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  • 本发明涉及晶圆处理设备技术领域,尤其涉及一种反应腔体及等离子体处理设备,包括石英管、感应线圈和屏蔽遮挡构件,石英管设于处理室的顶部;感应线圈环绕设于石英管的外侧,且包括若干个沿石英管的轴向间隔排布的环形段,以及若干个分设于相邻两个环形段之间...
  • 本发明涉及晶圆处理设备技术领域,尤其涉及一种用于高氢制程的反应腔体及等离子体处理设备,包括石英管;第一线圈环绕设于石英管的外侧,并与外设的射频电源连接;法拉第屏蔽笼环设于石英管外,并设于石英管和第一线圈之间,法拉第屏蔽笼上开设有若干个贯穿其...
  • 本发明公开了一种蚀刻加工的多层超薄导流板,涉及半导体制造装备领域,包括上顶板和下支撑板,所述上顶板底部与所述下支撑板连接并共同构成导流空腔;所述导流空腔内从上至下依次设置有上导流板和下导流板,所述上导流板底部和所述下导流板顶部均设有多个隔板...
  • 本申请提供了具有电弧检测功能的射频电源及电弧检测方法。在一个实施例中,提供了一种具有电弧检测功能的射频电源,所述射频电源包括:射频电路,配置为产生射频信号;传感器,配置为接收并采样所述射频信号;射频参数计算装置,配置为对采样的射频信号进行计...
  • 本发明提供一种使等离子体处理装置、基片处理系统的构成部件之间的拆装变得容易的等离子体处理装置、基片处理系统和固定件。一种包括腔室的等离子体处理装置,其包括:第一部件;第二部件;和构成为将第一部件和第二部件以沿着轴向可拆装的方式固定在一起的固...
  • 本申请提供一种边缘环及刻蚀设备,属于半导体远程等离子体源刻蚀技术领域,用于解决晶圆边缘自由基浓度径向梯度较大及副产物排出的问题;刻蚀设备包括:基座和边缘环,基座用于放置待刻蚀的晶圆;边缘环与基座相固定;边缘环包括:第一环形部,当对晶圆进行刻...
  • 本申请提供了一种刻蚀装置,用于对待刻蚀件刻蚀。刻蚀装置包括:壳体、第一电极、第二电极及绝缘件。壳体包括收容腔。第一电极、第二电极及绝缘件均收容于收容腔中。在第一方向上,第二电极与第一电极相对并间隔设置,绝缘件设置于第一电极与第二电极之间,待...
  • 本申请涉及一种电子束发射装置及电子束发射方法。该电子束发射方法包括:获取电子束发射关键参数在不同爬升阶段的目标值和爬升速率;按照不同爬升阶段的目标值和爬升速率,分阶段爬升电子束发射关键参数,并根据电子束发射关键参数发射电子束;获取根据当前电...
  • 本发明公开一种超晶格蓝绿光增强型光电阴极,包括堆叠设置的砷化镓帽层、超晶格吸收层以及窗口层,砷化镓帽层的厚度为大于或等于3纳米且小于或等于10纳米,砷化镓帽层的外表面为负电子亲和势表面;超晶格吸收层包括若干镓砷磷垒层以及若干铟镓砷阱层,若干...
  • 本发明公开了一种微光像增强器灌封结构及灌封方法,属于像增强器技术领域。所述灌封方法总体采用带压力注胶真空灌封技术方案,灌封结构中底座、上密封环、密封圈、下密封环与像增强器灌封外壳构成密封腔体。在真空灌封设备中,灌封胶从底部注胶头注入,分别从...
  • 本发明公开了一种平面型同轴环栅纳米真空沟道场发射三极管装置及方法,涉及微电子器件与真空微纳电子技术领域,包括绝缘基底、设于其上的同轴环形栅极、环绕栅极设置的介质支撑区,以及设于支撑区上且呈同轴布置的发射极与收集极;二者内边缘与外边缘之间形成...
  • 本发明属于电光源制造技术领域,公开了一种短弧放电灯用钍钨阴极及其制备方法和应用。本发明短弧放电灯用钍钨阴极的制备方法包括以下步骤:S1、在钍钨阴极基体表面涂覆热处理溶液,得到包括碳源涂层的钍钨阴极;S2、对所述包括碳源涂层的钍钨阴极进行分段...
  • 本发明属于电光源材料和制造技术领域,公开了一种短弧放电灯用无钍阴极及其制备方法和应用。本发明短弧放电灯用无钍阴极的制备方法包括以下步骤:S1、将原料混合并进行干燥处理;S2、在还原性气氛下对干燥后的混合粉末进行还原处理,得到钨合金粉末;S3...
  • 本发明涉及电路保护的技术领域,具体为一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器,包括:主壳体,在主壳体的内部设置有活塞活动腔,活塞活动腔的下方连接有内腔室,在内腔室的下方设置有灭弧腔。本发明提出的一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器,当发生电路故障时,信...
  • 本发明涉及开关触点操作机构技术领域,公开了一种高压熔断器接线端帽及其应用的高压熔断器,包括安装部以及转动安装在所述安装部上的密封盖,所述安装部上开有安装孔,所述密封盖具有封闭工位和打开工位;当所述密封盖处于封闭工位时,所述密封盖封闭所述安装...
  • 本申请公开一种灭弧室及断路器,涉及低压电器技术领域。该灭弧室,包括栅片组,栅片组包括沿第一方向依次交替设置的第一栅片和第二栅片,第二栅片沿第二方向的一端为绝缘部,第一栅片为金属栅片,第一方向与第二方向垂直,其中,第二方向为电弧运动方向。该灭...
  • 本发明公开了一种自适应灭弧断路器及其使用方法,涉及断路器技术领域,包括壳体,壳体的内部设置有引弧板和多个阵列布置的栅片,还包括调节组件,当断路器内部发生断电电流过大或者过载时,调节组件调节多个栅片之间的间隙进行灭弧;集尘组件,用于缓冲断路器...
  • 本发明提供了一种断路器,断路器包括壳体和灭弧室,壳体的内部设置有N极排气通道和L极排气通道,壳体上具有排气口,N极排气通道和L极排气通道的排气端与排气口连通,N极排气通道和L极排气通道均具有至少一个循环腔室;灭弧室,灭弧室分别设置在N极排气...
  • 本发明公开了一种磁旋灭弧的断路器触头结构,属于高压电连接器技术领域。包括灭弧装置、连接装置、断路器触头,灭弧装置能够通过连接装置与断路器触头连接,灭弧装置整体呈圆柱形结构,灭弧装置内部电流流过时产生纵向的磁场,当电弧从灭弧装置的中部区域通过...
  • 本发明涉及双断点断路器模块、断路器,属于断路器技术领域。本发明通过在转子部分设置双面支架、双面外壳以及配合双片动触桥以构成设置于断路器内部的双断点断路器模块,双片动触桥每片不仅能单独提供触头压力,使得接触性能更加优秀,而且可以有效提升动触桥...
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