连接管道处设置的控制阀的开度以使吸附治具产生目标真空吸附力；获取半导体产品与吸附治...
    2026-04-04
  • 通过背侧凹槽和凹槽延伸部与晶圆分离的电子部件
    通过背侧凹槽和凹槽延伸部与晶圆分离的电子部件_英飞凌科技股份有限公司_202511317713.5
    公开了通过背侧凹槽和凹槽延伸部与晶圆分离的电子部件。一种从晶圆(102)分离电子部件(100)的方法，其中，该方法包括：为晶圆(102)提供半导体衬底(104)，半导体衬底(104)具有带有有源区域(108)的正侧(106)并且具有由功能层...
    2026-04-04
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社东芝_202510027853.2
    提供提高了品质的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具有槽部形成工序、第一粘贴工序、磨削工序、第一灰化工序和金属膜成膜工序。槽部形成工序是在基材上从形成有元件区域的器件面一侧形成多个槽部的工序。第一粘贴工序是经由...
    2026-04-04
  • 一种控制扩展电阻测试样品研磨面宽度的装置及方法
    一种控制扩展电阻测试样品研磨面宽度的装置及方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511713759.9
    本发明提供一种控制扩展电阻测试样品研磨面宽度的装置及方法，所述装置包括激光检测组件、支撑件和第一驱动装置，所述激光检测组件用于向测试样品发射激光线，所述激光线的长度方向沿所述研磨面的宽度方向设置，所述支撑件设置在所述激光检测组件的下方，与所...
    2026-04-04
  • 一种半导体结构的处理方法
    一种半导体结构的处理方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511810735.5
    本申请提供一种半导体结构的处理方法，该处理方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底上的初始氧化层；将所述半导体结构置于处理腔室，在所述处理腔室中建立超临界环境，以在所述处理腔室内形成超临界二氧化碳流体；向所述处理腔室...
    2026-04-04
  • 一种光学调制器芯片加工用刻蚀设备
    一种光学调制器芯片加工用刻蚀设备_青县瑞繁机械配件有限公司_202511988349.5
    本申请公开了一种光学调制器芯片加工用刻蚀设备，属于刻蚀装置技术领域，该设备包括工作台，工作台内部装配有刻蚀机，工作台侧面固定连接有支撑台，支撑台顶端装配有输送装置，工作台内部开设有清洗仓和收集仓，刻蚀机的底端装配有烘干机，工作台的顶端装配有...
    2026-04-04
  • 刻蚀方法
    刻蚀方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511583232.9
    本公开提供了一种刻蚀方法，属于半导体技术领域。该刻蚀方法包括：提供一基底结构，所述基底结构包括衬底以及沉积在所述衬底上的介质层；在所述介质层上形成图形化的光刻胶掩模；对所述光刻胶掩模进行硬化处理；在处理后的所述光刻胶掩模的掩盖下，对所述介质...
    2026-04-04
  • 一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法
    一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202411302806.6
    本发明涉及一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法，SOI晶圆包括依次层叠的金属层、第一钝化层、第二钝化层、光刻胶层；SOI晶圆的钝化层刻蚀方法包括：刻蚀光刻胶层，形成图形化光刻胶；将图形化光刻胶作为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二钝化层进行第一刻蚀工艺...
    2026-04-04
  • 一种用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺
    一种用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺_核芯光电科技(山东)有限公司_202511886396.9
    本发明属于半导体制作技术领域，尤其公开了一种用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺，该用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺包括转盘，底部设置有驱动结构，驱动结构底部设置有安装座，用于驱动转盘转动；安装块，设置在驱动结构外侧，用于防护驱动结构安...
    2026-04-04
  • 一种半导体外延生长方法及外延结构
    一种半导体外延生长方法及外延结构_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511877878.8
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体外延生长方法及外延结构，方法包括以下步骤：提供衬底；将第一元素注入衬底中；对注入第一元素的衬底进行退火；于退火后的衬底上形成成核层；于成核层上依次形成缓冲层和器件层；其中，第一元素的注入能量不超过...
    2026-04-04
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