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最新专利技术
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511594351.4
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括依次层叠的衬底、单晶态的成核层与缓冲层、非晶态的介质掩模层和GaN沟道层；所述介质掩模层中具有贯穿所述介质掩模层的多个掩模窗口，所述GaN沟道层覆盖所述介质掩模层且填充所...
    2026-04-08
  • 一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法
    一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法_贵州辰矽电子科技有限公司_202610222251.7
    本发明提供一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法，涉及功率半导体技术领域；制作方法如下，生长第一氧化层，并刻蚀形成沟槽；将离子注入到沟槽中的外延层上形成场限环，并在场限环上沉积第二氧化层；通过刻蚀形成有源区；在有源区上通过掩膜沉积形成多晶硅栅...
    2026-04-08
  • 一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法
    一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511995306.X
    一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法，涉及半导体技术领域。在外延片上刻蚀出沟槽后，再填光刻胶，曝光到沟槽顶部；然后湿法刻蚀侧壁氧化层到指定深度；去除光刻胶；再生长100Å~400Å的热氧化层；淀积100Å~400Å的Nitr...
    2026-04-08
  • 分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法
    分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法_上海毅笃功率半导体科技有限公司_202511874066.8
    本发明提供一种分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法。所述方法包括在第一沟槽内填充浮空电极与绝缘介质层交替设置的多层分段浮空电极结构，相同深度的浮空电极彼此电学互联，不同深度的浮空电极彼此电学隔离。本发明通过三维沟槽结构创新与电荷调...
    2026-04-08
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411311914.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括衬底、位于衬底上的鳍片、位于衬底上且与鳍片相交的伪栅结构、以及覆盖衬底和鳍片的介质层，介质层的上表面与伪栅结构的顶表面齐平；去除伪栅结构，以形成位...
    2026-04-08
  • 改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化
    改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化_英特尔公司_202511174502.0
    本发明名称是“改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化”。在(例如，纳米带、纳米线等的)平行沟道结构之间具有电介质间隔物的集成电路(IC)装置。一种晶体管结构可具有在源主体与漏主体之间的第一沟道层和第二沟道层、在沟道层之间具有栅金属和栅电介质...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510194499.2
    提供一种半导体装置，其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT，能够降低损耗。实施方式的半导体装置具备晶体管区域、二极管区域以及将晶体管区域及二极管区域包围的末端区域。晶体管区域包含第一沟槽和第一沟槽中的第一导电层。二极管区域包含第二沟槽和...
    2026-04-08
  • 一种微小电流和电压测量器件
    一种微小电流和电压测量器件_北京师范大学_202610235735.5
    本发明提供一种微小电流和电压测量器件，属于半导体器件领域，包括集电区、基区、中心发射区、环绕中心发射区的保护环、位于中心发射区与保护环之间的高电阻区以及淬灭电阻；中心发射区和集电区可为硅材料，基区可为锗硅材料；中心发射区与基区形成发射结，保...
    2026-04-08
  • 一种稳压二极管
    一种稳压二极管_泉州三安半导体科技有限公司_202511704704.1
    本发明公开了一种稳压二极管，该稳压二极管包括第一导电类型衬底、第二导电类型掺杂区及第一导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区自第一导电类型衬底的第一表面的中间区域向第二表面的方向延伸至第一导电类型衬底的内部。第一导电类型掺杂区形成于第二导电类型...
    2026-04-08
  • 齐纳二极管及其制备方法
    齐纳二极管及其制备方法_汎星半导体股份有限公司_202510926886.0
    本公开提出一种齐纳二极管及其制备方法，包括：基板、埋入层、扩散层和外延层；埋入层在基板的一个设置面上的至少一部分区域形成；外延层至少在埋入层上形成；扩散层至少在外延层上形成；其中扩散层与埋入层之间具有一定距离。
    2026-04-08
  • 一种基于多级树状叉指结构的三维电容器
    一种基于多级树状叉指结构的三维电容器_无锡缶英微电子科技有限公司_202511929528.1
    本发明公开了一种基于多级树状叉指结构的三维电容器，其包括：硅衬底，其中所述硅衬底表面开设有硅槽，硅槽内表面及其邻近的硅衬底表面至少设置有第一电极层、第二电极层及将第一电极层和第二电极层隔开的介质层，第一电极层、第二电极层和介质层形成深沟槽结...
    2026-04-08
  • 电容器结构及其形成方法
    电容器结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411593770.1
    本发明提供一种电容器结构。电容器结构包括底部电极、第一介电层及第一顶部电极。底部电极包括底部及侧部，其中侧部从底部的边缘向上延伸，侧部包括第一部分及第二部分在第一部分上，以及第一部分的第一宽度小于第二部分的第二宽度。第一介电层在底部电极上。...
    2026-04-08
  • 薄膜电阻及其制作方法
    薄膜电阻及其制作方法_广州增芯科技有限公司_202511992174.5
    本发明提供了一种薄膜电阻及其制作方法，薄膜电阻包括：金刚石层；碳化钛膜，位于金刚石层上；钽氮化物电阻层，位于局部的碳化钛膜表面，碳化钛膜与金刚石层形成共价键结合，并且，碳化钛膜的晶格常数与钽氮化物电阻层的晶格常数之间具有第一晶格常数差距，金...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411339932.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善导电结构给外围电路的路径较远导致的信号延时问题。该半导体器件包括沿第一方向层叠设置的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：导电结构、第一晶体管和第一连接结构。其中...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202512004636.4
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、阻变功能层和第二电极层；阻变功能层包括阻变材料层和氧捕获层，氧捕获层包括第一子层；第一电极层和第二电极层在阻变材料层上的投影重叠，构成电极重叠区域；其中，第一子...
    2026-04-08
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511973334.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决现有技术中三维存储器生产成本较高的技术问题。半导体结构包括堆叠结构、导电结构和导电插塞。堆叠结构包括核心区和非核心区。堆叠结构包括沿第一方向...
    2026-04-08
  • 制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法
    制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510365313.5
    本公开涉及一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。制造半导体装置的方法包括：形成层叠体；在所述层叠体中形成沟道孔；在所述沟道孔中形成初步沟道层；在所述初步沟道层上形成覆盖层，所述覆盖层在所述覆盖层的第一部分内具有第一厚度，并且在所述覆...
    2026-04-08
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411420286.9
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法，其主要先形成第一阱区于一基底内，然后形成一浅沟隔离于该第一阱区两侧，形成一栅极结构于该基底上，形成多个掺杂区于该栅极结构两侧，再形成多个接触插塞于该等掺杂区上。其中第一阱区深度...
    2026-04-08
  • 半导体器件及存储器
    半导体器件及存储器_钠存科技(杭州)有限公司_202512000966.6
    本发明涉及一种半导体器件及存储器。半导体器件包括：铁电晶体管和存储电容；铁电晶体管包括源极区、漏极区、沟道区和栅极；源极区和漏极区位于衬底中；沟道区位于衬底中，且位于源极区和漏极区之间；栅极，覆盖沟道区的表面；其中，栅极包括层叠设置的隧穿层...
    2026-04-08
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511988862.4
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、单元电容器、通道层、字元线结构和介电层。单元电容器嵌入基板中。通道层位于单元电容器上，且通道层与单元电容器直接接触。字元线结构包围通道层，其中字元线结构的顶面低于通道层的顶面。字元线结构包括第一...
    2026-04-08
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