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最新专利技术
  • 晶片双面清洗设备及双面清洗方法
    晶片双面清洗设备及双面清洗方法_扬帆半导体科技(苏州)有限公司_202511967872.X
    本申请公开了一种晶片双面清洗设备，属于晶片清洗技术领域。分别设置第一清洗机构和第二清洗机构，且对应第一清洗机构设置有第一毛刷机构和第一搬运机械手，及对应第二清洗机构设置有第二毛刷机构和第二搬运机械手。这样，通过第一毛刷盘即能够对多个晶片的第...
    2026-04-09
  • 一种晶圆的清洁方法
    一种晶圆的清洁方法_北京电控集成电路制造有限责任公司_202511966357.X
    本申请一种晶圆的清洁方法，涉及晶圆清洁技术领域，可以充分去除晶圆沟槽内的氧化层和副产物层，降低晶圆沟槽内特别是沟槽底部和拐角位置的副产物层和氧化层的残留风险，提高晶圆的清洁质量和清洁效率。该清洁方法包括：向晶圆所在的反应腔室内通入用于清洁的...
    2026-04-09
  • 一种半导体芯片自动化清洗装置
    一种半导体芯片自动化清洗装置_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511932635.X
    一种半导体芯片自动化清洗装置，涉及半导体器件的处理技术领域；包括：主机机体；清洗执行模块，包括毛刷总成以及驱动毛刷总成进行多轴运动的毛刷摆臂；芯片固定模块，包括吸附托盘以及驱动吸附托盘进行多角度调整的托盘臂；吸附托盘与托盘臂可拆卸连接；供液...
    2026-04-09
  • 一种化学电镀洗边装置、洗边机及方法
    一种化学电镀洗边装置、洗边机及方法_重庆芯联微电子有限公司_202511880249.0
    本发明公开了一种化学电镀洗边装置，包括：洗边腔室，用于放置承载单元；承载单元，包括承载驱动源和与所述承载驱动源的中心轴固定的承载架，所述承载架用于水平承载晶圆，所述承载驱动源驱动所述承载架带动晶圆绕垂直于水平面的中心轴旋转；所述承载架端部设...
    2026-04-09
  • 半导体结构的清洗方法
    半导体结构的清洗方法_重庆芯联微电子有限公司_202511791895.X
    本发明提供了一种半导体结构的清洗方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过对基底执行多次清洗工艺，且不同清洗工艺采用不同的清洗剂，以实现对基底及其上的半导体结构先进行预清洗、而后再进行多次残留物清洗。由于预清洗能帮助软化残留物，使下一步的...
    2026-04-09
  • 基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法
    基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511652781.7
    本发明涉及一种基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过倒角、磨片、腐蚀对晶圆进行的预处理。第二步：采用CVD工艺进行薄膜沉积。第三步：对沉积后的晶圆进行化学机械抛光。第四步：...
    2026-04-09
  • 自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构
    自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610214878.8
    本申请涉及一种自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域。本申请的自对准阻挡结构的形成方法，在湿法刻蚀之前，在阻挡图形的侧壁形成保护阻挡图形线宽的保护侧墙，在湿法刻蚀过程中，保护侧墙延缓或避免湿法刻蚀剂与阻挡图形接触，从而改...
    2026-04-09
  • 衬底处理方法及衬底处理装置
    衬底处理方法及衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202511188847.1
    本发明提供一种衬底处理方法及衬底处理装置，在对有伤痕的衬底照射闪光时也能够防止衬底破裂。作为闪光加热处理的预处理，对半导体晶圆的背面供给氢氟酸而对该背面进行蚀刻处理。由此，能够缓和作用于半导体晶圆的背面上存在的伤痕的残留应力。然后，对半导体...
    2026-04-09
  • 一种刻蚀量控制方法、装置、电子设备和系统
    一种刻蚀量控制方法、装置、电子设备和系统_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511948590.5
    本申请涉及半导体制造领域，公开了一种刻蚀量控制方法、装置、电子设备和系统，方法包括：获取在干法刻蚀后且在湿法刻蚀前应力记忆技术缓冲层的实际厚度和目标厚度、金属硅化物阻挡层和应力记忆技术缓冲层的实际总厚度和目标总厚度，以及在湿法刻蚀后应力记忆...
    2026-04-09
  • 用于蚀刻表面的方法和设备
    用于蚀刻表面的方法和设备_ASMIP私人控股有限公司_202511287806.8
    用于蚀刻的方法和相关系统。本公开的实施例包括通过执行包括多个蚀刻循环的循环蚀刻过程来蚀刻可蚀刻层。来自多个蚀刻循环中的蚀刻循环包括挥发反应物脉冲，其包括将衬底暴露于挥发反应物。挥发反应物不含金属。
    2026-04-09
  • 一种基于等离子体掺杂的超浅结制备方法及半导体器件
    一种基于等离子体掺杂的超浅结制备方法及半导体器件_浙江迪吉芯半导体有限公司_202511627170.7
    本发明公开的一种基于等离子体掺杂的超浅结制备方法及半导体器件，通过“表面预处理‑低能量等离子体精准掺杂‑可控快速热退火‑性能表征”的工艺体系实现超浅结制备。表面预处理彻底去除衬底杂质与氧化层，低能量等离子体掺杂精准控制注入深度，快速热退火兼...
    2026-04-09
  • 高取向金刚石晶圆的制备方法及高取向金刚石晶圆
    高取向金刚石晶圆的制备方法及高取向金刚石晶圆_深圳职业技术大学_202511968219.5
    本申请公开了一种高取向金刚石晶圆的制备方法及高取向金刚石晶圆，制备方法包括准备基体衬底；对基体衬底进行预处理，预处理包括清洗基体衬底，以及在基体衬底表面进行金刚石晶种预植；将预处理后的基体衬底置入MPCVD设备中，以基体衬底的上表面作为金刚...
    2026-04-09
  • 基于转角二维材料的量子点图案化制备方法
    基于转角二维材料的量子点图案化制备方法_中国科学院半导体研究所_202511921661.2
    本公开提供了一种基于转角二维材料的量子点图案化制备方法，涉及量子点生长技术领域。该方法包括：在至少两个衬底上分别制备具有范德华层状结构的二维材料；检测各二维材料的晶体取向，并在确定至少两个二维材料的晶体取向一致的情况下，以其中一个二维材料作...
    2026-04-09
  • 晶片型薄膜电容及其制造方法
    晶片型薄膜电容及其制造方法_国巨股份有限公司_202411315844.5
    本申请提出一种晶片型薄膜电容及其制造方法。晶片型薄膜电容包含陶瓷基板、两个第一电极层、两个介电层、两个第二电极层、第一连接层和第二连接层。在陶瓷基板中，第一表面和第二表面每一者具有多个沟槽。第一电极层分别设置在第一表面及第二表面上，且填充至...
    2026-04-09
  • 一种流体忆阻器及其制备方法和应用
    一种流体忆阻器及其制备方法和应用_澳门大学_202511653053.8
    本发明属于忆阻器技术领域，特别涉及一种流体忆阻器及其制备方法和应用。本发明的流体忆阻器包括基体，基体具有孔隙；石墨烯层，石墨烯层设于基体的一侧表面，石墨烯层在孔隙处破损，且破损边缘向孔隙内褶边；流体A，流体A设于石墨烯层一侧区域；流体B，流...
    2026-04-09
  • 基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法
    基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法_南京林业大学_202511929845.3
    本发明公开基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法，属于纳电子技术领域；铁电隧道结，包括：依次连接的左电极、中心散射区和右电极；所述左电极与右电极分别由TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构向左和向右周期性重复...
    2026-04-09
  • 一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法
    一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法_北京大学_202511853272.0
    本发明公开了一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体存储器件技术领域。所述阻变存储器包括底电极、阻变功能层和顶电极，其中阻变功能层在刻蚀成型后，其侧壁被包裹一层导热率高、电导率低且化学性质稳定的材料，构成热传递层。该热传递层可在器...
    2026-04-09
  • 一种量子芯片的制备方法及微波量子滤波装置
    一种量子芯片的制备方法及微波量子滤波装置_湖南师范大学_202511942002.7
    本发明提供了一种量子芯片的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上形成第一金属层；S2、根据预设的超导电路版图刻蚀所述第一金属层，形成超导电路图案；S3、根据预设的约瑟夫森结图形版图，在步骤S2处理后的工件表面依次形成绝缘层和第二金属层，形成...
    2026-04-09
  • 接收装置、发送接收装置、通信系统和便携终端装置
    接收装置、发送接收装置、通信系统和便携终端装置_TDK株式会社_202511884681.7
    本发明的接收装置具备磁性元件，该磁性元件具备第1铁磁性层、第2铁磁性层、和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹着的间隔层，包含具有光强度变化的光信号的光照射至所述第1铁磁性层，以基于来自所述磁性元件的输出电压，接收所述光信号的方式构成，照...
    2026-04-09
  • 一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用
    一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用_北京量子信息科学研究院_202411319688.X
    本申请公开一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用包括：在硅锗衬底上获得条形平台结构；对所述具有条形平台结构的硅锗衬底进行预处理；在具有所述条形平台结构的所述硅锗衬底上方，采用分子束外延生长技术依次生长硅锗缓冲层、硅间隔层、纯锗层和硅盖...
    2026-04-09
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